可控硅三相逆变桥控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及可控硅控制装置，尤其为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用可控硅三相逆变桥控制电路。本实用新型专利技术为一种可控硅三相逆变桥控制电路，包括１２个可控硅、光藕和与光藕相接的整流电路，其结构的特点在于：还具有一入多出的电源变压器，它的输出端经整流电路整流后与光藕相接，作为光藕的电源，光藕与可控硅相连。本实用新型专利技术的优点在于：集光藕控制与变压器控制二者的优点于一身，取长补短，耗电功率小，体积小，可满足可控硅三相逆变桥电路高耐压、宽脉冲的要求。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及可控硅控制装置，尤其为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用可控硅三相逆变桥控制电路。
技术介绍
可控硅控制方法一般有变压器控制法、光藕控制法及直接控制法。对于由可控硅构成的逆变电路中一般采用光藕控制法(如图1所示)和变压器控制法(如图2所示)。由于光藕所能承受的电压变化率(dv/dt)低，耐压很难做到很高，降低了整个电路所能承受的电压变化率；变压器控制法由于变压器的体积与其控制脉冲宽度成正比，如果要做到宽脉冲控制，必须增加变压器的体积。因此上述两种方法很难满足由可控硅构成的三相逆变桥控制电路高耐压，宽脉冲的要求。
技术实现思路
本技术目的在于克服上述现有技术中的不足之处，提供一种可以满足由可控硅构成的逆变桥控制电路高耐压，宽脉冲要求的可控硅三相逆变桥控制电路。本技术所采用的技术方案为一种可控硅三相逆变桥控制电路，包括12个可控硅、光藕和与光藕相接的整流电路，其结构的特点还具有一入多出的电源变压器，它的输出端经整流电路整流后与光藕相接，作为光藕的电源，光藕与可控硅相连。本技术的工作原理利用一入多出的电源变压器把一路电源变换成几路相互隔离的低压电源，通过整流滤波后得到直流电源，再通过光藕控制可控硅的导通。由于供电电源是相互隔离的，所以可以分别控制各路的可控硅。这样，本技术将光藕可承受宽脉冲的优点与变压器高耐压的优点相接合，取长补短，满足由可控硅构成的三相逆变桥控制电路高耐压，宽脉冲要求。光藕到可控硅之间电路可不含有其他电路，直接连接；也可通过三极管放大后，再与可控硅相接；还可通过控制小电流可控硅后再控制大电流可控硅。整流电路可以由整流二极管、电容组成，也可采用桥式整流电路。电源变压器的输出端数量与可控硅的数量相同，可以为1入12出；也可以为1入5出，同时将12个可控硅分成五组，分别为S1、S2、S3；S4、S7；S5、S8；S6、S9；S10、S11、S12，每组可控硅的K极接在一起，共用一路电源。由于12出的电源变压器输出端数量多，制作困难，可采用二个6出的电源变压器来替代。电源变压器可以为工频变压器、中频变压器或高频变压器，只要它的二次侧相互隔离且电源数量足够即可。本技术的优点在于本技术集光藕与变压器二者的优点，取长补短，利用一入多出的电源变压器将一路普通电源变换成几路相互隔离的低压电源，从而在电路中可采用普通低耐压光藕来替代价格昂贵的高耐压光藕；或避免采用12个驱动变压器去控制可控硅。本技术耗电功率小，体积小，可满足可控硅三相逆变桥电路高耐压、宽脉冲的要求。附图说明图1为现有光藕控制可控硅的电路示意图；图2为现有变压器控制可控硅的电路示意图；图3本技术实施例1的电路示意图；图4本技术实施例2的电路示意图；图5本技术实施例3的电路示意图；图6本技术的另一种整流电路的示意图；图7本技术使用状态1的电路示意图；图8本技术使用状态2的电路示意图；其中1光藕 2电源变压器 具体实施方式以下结合附图对本技术进行详细的描述如图3所示，实施例1，一种可控硅三相逆变桥控制电路，包括12个可控硅、光藕1、整流二极管、电容、一个一入12出的电源变压器2，电源变压器2输出端经二极管、电容整流后与光藕相接，作为光藕的电源，光藕与可控硅之间直接连接。如图4所示，实施例2，有两个一入6出的电源变压器2，输出端经二极管、电容整流后与光藕1相接，作为光藕的电源，本实施例未述部分与实施例1相同。如图5所示，实施例3，有一个一入5出的电源变压器2，它的输出端输出端经二极管、电容整流后与光藕相接，作为光藕的电源，光藕通过三极管放大后，再与可控硅相接。将12个可控硅分成五组，分别为S1、S2、S3；S4、S7；S5、S8；S6、S9；S10、S11、S12，每组可控硅的K极接在一起，共用一路电源。本实施例未述部分与实施例1相同。如图6所示，为整流电路还可采用的桥式整流电路。如图7所示，光藕之后可接小电流可控硅后去控制大电流可控硅。如图8所示，光藕之后可按三极管放大后去控制可控硅。权利要求1.一种可控硅三相逆变桥控制电路，包括12个可控硅、光藕(1)、和与光藕(1)相接的整流电路，其特征在于，还具有一入多出的电源变压器(2)，它的输出端经整流电路整流后与光藕相接，作为光藕的电源，光藕(1)与可控硅相连。2.根据权利要求1所述的可控硅三相逆变桥控制电路，其特征在于，整流电路或为整流二极管，或为桥式整流电路。3.根据权利要求1所述的可控硅三相逆变桥控制电路，其特征在于，电源变压器(2)的输出端数量与可控硅的数量相同，有12个输出端。4.根据权利要求1所述的可控硅三相逆变桥控制电路，其特征在于，电源变压器(2)有5个输出端，将12个可控硅分成五组，分别为S1、S2、S3；S4、S7；S5、S8；S6、S9；S10、S11、S12，每组可控硅的K极接在一起，共用一路电源。专利摘要本技术涉及可控硅控制装置，尤其为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用可控硅三相逆变桥控制电路。本技术为一种可控硅三相逆变桥控制电路，包括12个可控硅、光藕和与光藕相接的整流电路，其结构的特点在于还具有一入多出的电源变压器，它的输出端经整流电路整流后与光藕相接，作为光藕的电源，光藕与可控硅相连。本技术的优点在于集光藕控制与变压器控制二者的优点于一身，取长补短，耗电功率小，体积小，可满足可控硅三相逆变桥电路高耐压、宽脉冲的要求。文档编号H02M7/505GK2759050SQ20042011119公开日2006年2月15日 申请日期2004年10月31日 优先权日2004年10月31日专利技术者黄敬党 申请人:黄敬党本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控硅三相逆变桥控制电路，包括１２个可控硅、光藕（１）、和与光藕（１）相接的整流电路，其特征在于，还具有一入多出的电源变压器（２），它的输出端经整流电路整流后与光藕相接，作为光藕的电源，光藕（１）与可控硅相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敬党，
申请(专利权)人：黄敬党，
类型：实用新型
国别省市：35[中国|福建]