基于硅工艺封装的毫米波TE101-λ/4功率合成器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于硅工艺封装的毫米波TE101-λ/4功率合成器。该功率合成器由封装层上的多个λ/4谐振器，工作在TE101模的多个SIW谐振器和工作在TE10模的输出矩形波导组成；矩形波导开口处即能量输出端；每个λ/4谐振器的开路端即功率合成器输入端与芯片上有源电路在芯片层与封装层交界处进行连接，短路端接到下导电面，通过下导电面上的耦合缝隙将能量耦合到SIW谐振器中；相邻的SIW谐振器通过侧边的感性膜片耦合，最终通过感性膜片将SIW谐振器能量耦合到矩形波导输出端输出，实现功率合成。本发明专利技术将多个矩阵形式分布的λ/4谐振器的功率高效地合成，将基于硅工艺的毫米波功率源输出功率提高一到两个数量级。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种功率合成器，尤其是涉及一种基于硅工艺封装的毫米波 TEltll-λ/4功率合成器。
技术介绍
随着无线通信与无线网络的发展，微波波段频谱资源已经不堪重负，进一步开发拥有更高带宽、更大通信容量的毫米波波段频谱资源甚为迫切。正因为如此，2001年美国 FCC决定开放57-64GHZ频段用于工业、科学、医疗(ISM)应用，并允许最高达40dBm的发射功率，日本和欧洲也将至少开放59-62GHZ频段。60GHz频段位于大气吸收窗口，非常适合短距离大容量无线通信，汽车防撞雷达等，研究60毫米波集成电路的实现则成为能否有效利用该段频谱资源的重要因素。随着RFCM0S，SiGe BiCMOS技术的进步，60GHz毫米波集成电路已可利用硅技术实现，近年甚至出现了完全基于标准CMOS工艺的电路设计。这将使其与诸如数字信号处理等后端电路的集成大为便利，从而有效改善系统性能和可靠性，并极大程度地降低总体成本。 但如何在硅基片上实现有效的功率放大、获得较大的功率输出始终是众多学者面临的一大挑战，也是目前该领域研究中存在的主要薄弱环节之一。为了获得一定的功率增益或达到特定的功率输出，一般必本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种基于硅工艺封装的毫米波ＴＥ１０１－λ／４功率合成器，其特征在于：该功率合成器由封装层上的多个λ／４谐振器，工作在ＴＥ１０１模的多个ＳＩＷ谐振器和工作在ＴＥ１０模的输出矩形波导（３）组成；每个ＳＩＷ谐振器耦合４个λ／４谐振器，构成功率合成器的单元结构；每个ＳＩＷ谐振器和输出矩形波导（３）均由上导电金属面（４）、下导电金属面（６）、和上、下导电面（４，６）间的金属侧壁（５）所围的空间组成；矩形波导（３）开口处即能量输出端（９）；每个λ／４谐振器的开路端即功率合成器输入端与芯片上有源电路在芯片层与封装层交界处进行连接，每个λ／４谐振器的短路端接到ＳＩＷ谐振器的下导电面（６），通过下导电面（６...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周金芳，胡新毅，黄映乾，史治国，陈抗生，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86