【技术实现步骤摘要】
本技术属于一种氮化铝电阻。
技术介绍
随着国际上对材料环保的重视及ROHS认证的大规模普及，使得具有高热导率、低介电常数、高强度、高硬度、无毒、热膨胀系数与Si相近，物理性能良好又很环保的氮化铝陶瓷成为我们设计大功率、高频率、小体积射频产品的首选材料。然而，在专业大功率氮化铝功率负载的生产上，对于与之匹配的氮化铝电阻浆料的选择和应用，国内许多公司和研究所仍然还处在探索阶段，具备大批量生产能力和成熟应用技术的更是寥寥无几。现有的氮化铝电阻中，所开设的调阻刀口呈S型、L型或直型，存在的技术缺陷为 功率热点比较集中，热点效应比较大，承载的功率受限。
技术实现思路
为了克服现有氮化铝电阻的功率热点比较集中、热点效应比较大、承载的功率受限的不足，本技术提供一种功率热点不集中，有效减少热点效应、提升承载功率上限的氮化铝电阻。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种氮化铝电阻，包括电阻本体，在所述电阻本体上开设调阻刀口，所述调阻刀口的横截面呈U字形，所述刀口角度为钝角，所述调阻刀口有两个，两个调阻刀口的切入点呈对角方位。本技术的有益效果主要表现在功率热点不集中，有效减少热点效...
【技术保护点】
１．一种氮化铝电阻，包括电阻本体，在所述电阻本体上开设调阻刀口，其特征在于：所述调阻刀口的横截面呈Ｕ字形，所述刀口角度为钝角，所述调阻刀口有两个，两个调阻刀口的切入点呈对角方位。
【技术特征摘要】
1. 一种氮化铝电阻，包括电阻本体，在所述电阻本体上开设调阻刀口，其特征在于所述调阻刀口...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹骥，彭海，
申请(专利权)人：杭州通测微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：86
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