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高度取向直径可调ZnS纳米棒阵列的溶剂热制备方法技术

技术编号:6561041 阅读:212 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种高度取向直径可调ZnS纳米棒阵列的溶剂热制备方法,将锌片裁剪成长× 宽为30×8mm2的矩形片,用1500目的细砂纸打磨,放入10mL无水乙醇中,用功 率为250W、频率为40kHz的数控超声波清洗器超声波清洗两次,每次10~20分 钟,自然晾干;将质量浓度为80%的水合肼加入到具有聚四氟乙烯内衬的反应釜中, 加入硫脲,硫脲与水合肼的摩尔比为1∶114~302,搅拌均匀,预处理后的锌片横 立在反应釜的内衬中,密封反应釜,放入电热鼓风干燥箱中,加热到170~200℃ 反应2~13小时,自然冷却至室温,开启反应釜盖,取出锌片,用去离子水冲洗2~ 3次,再用无水乙醇冲洗2~3次,自然晾干,在Zn片上得到ZnS纳米棒阵列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属低维结构半导体光电子材料
,具^及到金属锌片上制备不 同直径ZnS纳米棒阵列的方法。
技术介绍
纳米材料具有不同于体材料的物理和化学性能,这些物理化学性能不仅取决于 材料的尺寸而且还与其形貌有关,同时不同形貌的纳米结构也是构建纳米器件的基 本基元。ZnS是一种非常重要的I1-VI族半导体材料,室温下它的带隙宽度为3. 72 eV(立方晶相),3.77 eV (六方晶相);.由于其独特的光电特性,在发光二极管、 激光器、平板显示器、红外窗口和场^l寸显示器等领,泛的应用。所以,近年来 人们采用各种物理化学方法,其中包括,热蒸发、化学气相沉积、金属有机化学气 相沉积以及湿化学法制备出了纳米线、纳米针、纳米带、纳米棒、纳米管和纳米锯 等纳米结构。然而,直立的ZnS纳米棒阵列的湿化学方法目前还是极具挑战的问题。 一维纳米棒阵列在纳米光电子器件,例如,发光二极管、激光器、红外窗口和 场发射显示器等具有巨大的潜在应用价值。王中林研究组首次采用两步热蒸发法在 CdSe/Si基质上生长出了垂直排列的六方相的ZnS纳米线束[J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 14372-14373]。随后李述汤研究组采用这种两步热蒸发的方法在ZnSWt带制 备出了六方相ZnS纳米线阵列[Adv. Mater. 2006, 18, 1527 - 1532 ],在CdS纳米 带上生长出六方相ZnS纳米线阵列[Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 0931271 - 0931273]。楚生元等人采用化学气相沉积法在覆盖有Au和ZnAc,的Si基质 生长六方相ZnS纳米线阵列[J. Cryst. Growth 2005, 280, 173 - 178]。 Biswas等 人金属锌与硫粉在400-500 t高温反应在锌基质上生长出了立方相的ZnS纳米列 [Cryst. Growth Des. 2008, 8, 2171-2176]。这种热蒸发和原位生长、法,反应温 度高、设备昂贵、操作复杂、耗能高、产割氏、重复性差。最近,俞书宏研究组采 用丁胺(乙胺或H^四乙二胺)-Zn(N03)2 6H20 -硫脲(Na2S 9恥)溶剂热体系 在180 。C反应12-72小时制备出了六方相ZnS纳米线阵列[Adv. Funct. Mater. 2007,17, 623-631]。 Shi liang ,道了通过调节Zn-S-tK合I^ H20体系的反应温度和 单质硫的浓度选择性生长出了ZnS纳米线,纳米管和纳米带阵列[Cryst. Growth Des. 2009, 9, 2214-2219]。然而上述方法所制备的ZnS线(棒)阵列,不是面积较小(微 米尺度)就是排列不整齐。大面积高度取向直径可调的ZnS纳米棒阵列湿化学法的 制备,至今国内外尚无文献报道和相关专利。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于克服,热蒸发、化学气相沉积和金属有机化 学气相沉积法等气相制备方法的缺点,提供一种操作简单、重复性好、育巨耗低、生 产成本低的。解决上述技术问题所采用的技术方案是由下述步骤制成-1、 锌片预处理将锌片裁剪成长X宽为30X8咖2的矩形片,用1500目的细砂纸打磨,放入 10 mL无水乙醇中,用功率为250 W、频率为40 kHz的数,声波清洗器超声波清 洗两次,每次10 20分钟,自然晾干。2、 制备ZnS纳米棒阵列将质量浓度为80%的水合肼加入到具有聚四氟乙烯内衬的反应釜中,质量浓度 为80%的水合肼的加入量为聚四氟乙烯'内衬容积的40%,加入硫脲,硫脲与水合 肼的摩尔比为1:.114 302,搅拌均匀,将预处理后的锌片横立在反应釜的内衬中, 密封反应釜,放入电热鼓风^P燥箱中,加热到170 200 。C反应2 13小时,自然 冷却至室温,开启反应釜盖,取出锌片,用去离子水冲洗2 3次,再用无水乙醇冲 洗2 3次,自然晾干,在Zn片上得到ZnS纳米棒阵列。在本专利技术的制备ZnS纳米棒阵列步骤2中,将质量浓度为80%的水合肼加入到 具有聚四氟乙烯内衬的反应釜中,再加入硫脲,硫脲与水合肼的优选摩尔比为1: 130 227,搅拌均匀,将预处理后的锌片横立在反应釜的内衬中,密封反应釜,放 入电热鼓风干燥箱中,,加热到170 190 °C,在反应时间2 13小时范围内, 随着反应时间的增加,所制备的ZnS纳米棒的直径逐步增大。在本专利技术的制备ZnS纳米棒阵列步骤2中,将质量浓度为80%的水合肼加入到 具有聚四氟乙烯内衬的反应釜中,再加入硫脲,硫脲与水合肼的最佳摩尔比为 1:151,搅拌均匀,将预处理后的锌片横立在反应釜的内衬中,密封反应釜,放入4电热鼓风千燥箱中,最佳加热到180'C,在反应时间2 13小时范围内,随着反应 时间的增加,所制备的ZnS纳米棒的直径逐步增大。本专利技术采用锌片作锌源,通过锌片与硫脲在水合肼溶液中反应,反应餅温和、 反应时间短、大面积制备高度取向ZnS纳米棒阵列的方法,纳米棒的直径可通过改 变反应时间来控制,调节反应时间和反应温度,在锌片表面上原位生长出大面积的、 不同直径的ZnS纳米棒阵列。本专利技术与现有的ZnS纳米棒阵列的气相制备方法相比, 具有工艺简单、设备成本低、重复性好、所制备的ZnS纳米棒阵列生长取向统一等 优点,可进入中间放大试验。这种直径可调的ZnS纳米棒阵列,可在发光二极管、 激光器、太阳能电池和场发射显示器等领域推广应用。附图说明图1是在180 'C反应5小时加入1. 5 raiol硫脲所制备的ZnS纳米棒阵列放大20000倍的扫描电镜照片。图2是在180 C反应5小时加入3 mmol硫脲所制备的ZnS纳米棒阵列放大5000倍的扫描电镜照片。图3是在180 °C反应5小时加入3 mmol硫脲所制备的ZnS纳米棒阵列放大20000倍的扫描电镜照片。图4是在180 。C反应5小时加入4 mmol硫脲所制备的ZnS纳米棒阵列放大20000倍的扫描电镜照片。图5是180 -C不反应制备的ZnS纳米棒阵列放大20000倍的扫描电镜照片。 图6是180 'C反应1小时制备的ZnS纳米棒阵列放大20000倍的扫描电镜照片。 图7中的a图是室温升到180 t:不反应戶賴lj备的ZnS纳米棒阵列的红外光谱图,b图是180 。C反应1小时制备的ZnS纳米棒阵列的红外光谱图。图8是180 C反应2小时制备的ZnS纳米棒阵列放大5000倍的扫描电镜照片。 图9是180 t反应2小时制备的ZnS纳米棒阵列放大20000倍的扫描电镜照片。 图1.0是180 T反应3小时制备的ZnS纳米棒阵列放大5000倍的扫描电镜照片。 图11是180'C反应3小时制备的ZnS纳米棒阵列放大20000倍的扫描电镜照片。 图12是18CTC反应7小时制备的ZnS纳米棒阵列放大5000倍的扫描电镜照片。 图13是18(TC反应7小时制备的ZnS纳米棒阵列放大20000倍的扫描电镜照片。 图14是18(TC反应10小B寸制备的ZnS纳米棒阵列放大5000倍的扫描电镜照片。图15是180。C反应10小时制备的ZnS纳米棒阵列放大20000倍的扫描电镜照片。图16是18(TC反应13小时制备的ZnS纳米本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种高度取向直径可调ZnS纳米棒阵列的溶剂热制备方法,其特征在于它是由下述步骤制成: (1)锌片预处理 将锌片裁剪成长×宽为30×8mm↑[2]的矩形片,用1500目的细砂纸打磨,放入10mL无水乙醇中,用功率为250W、频率为40kHz的数控超声波清洗器超声波清洗两次,每次10~20分钟,自然晾干; (2)制备ZnS纳米棒阵列 将质量浓度为80%的水合肼加入到具有聚四氟乙烯内衬的反应釜中,质量浓度为80%的水合肼的加入量为聚四氟乙烯内衬容积的40%,加入硫脲,硫脲与水合肼的摩尔比为1∶114~302,搅拌均匀,将预处理后的锌片横立在反应釜的内衬中,密封反应釜,放入电热鼓风干燥箱中,加热到170~200℃反应2~13小时,自然冷却至室温,开启反应釜盖,取出锌片,用去离子水冲洗2~3次,再用无水乙醇冲洗2~3次,自然晾干,在Zn片上得到ZnS纳米棒阵列。

【技术特征摘要】
1、一种高度取向直径可调ZnS纳米棒阵列的溶剂热制备方法,其特征在于它是由下述步骤制成(1)锌片预处理将锌片裁剪成长×宽为30×8mm2的矩形片,用1500目的细砂纸打磨,放入10mL无水乙醇中,用功率为250W、频率为40kHz的数控超声波清洗器超声波清洗两次,每次10~20分钟,自然晾干;(2)制备ZnS纳米棒阵列将质量浓度为80%的水合肼加入到具有聚四氟乙烯内衬的反应釜中,质量浓度为80%的水合肼的加入量为聚四氟乙烯内衬容积的40%,加入硫脲,硫脲与水合肼的摩尔比为1∶114~302,搅拌均匀,将预处理后的锌片横立在反应釜的内衬中,密封反应釜,放入电热鼓风干燥箱中,加热到170~200℃反应2~13小时,自然冷却至室温,开启反应釜盖,取出锌片,用去离子水冲洗2~3次,再用无水乙醇冲洗2~3次,自然晾干,在Zn片上得到Zn...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨合情王新悦张丽惠王学文余杰张丽娜田莎
申请(专利权)人:杨合情王新悦张丽惠王学文余杰张丽娜田莎
类型:发明
国别省市:87

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