功率控制电路板制造技术

本发明专利技术涉及一种功率控制电路板，其上、下桥的功率控制器件(MOSFET或IGBT等)对称排列，使功率控制器件的输出端子在上、下桥功率控制器件的中间用导体就近连接，上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端子在上下桥功率控制器件的两边就近联接，并在上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端之间接入滤波电容器，并构成一功率控制单元。将多个上述功率控制单元够成品字形或吕字形的排列，即构成功率控制级，使电源正极线、电源地线、功率输出线就近联接，以使电路板的导体电抗(分布电阻和分布电感)降至最小。提高了功率输出级的性能和效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种功率控制电路板，具体是一种DC-AC转换或电机控制用的功率控制电路板。
技术介绍
在DC-AC转换，电机控制的功率输出级，一般采用MOSFET或IGBT桥式拓扑结构， 现有的功率控制电路板的功率放大电路中的功率单元的分布如图1所示，其中的三相功率单元A、B和C直线排列于控制电路板的同侧；由于控制的电流很大，在联接功率控制元件 (M0SFET或IGBT)和电源、负载的导体中将流过较大的电流，联接功率控制元件(M0SFET或 IGBT)和电源、负载的导体的电抗(包括分布电阻和分布电感)引入的功耗和寄生振荡使功率输出级的性能劣化，使其效率降低，温度升高，工作稳定性变差，导致功率控制器件 (MOSFET, IGBT等)损坏率较高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种可使电路板的导体电抗(分布电阻和分布电感)降至最小，可降低功耗和减小寄生振荡、提高功率输出级的性能和效率、降低温升， 工作稳定性较好且损坏率较低的功率控制电路板。为解决上述技术问题，本专利技术提供的功率控制电路板，包括由上、下桥功率控制器件(MOSFET或IGBT)和滤波电容器构成的功率控制单元；其点是上、下桥的功率控制器件对称排列，使功率控制器件的输出端子在上、下桥功率控制器件的中间用导体就近连接， 上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端子在上下桥功率控制器件的两边就近联接，并在上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端之间接入滤波电容器。进一步，多个上述功率控制单元够成一品字形或多个吕字形的排列，即构成功率控制级，并使该电路板的电源正极线、电源地线、功率输出线就近联接，以使电路板的导体电抗(分布电阻和分布电感)降至最小。本专利技术具有的技术效果在本专利技术的功率控制电路板上，功率控制器件(M0SFET， IGBT等)上、下桥中心对称成组相间排列(具体是将上、下桥组呈品字型或呈多个吕字形直线排列)，使电源正极线，电源地线，功率输出线都可以就近联接，使导体的电抗(分布电阻和分布电感)降至最小，提高了功率输出级的性能和效率。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据的具体实施例并结合附图， 对本专利技术作进一步详细的说明，其中图1(a)、图1(b)和图1(c)分别是实施例中的上、下桥功率控制器件(MOSFET， IGBT等)中心对称成组排列组成的功率控制单元的正面、侧面和背面分布结构图；图2(a)、图2(b)和图2(c)分别是本专利技术中的上、下桥功率控制器件对称成组排列组成的三相功率控制级的电路板的正面、侧面和背面分布结构图。附图标记1 功率控制器件，图中为三个并联，使用中可根据需要改变并联个数。 2 联接功率控制器件的输出端子的导体。3 功率输出接线柱或接线点。4 滤波电容器。5 功率控制电路板的基板。6 功率控制器件的引脚。7 给功率控制器件的电源正极导体。8 给功率控制器件的电源负极导体。具体实施例方式下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明本实施例的无刷直流电机的功率控制电路板包括多个由上、下桥功率控制器件 1 (M0SFET或IGBT)和滤波电容器4构成的功率控制单元。上、下桥的功率控制器件1对称排列，使功率控制器件1的输出端子在上、下桥功率控制器件的中间用导体2就近连接，上、 下桥功率控制器件1的供电端子和接地端子在上下桥功率控制器件1的两边就近联接，并在上、下桥功率控制器件1的供电端子和接地端之间接入滤波电容器4。多个上述功率控制单元够成一品字形或多个吕字形的排列，即构成功率控制级， 并使该电路板的电源正极线、电源地线、功率输出线就近联接，以使电路板的导体电抗(分布电阻和分布电感)降至最小。显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本专利技术所作的举例，而并非是对本专利技术的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本专利技术的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本专利技术的保护范围之中。权利要求1.一种功率控制电路板，包括由上、下桥功率控制器件和滤波电容器构成的功率控制单元；其特征在于上、下桥的功率控制器件对称排列，使功率控制器件的输出端子在上、下桥功率控制器件的中间用导体就近连接，上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端子在上下桥功率控制器件的两边就近联接，并在上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端之间接入滤波电容器。2.根据权利要求1所述的功率控制电路板，其特征在于多个上述功率控制单元够成一品字形或多个吕字形的排列，即构成功率控制级，并使该电路板的电源正极线、电源地线、功率输出线就近联接。全文摘要本专利技术涉及一种功率控制电路板，其上、下桥的功率控制器件(MOSFET或IGBT等)对称排列，使功率控制器件的输出端子在上、下桥功率控制器件的中间用导体就近连接，上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端子在上下桥功率控制器件的两边就近联接，并在上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端之间接入滤波电容器，并构成一功率控制单元。将多个上述功率控制单元够成品字形或吕字形的排列，即构成功率控制级，使电源正极线、电源地线、功率输出线就近联接，以使电路板的导体电抗(分布电阻和分布电感)降至最小。提高了功率输出级的性能和效率。文档编号H02M7/521GK102215007SQ20111013903公开日2011年10月12日 申请日期2011年5月27日 优先权日2011年5月27日专利技术者唐险峰 申请人:唐险峰本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种功率控制电路板，包括由上、下桥功率控制器件和滤波电容器构成的功率控制单元；其特征在于：上、下桥的功率控制器件对称排列，使功率控制器件的输出端子在上、下桥功率控制器件的中间用导体就近连接，上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端子在上下桥功率控制器件的两边就近联接，并在上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端之间接入滤波电容器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐险峰，
申请(专利权)人：唐险峰，
类型：发明
国别省市：32