透明导电叠层体及其制造方法技术

本发明专利技术涉及透明导电叠层体及其制造方法，本发明专利技术一实施例的透明导电叠层体包含一有机聚合物的透明基材、一色差调整层及一透明导电的铟锡氧化物层。该色差调整层形成于该透明基材表面，其折射率在1.4～1.8之间及厚度为1～100nm。该透明导电的铟锡氧化物层是于室温至80℃的温度范围条件下形成于该色差调整层表面，其厚度为5～80nm，又其构成元素铟(In)及锡(Sn)的比例需满足重量百分比关系：Sn/(Sn+In)＝0.5％～7％。且该透明导电叠层体的电子能隙大于3.6eV。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种透明导电叠层体与其制造方法，特别涉及一种包含金属氧化物层的透明导电叠层体与其制造方法。
技术介绍
随着信息及电子技术的快速进步，人们所使用的3C电子产品都往轻、薄、短、小的趋势发展。目前触控面板已成为一项不可或缺的输入装置，可以直接的操作方法完成指令输入与功能操作，因此改变人与3C电子产品间的互动方式，从而越来越普遍应用至各种3C 电子产品。它是目前最易于使用而又特别适于多媒体信息查询的输入装置，简言之，触控面板具有坚固耐用、反应速度快、节省空间及易于操作等许多优点。依目前触控式面板的工作原理和传输信息的介质分类，可将其分为电阻式、电容式、红外线式及表面声波式，其中以电阻式触控面板为市场最广泛应用。而电容式触控面板具有多点式输入的特色，使用者可以手指同时在触控面板屏幕上输入指令与图形操控，已成为触控面板近来的主流产品。而电阻式与电容式的触控面板皆需要有透明导电氧化物 (transparent conductiveoxide ；TC0)层来产生触控动作的感应讯号，大部分的透明导电氧化物层的材料是以氧化铟锡andium Tin Oxide ；IT0)为主。电阻式触控面板的主要结构是以两个分别具透明导电氧化物层的基材与设于中间的间隔颗粒(spacer)所构成，再者，基于工作原理的需要，触控面板是通过手指触碰受压变形而达到操控的功能。因此，触控面板上具透明导电氧化物层的基材材料的选用受到限制，亦即需要使用可挠性的透明有机聚合物为基材的材料，该具透明导电氧化物层的基材或可称为透明导电叠层体。一般该可挠性透明导电叠层体包含聚对苯二甲酸乙二酯 (polyethyleneterephthalate ；PET)的塑料基板与透明导电氧化物层。透明导电氧化物层的光学性质与本身结晶性有着密切关系，随着工艺温度升高， 可以促进透明导电氧化物层的结晶程度越完全，同时光线透过率明显升高，电阻值也可以大幅度降低。一般在镀层温度达到380°C附近时，光线透过率达到最高。若透明导电氧化物层是镀在传统玻璃基材上，则因为玻璃基材的耐热变形温度可以在1，000°C左右， 因此380°C的镀层工艺温度对于玻璃基材不产生任何影响。相对地，若透明导电氧化物层是镀在塑料基材上，则透明导电氧化物层会受限于塑料基材的玻璃转换温度Tg(glaSS transienttemperature)值而无法进行高温工艺。由于透明导电氧化物层的形成温度受限， 故造成膜层的结晶度较差、光线透过率低、电阻的阻值偏高且性质不稳定，以及耐环境特性不足等缺点。另外，为改善透明导电氧化物层穿透性不佳的问题，一般是采多层光学膜设计达到低反射的效果，由于这些膜层利用光学干涉作用进而提升穿透度。这些光学膜不仅镀膜层数多(例如美国专利第5，326，552号有6个膜层)及各层的材料也不完全相同，且须将各膜厚精准控制在一定范围内，故在真空镀膜设备成本投入与工艺能力控制需要花费相当大的代价。而低反射多层膜设计另外一个缺点则是当透明导电叠层体在酸蚀刻过程制作图案化的透明电极，其上透明导电氧化物层经过蚀刻后，蚀刻去除区域与未蚀刻部分的透明电极在透光率上有显著差异性。亦即，特别是应用在电容式触控面板时，未蚀刻部分将会明显呈现的电极图案，势将造成触控面板的视觉上感到有多余的图像。综上所述，触控面板产业实需要提出透明导电叠层体更佳的制造工艺及结构，以解决上述可挠性透明导电叠层体所遭遇的问题。
技术实现思路
本专利技术揭示一种透明导电叠层体与其制造方法，其采低温工艺技术形成透明导电氧化物层，通过靶材比例控制、镀膜前真空度与水气控制，所形成的透明导电叠层体上透明导电叠层有较高的电子能隙，并具有光线透过率高及电阻的阻值低等优点。由于本专利技术采低温工艺技术，故适于应用于以整卷可挠性透明有机聚合物为基材的连续量产制造，减少高温时拉力容易造成基材永久变形的问题。本专利技术揭示一种透明导电叠层体与其制造方法，其是于透明导电氧化物层上形成一色差调整层，而后再形成一透明导电叠层体。由于该色差调整层可以使通过的穿透光谱往低波长方向移动，减少低波长的反射，从而降低透明导电叠层体的视觉上光线黄化现象， 故该透明导电叠层体经过蚀刻后的未去除区域的边界就非常不容易被察觉。本专利技术的一个实施方式揭示一种透明导电叠层体，其包含一有机聚合物的透明基材、一色差调整层及一透明导电的铟锡氧化物层。该色差调整层形成于该透明基材表面，其折射率在1. 4 1. 8之间及厚度为1 lOOnm。该透明导电的铟锡氧化物层是于室温至80°C 的温度范围条件下形成于该色差调整层表面，其厚度为5 80nm，又其构成元素铟(In)及锡(Sn)的比例需满足重量百分比关系Sn/(Sn+L·!) =0.5% 7%。故可形成一高能阶的透明导电叠层体，该透明导电叠层体的电子能隙大于3. 6eV。本专利技术一个实施方式的该透明导电的铟锡氧化物层是控制于室温至80°C的范围内形成于该透明基材表面，其较佳的温度范围介于40°C至80°C。本专利技术一个实施方式的该色差调整层为金属氧化物。本专利技术的一个实施方式揭示一种透明导电叠层体的制造方法，包含步骤如下提供一有机聚合物的透明基材；于该透明基材上形成一折射率在1. 4 1. 8之间及厚度为 1 IOOnm的色差调整层；以及使用包含锡及铟的靶材，并于室温至80°C的范围内在该色差调整层上形成一透明导电的铟锡氧化物层；其中该靶材内铟及锡的比例需满足重量百分比关系Sn/(Sn+L·!) = 0. 5% 7%，又该透明导电的铟锡氧化物层的厚度为5 80nm，及该透明导电叠层体的电子能隙大于3. 6eV。该透明导电的铟锡氧化物层形成时所在的腔室是维持真空度低于5X10_6tOrr，其较佳的真空度范围低于2X 10_6torr。上文已经概略地叙述本专利技术的技术特征及优点，使下文的本专利技术详细描述得以获得较佳了解。构成本专利技术的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本专利技术所属
的技术人员应可了解，下文揭示的概念与特定实施例可作为基础而相当轻易地予以修改或设计其它结构或工艺而实现与本专利技术相同的目的。本专利技术所属
的技术人员亦应可了解，这类等效的建构并无法脱离权利要求所提出的本专利技术的精神和范围。附图说明图1为本专利技术一实施例的透明导电叠层体的剖面示意图；图2为本专利技术一实施例的透明导电叠层体的制造方法的流程图；及图3为本专利技术的透明导电叠层体上铟锡氧化物层经图案化的俯视图。主要元件标记说明10透明导电叠层体11透明基材12色差调整层13铟锡氧化物层30透明导电叠层体31透明基材32色差调整层33铟锡氧化物层具体实施例方式图1例示本专利技术一实施例的透明导电叠层体的剖面示意图。一透明导电叠层体10 包含一有机聚合物的透明基材11、一色差调整层12及一透明导电的铟锡氧化物层13。该色差调整层12形成于该透明基材表面，其折射率为1. 4 1. 8之间及厚度为1 lOOnm。 又该色差调整层12的材料可以是透明无机材料或透明金属氧化物，例如Si02、SiA102。该透明导电的铟锡氧化物层13形成于该色差调整层12表面，其厚度为5 80nm，又其构成元素铟(In)及锡(Sn)的比例需满足重量百分比关系:Sn/(Sn+In) = 0. 7%，较佳地是铟本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种透明导电叠层体，其特征在于，包含：一有机聚合物构成的透明基材；一色差调整层，设于该透明基材表面，其折射率在１．４～１．８之间及厚度为１～１００ｎｍ；以及一透明导电的铟锡氧化物层，设于该色差调整层表面，该透明导电的铟锡氧化物层的厚度介于１０～５０ｎｍ，又其构成元素铟及锡的比例需满足重量百分比关系：Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｉｎ）＝０．５％～７％；其中该透明导电叠层体的电子能隙大于３．６ｅＶ。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电叠层体，其特征在于，包含一有机聚合物构成的透明基材；一色差调整层，设于该透明基材表面，其折射率在1. 4 1. 8之间及厚度为1 IOOnm ；以及一透明导电的铟锡氧化物层，设于该色差调整层表面，该透明导电的铟锡氧化物层的厚度介于10 50nm，又其构成元素铟及锡的比例需满足重量百分比关系Sn/(Sn+h)= 0. 5% % ；其中该透明导电叠层体的电子能隙大于3. 6eV。2.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该透明导电的铟锡氧化物层是于室温至80°C的范围内形成于该透明基材表面。3.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该透明导电的铟锡氧化物层是于40°C至80°C的范围内形成于该透明基材表面。4.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该透明导电的铟锡氧化物层包含锡掺杂。5.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该有机聚合物选自聚对苯二甲酸乙二酯、芳香族聚酯、聚醚砜、聚萘二甲酸二乙酯或聚碳酸酯高分子。6.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该透明导电叠层体的电子能隙大于3. 9eV。7.根据权利要求1所述的透明导电叠层体，其特征在于，该色差调整层为金属氧化物。8.根据权利要求7所述的透明导电叠层体，其特征在于，该金属氧化物为SiO2或 SiA102。9.权利要求1 8任意一项所述的透明导电叠层体的制造方法，其特征在于，包含步骤如下提供一有机聚合物构成的透明基材；于该有机聚合物构成的透明基材上形成一折射率在1. 4 1. 8之间及厚度为1 IOOnm的色差调整层；以及使用包含锡及铟的靶材，并于室温至80°C的范围内在该色差...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炫达，徐明鸿，赖俊光，
申请(专利权)人：联享光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71