【技术实现步骤摘要】
本专利技术属低维结构半导体光电子材料
,具^及到金属锌片上制备不 同直径ZnS纳米棒阵列的方法。
技术介绍
纳米材料具有不同于体材料的物理和化学性能,这些物理化学性能不仅取决于 材料的尺寸而且还与其形貌有关,同时不同形貌的纳米结构也是构建纳米器件的基 本基元。ZnS是一种非常重要的I1-VI族半导体材料,室温下它的带隙宽度为3. 72 eV(立方晶相),3.77 eV (六方晶相);.由于其独特的光电特性,在发光二极管、 激光器、平板显示器、红外窗口和场^l寸显示器等领,泛的应用。所以,近年来 人们采用各种物理化学方法,其中包括,热蒸发、化学气相沉积、金属有机化学气 相沉积以及湿化学法制备出了纳米线、纳米针、纳米带、纳米棒、纳米管和纳米锯 等纳米结构。然而,直立的ZnS纳米棒阵列的湿化学方法目前还是极具挑战的问题。 一维纳米棒阵列在纳米光电子器件,例如,发光二极管、激光器、红外窗口和 场发射显示器等具有巨大的潜在应用价值。王中林研究组首次采用两步热蒸发法在 CdSe/Si基质上生长出了垂直排列的六方相的ZnS纳米线束[J. Am. Chem. Soc. ...
【技术保护点】
一种高度取向直径可调ZnS纳米棒阵列的溶剂热制备方法,其特征在于它是由下述步骤制成: (1)锌片预处理 将锌片裁剪成长×宽为30×8mm↑[2]的矩形片,用1500目的细砂纸打磨,放入10mL无水乙醇中,用功率为250W、频率为40kHz的数控超声波清洗器超声波清洗两次,每次10~20分钟,自然晾干; (2)制备ZnS纳米棒阵列 将质量浓度为80%的水合肼加入到具有聚四氟乙烯内衬的反应釜中,质量浓度为80%的水合肼的加入量为聚四氟乙烯内衬容积的40%,加入硫脲,硫脲与水合肼的摩尔比为1∶114~302,搅拌均匀,将预处理后的锌片横立在反应釜的内衬中,密封反应釜,放入电热鼓风 ...
【技术特征摘要】
1、一种高度取向直径可调ZnS纳米棒阵列的溶剂热制备方法,其特征在于它是由下述步骤制成(1)锌片预处理将锌片裁剪成长×宽为30×8mm2的矩形片,用1500目的细砂纸打磨,放入10mL无水乙醇中,用功率为250W、频率为40kHz的数控超声波清洗器超声波清洗两次,每次10~20分钟,自然晾干;(2)制备ZnS纳米棒阵列将质量浓度为80%的水合肼加入到具有聚四氟乙烯内衬的反应釜中,质量浓度为80%的水合肼的加入量为聚四氟乙烯内衬容积的40%,加入硫脲,硫脲与水合肼的摩尔比为1∶114~302,搅拌均匀,将预处理后的锌片横立在反应釜的内衬中,密封反应釜,放入电热鼓风干燥箱中,加热到170~200℃反应2~13小时,自然冷却至室温,开启反应釜盖,取出锌片,用去离子水冲洗2~3次,再用无水乙醇冲洗2~3次,自然晾干,在Zn片上得到Zn...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨合情,王新悦,张丽惠,王学文,余杰,张丽娜,田莎,
申请(专利权)人:杨合情,王新悦,张丽惠,王学文,余杰,张丽娜,田莎,
类型:发明
国别省市:87
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