生物传感器的制造方法技术

公开了以高成品率制造具有场效应晶体管的生物传感器的方法。含有场效应晶体管的生物传感器的制造方法包括以下步骤：在硅基板的一面上形成氧化硅膜和多晶硅膜的层积膜；在所述硅基板的另一面上形成氧化硅膜；在形成于所述硅基板的另一面上的氧化硅膜上形成源电极及漏电极和用于连接源电极与漏电极的通道；以及去除所述硅基板的一面上的多晶硅膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有场效应晶体管的。
技术介绍
目前，提出了具有场效应晶体管的生物传感器(参照专利文献1 幻。通常，在具有场效应晶体管的生物传感器中在半导体基板的绝缘膜上，形成源电极/漏电极和通道， 进而在通道或半导体基板的绝缘膜等上配置反应场的情况较多。在反应场中固定被检测物质识别分子的情况较多。使固定在反应场的被检测物质识别分子识别被检测物质，测定此时的源极-漏极电流，由此测定提供给反应场的被检测物质的有无和浓度。专利文献专利文献1 (日本)特开2004-85392号公报专利文献2 (日本)特开2OO6-2Oll78号公报专利文献3 (日本)特开2007-139762号公报在具有场效应晶体管的生物传感器的制造中，尽管在同一条件下进行制造，但有时所获得的生物传感器的特性差别较大，从而有时成为使成品率下降的原因。本专利技术人发现作为使成品率下降的一个原因是由于在制造步骤(特别是在用于制作通道或源/漏电极的半导体制造步骤)中，在应配置反应场的半导体基板的绝缘膜上产生缺陷。另外，发现作为产生缺陷的一个原因是由于在搬送半导体基板时，因半导体基板的绝缘膜与搬送生产线等之间的物理性接触而损伤本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种生物传感器的制造方法，该生物传感器包括：硅基板、形成在所述硅基板的一面上的氧化硅膜、在形成于所述硅基板的一面上的氧化硅膜上配置的反应场及栅电极、形成在所述硅基板的另一面上的氧化硅膜、以及在形成于所述另一面上的氧化硅膜上配置的源电极及漏电极和用于连接源电极与漏电极的通道，所述生物传感器的制造方法包括以下步骤：在硅基板的一面上形成氧化硅膜和多晶硅膜的层积膜；在所述硅基板的另一面上形成氧化硅膜；在形成于所述硅基板的另一面上的氧化硅膜上，形成源电极及漏电极和用于连接源电极与漏电极的通道；去除所述硅基板的一面上的多晶硅膜；以及在所述硅基板的一面上配置栅电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：菊地洋明，山林智明，高桥理，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP