一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的第一封装体，该第一封装体包括一出光面，该出光面上开设若干凹陷，于该凹陷内填充第二封装体，该出光面未开设凹陷部分设置由第二封装体的材料制成的若干凸起，凹陷与凸起呈相间排列。与现有技术相比，本发明专利技术的第一封装体的出光面上设置凹凸相间的第二封装体，可降低全反射效应，增加光取出率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管，特别是涉及一种发光二极管的封装改良结构。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有环保、亮度高、省电、寿命长等诸多 特点，将渐渐成为主要照明光源。然，LED发出的光线于发光二极管的封装体与外界空气的 界面容易发生全反射，使得发光二极管出光不均匀。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种出光均匀的发光二极管。 —种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的第 一封装体，该第一封装体包括一出光面，该出光面上开设若干凹陷，于该凹陷内填充第二封 装体，该出光面未开设凹陷部分设置由第二封装体的材料制成的若干凸起，凹陷与凸起呈 相间排列。 与现有技术相比，本专利技术的第一封装体的出光面上设置凹凸相间的第二封装体， 可降低全反射效应，增加光取出率。附图说明 图1为本专利技术的发光二极管的一较佳实施例的剖面示意图。 具体实施例方式如图1所示，发光二极管包括一基座10、一发光二极管晶粒20及第一封装体30。 基座10包括相对设置的上表面11及下表面12。基座10的中央开设有一盲孔13，基座10 于盲孔13的外围形成一内壁面131，基座10于盲孔13的底部形成一底面132。该盲孔13 提供发光二极管晶粒20及第一封装体30的容置空间，其上宽下窄，基座10的内壁面131 自上表面11向底面132方向并沿径向向内倾斜，相互隔开的第一导电柱24及第二导电柱 25分别由基座10的底面132向下开设并贯通基座10，即第一导电柱24及第二导电柱25 分别自底面132贯通至下表面22。相互隔开的第一内电极28及第二内电极29设置于底 面132，相互绝缘的第一外电极26及第二外电极27设置于下表面12上，第一内电极28及 第一外电极26分别位于第一导电柱24的二端并通过第一导电柱24电连接，第二内电极29 及第二外电极27分别位于第二导电柱25的二端并通过第二导电柱25电连接。 发光二极管晶粒20固设于基座10的底面132且位于基座10的中心，发光二极管 晶粒20包括第一电极21及第二电极22，第一电极21通过导线4与基座10的第一内电极 28电连接，第二电极22固设于基座10的第二内电极29电连接。 第一封装体30由透光材料制成，如环氧树脂、硅胶、压克力等。该第一封装体30 包覆于发光二极管晶粒20的外围。该第一封装体30的顶端为出光面31，该出光面31为平面，发光二极管晶粒20发出的光线由出光面31射向外界空气中。 出光面31上开设若干凹陷32，凹陷32内填充第二封装体，出光面31上未开设凹 陷32的部分设置若干由第二封装体的材料制成的凸起33，凹陷32与凸起33呈相间排列， 使得出光面31呈凹凸不平状。第二封装体的折射率小于第一封装体30的折射率而大于 空气的折射率，第一封装体30及第二封装体均由透光材料制成，如环氧树脂、硅胶、压克力 等。可通过向第一封装体30及第二封装体内参杂不同浓度的高折射率纳米粒子或分子团 以改变折射率，纳米粒子可为氧化钛、氧化钽及氧化硅，分子团可为酚类等。在本实施例中， 第一封装体30及第二封装体中均参杂氧化钛，且第一封装体30中氧化钛的浓度大于第二 封装体中氧化钛的浓度，从而第一封装体30的折射率大于第二封装体的折射率。进一步而 言，凸起33内还参杂荧光粉。 —方面，第一封装体30的出光面31由于呈凹凸不平状结构，进而减少全反射，使 得更多光线从第一封装体30的出光面31射出，增加出光面积及出光效率；另一方面，第二 封装体的折射率介于第一封装体30及外界空气的折射率之间，则第二封装体与外界空气 之间折射率差值较少，减少第二封装体与外界空气的界面出现全反射的概率。权利要求一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的第一封装体，其特征在于，该第一封装体包括一出光面，该出光面上开设若干凹陷，于该凹陷内填充第二封装体，该出光面未开设凹陷部分设置由第二封装体的材料制成的若干凸起，凹陷与凸起呈相间排列。2. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，第二封装体的折射率小于第一封装体的折射率而大于空气的折射率。3. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该凸起内参杂荧光粉。4. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，第一封装体及第二封装体内均参杂高折射率纳米粒子。5. 根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，该纳米粒子为氧化钛、氧化钽及氧化硅中一种。6. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，第一封装体及第二封装体内参杂高折射率分子团。7. 根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，该分子团为酚类。8. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括一基座，该基座的中央开设有一盲孔，发光二极管晶粒及第一封装体设置在该盲孔中。9. 根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该出光面为平面。全文摘要一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的第一封装体，该第一封装体包括一出光面，该出光面上开设若干凹陷，于该凹陷内填充第二封装体，该出光面未开设凹陷部分设置由第二封装体的材料制成的若干凸起，凹陷与凸起呈相间排列。与现有技术相比，本专利技术的第一封装体的出光面上设置凹凸相间的第二封装体，可降低全反射效应，增加光取出率。文档编号H01L33/00GK101740680SQ20081030569公开日2010年6月16日 申请日期2008年11月21日 优先权日2008年11月21日专利技术者张家寿 申请人:富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的第一封装体，其特征在于，该第一封装体包括一出光面，该出光面上开设若干凹陷，于该凹陷内填充第二封装体，该出光面未开设凹陷部分设置由第二封装体的材料制成的若干凸起，凹陷与凸起呈相间排列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张家寿，
申请(专利权)人：富准精密工业深圳有限公司，鸿准精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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