【技术实现步骤摘要】
本专利技术的技术方案涉及有机发光二极管，具体地说是采用双层P型掺杂薄膜增强空穴注入的有机发光二极管。
技术介绍
在有机发光二极管中，光的产生来自电激发的紧束电子和空穴对的复合衰减。因此，有机发光二极管中空穴电流的大小直接决定了器件性能。如何增强空穴电流是当前进一步提高有机平板显示技术和白光照明技术必须要解决的一个重大课题。在有机发光二极管中，空穴电流的大小取决于空穴注入和传输两个过程。空穴注入过程是指空穴从正极注入到有机空穴传输层中，其效率决定于正极和有机空穴传输层界面处的肖特基势垒(空穴注入势垒)。使用高功函正极材料一般可以降低空穴注入势垒， 但是由于费米能级的钉扎作用，高功函正极和未掺杂的有机空穴传输层界面处的肖特基势垒一般不小于0. 5eV,因此，传统的空穴注入技术的空穴注入效率较差。但是，当使用P型掺杂有机材料作为空穴传输层时，空穴电流能够得到极大的提高，这是因为(I)P型掺杂有机材料可以在和正极的接触界面处形成很薄的耗尽层，空穴能够以隧穿的方式高效率注入到有机空穴传输层中；型掺杂有机材料的电导率很高，可以显著降低空穴传导过程中的欧姆损耗。目前，经常使用...
【技术保护点】
１．一种双Ｐ型掺杂层的有机发光二极管，其特征为该二极管是一种使用双层Ｐ型掺杂薄膜增强空穴注入的有机发光二极管，由玻璃衬底上的一层阳极、一层沉积在阳极上的有机Ｐ型掺杂空穴传输层、一层沉积在有机Ｐ型掺杂空穴传输层上的有机Ｐ型掺杂空穴传输辅助层、一层沉积在有机Ｐ型掺杂空穴传输辅助层上的有机空穴传输层、一层沉积在有机空穴传输层上的有机发光层，一层沉积在有机发光层上的电子注入层和沉积在电子注入层上的一层阴极组成。
【技术特征摘要】
1.一种双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为该二极管是一种使用双层P型掺杂薄膜增强空穴注入的有机发光二极管，由玻璃衬底上的一层阳极、一层沉积在阳极上的有机P型掺杂空穴传输层、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的有机P型掺杂空穴传输辅助层、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输辅助层上的有机空穴传输层、一层沉积在有机空穴传输层上的有机发光层，一层沉积在有机发光层上的电子注入层和沉积在电子注入层上的一层阴极组成。2.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述阳极是厚度为 IOOnm的导电氧化铟锡薄膜，或20nm厚的贵金属薄膜，所述的贵金属为金或银。3.如权利要求2所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述氧化铟锡导电薄膜的面电阻小于10欧姆/每4Xkm2方块。4.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述沉积在阳极上的有机P型掺杂空穴传输层的材料是在4，4'，4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺中掺杂2，3，5，6_四氟_7，7' ,8,8'-四氰二甲基对苯醌，其质量配比为4，4'，4〃 -三 (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺2，3，5，6-四氟-7，7' ,8,8'-四氰二甲基对苯醌=1 0. 01 0. 5 ；或在 N4，N4，N4' , N4'-四 0-甲氧基苯基)-[1，1 ‘-联苯]-4， 4' -二胺中掺杂2，3，5，6_四氟_7，7' ,8,8'-四氰二甲基对苯醌，其质量配比为N4，N4， N4'，N4'-四 G-甲氧基苯基)-[1，1'-联苯]_4，4' - 二胺2，3，5，6-四氟-7，7‘， 8,8'-四氰二甲基对苯醌=1 0.01 0.5。5.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述沉积在有机 P型掺杂空穴传输层上的有机P型掺杂空穴传输辅助层的材料是在4，4' -二 (9-咔唑) 联苯中掺杂三[1，2_ 二(三氟甲基)乙烷-1，2-二硫醇烯]钼，其质量配比为4，4' -二 (9-咔唑)联苯三[1，2_ 二(三氟甲基)乙烷-1，2-二硫醇烯]钼=1 0.01 0.5 ；或 4,4'，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺中掺杂三氧化钨，其质量配比为4，4'，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺三氧化钨=1 0. 01 0. 5。6.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述沉积在有机P 型掺杂空穴传输辅助层的有机空穴传输层的材料是4，4' -二(9-咔唑)联苯或4，4'， 4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺。7.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述沉积在有机空穴传输层的有机发光层的材料是三(8-羟基喹啉)铝(III)。8.如权利...
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