抗反射图像传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种抗反射图像传感器。提供了抗反射图像传感器及制造方法，该传感器包括：衬底；第一颜色传感像素，设置在衬底中；第二颜色传感像素，设置在衬底中；第三颜色传感像素，设置在衬底中；第一层，直接设置在第一、第二和第三颜色传感像素上；第二层，直接设置在第一层上覆盖第一、第二和第三颜色传感像素；以及第三层，直接设置在第二层的部分上覆盖第一或第二颜色传感像素的至少之一，其中第一层具有第一折射率，第二层具有大于第一折射率的第二折射率，第三层具有大于第二折射率的第三折射率。

【技术实现步骤摘要】

本公开总地涉及图像传感器，更具体地涉及具有抗反射层的图像传感器。
技术介绍
图像传感器已经普遍存在。它们广泛用于数字照相机、便携式电话、安全照相机、医学、汽车及其它应用中。然而，随着像素变小，能接收入射光的表面面积也减小，在光电二极管处的反射变成入射光损失的主要起因之一，这导致光电二极管响应度和量子效率的减小。
技术实现思路
本公开教导了具有抗反射层的图像传感器及其制造方法。提供了示范性实施例。提供了示范性实施例的抗反射图像传感器，该抗反射图像传感器包括：衬底；多个第一颜色传感像素，设置在衬底中；多个第二颜色传感像素，设置在衬底中；多个第三颜色传感像素，设置在衬底中；第一层，直接设置在多个第一、第二和第三颜色传感像素上；第二层，直接设置在第一层上覆盖多个第一、第二和第三颜色传感像素；以及第三层，直接设置在第二层的部分上覆盖多个第一和第二颜色传感像素的至少一种，其中第一层具有第一折射率，第二层具有大于第一折射率的第二折射率，第三层具有大于第二折射率的第三折射率。提供了另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一颜色是红色，第二颜色是绿色，第三颜色是蓝色。提供了另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一颜色是品红色，第二颜色是黄色，第三颜色是青色。提供了另一示范性实施例抗反射图像传感器，其中第一层包括SiO2，第二层包括Si3N4，第三层包括TiO2或热处理的SiON。提供了另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一层具有在约1.45至约1.50之间的折射率，第二层具有在约1.95至约2.05之间的折射率。提供了另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一层具有约15nm的厚度，第二层具有约7nm的厚度，第三层具有约15nm的厚度。提供了另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一层是栅电介质层或绝缘层。提供又一示范性实施例的抗反射图像传感器，还包括设置在暴露的第二层和第三层上的第四层，第四层包括与第二层相同的材料。提供了另一示范性实施例图像传感器，还包括：第一层间电介质区，设置在传感器阵列区中的第二层和第三层上；以及第二层间电介质区，设置在周边电路区中，其中第一层间电介质区的顶部低于第二层间电介质区的顶部。提供了另一示范性实施例的图像传感器，还包括：第一层间电介质区，设置在传感器阵列区中第一层下面；以及至少一个微透镜，设置在第一层上方用于背侧照射。提供另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第三层分别设置在全部第一-->颜色传感像素上或全部第二颜色传感像素上以及设置在第一和第二颜色传感像素中另一种的一些上。提供再一示范性实施例的抗反射图像传感器，包括：衬底；第一颜色传感像素，设置在衬底中；第一层，直接设置在第一颜色传感像素上；第二层，直接设置在第一层上覆盖第一颜色传感像素；以及第三层，直接设置在第二层上覆盖第一颜色传感像素，其中第一层包括硅氧化物，第二层包括硅氮化物，第三层包括热处理的硅氧氮化物。提供另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一颜色是红色。提供另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一层是SiO2，第二层是Si3N4，第三层是热处理的SiON。提供另一示范性实施例的抗反射图像传感器，还包括：第二颜色传感像素，设置在衬底中；第三颜色传感像素，设置在衬底中；第一层，直接设置在第一、第二和第三颜色传感像素上；第二层，直接设置在第一层上覆盖第一、第二和第三颜色传感像素；以及第三层，直接设置在第二层的部分上覆盖第一和第二颜色传感像素的至少一种，其中第一层具有第一折射率，第二层具有大于第一折射率的第二折射率，第三层具有大于第二折射率的第三折射率。提供又一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一颜色是红色，第二颜色是绿色，第三颜色是蓝色。提供了另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一颜色是品红色，第二颜色是黄色，第三颜色是青色。提供了另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一层包括SiO2，第二层包括Si3N4，第三层包括热处理的SiON。提供了另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一层具有在约1.45至约1.50之间的折射率，第二层具有在约1.95至约2.05之间的折射率。提供了另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一层具有约15nm的厚度，第二层具有约7nm的厚度，第三层具有约15nm的厚度。提供了另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第一层是栅电介质层或绝缘层。提供另一示范性实施例的抗反射图像传感器，还包括设置在暴露的第二层和第三层上的第四层，第四层包括与第二层相同的材料。提供了另一示范性实施例图像传感器，还包括：第一层间电介质区，设置在传感器阵列区中的第二层和第三层上；以及第二层间电介质区，设置在周边电路区中，其中第一层间电介质区的顶部低于第二层间电介质区的顶部。提供了另一示范性实施例的图像传感器，还包括：第一层间电介质区，设置在传感器阵列区中第一层下面；以及至少一个微透镜，设置在第一层上方用于背侧照射。提供另一示范性实施例的抗反射图像传感器，其中第三层分别设置在全部第一颜色传感像素上或全部第二颜色传感像素上以及设置在第一或第二颜色传感像素中另一种的一些上。提供了形成抗反射图像传感器的示范性实施例方法，包括：分别在衬底中形成多个第一、第二和第三颜色传感像素；沉积第一层，该第一层直接设置在多个第一、第二和第三颜色传感像素上；沉积第二层，该第二层直接设置在第一层上覆盖多个第一、第二和第三颜色传感像素；以及沉积第三层，该第三层直接设置在第二层的部分上覆盖-->多个第一和第二颜色传感像素的至少一种，其中第一层具有第一折射率，第二层具有大于第一折射率的第二折射率，第三层具有大于第二折射率的第三折射率。提供形成抗反射图像传感器的另一示范性实施例方法，其中第一颜色是红色，第二颜色是绿色，第三颜色是蓝色。提供形成抗反射图像传感器的另一示范性实施例方法，其中第一颜色是品红色，第二颜色是黄色，第三颜色是青色。提供形成抗反射图像传感器的又一示范性实施例方法，其中第一层包括SiO2，第二层包括Si3N4，第三层包括TiO2或热处理的SiON。提供形成抗反射图像传感器的另一示范性实施例方法，其中第一层具有在约1.45至约1.50之间的折射率，第二层具有在约1.95至约2.05之间的折射率。提供形成抗反射图像传感器的另一示范性实施例方法，其中第一层具有约15nm的厚度，第二层具有约7nm的厚度，第三层具有约15nm的厚度。提供形成抗反射图像传感器的另一示范性实施例方法，其中第一层是栅电介质层或绝缘层。提供了形成抗反射图像传感器的另一示范性实施例方法，还包括在暴露的第二层和第三层上形成第四层，第四层包括与第二层相同的材料。提供了形成抗反射图像传感器的另一示范性实施例的方法，还包括：在传感器阵列区中的第二层和第三层上形成第一层间电介质区；以及在周边电路区中形成第二层间电介质区，其中第一层间电介质区的顶部低于第二层间电介质区的顶部。提供了形成抗反射图像传感器的再一示范性实施例方法，还包括：在传感器阵列区中在第一层下面形成第一层间电介质区；以及在第二层和第三层上方形成至少一个微透镜，用于背侧照射。提供了形成抗反射图像传感器的另一示范性实施例方法，其中第三层分别地设置在全部第一颜色传感像素上或全部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗反射图像传感器，包括：衬底；多个第一颜色传感像素，设置在所述衬底中；多个第二颜色传感像素，设置在所述衬底中；多个第三颜色传感像素，设置在所述衬底中；第一层，直接设置在所述多个第一、第二和第三颜色传感像素上；第二层，直接设置在所述第一层上覆盖所述多个第一、第二和第三颜色传感像素；以及第三层，直接设置在所述第二层的部分上覆盖所述多个第一和第二颜色传感像素的至少一种，其中所述第一层具有第一折射率，所述第二层具有大于所述第一折射率的第二折射率，所述第三层具有大于所述第二折射率的第三折射率。

【技术特征摘要】
KR 2009-9-9 84719/091.一种抗反射图像传感器，包括：衬底；多个第一颜色传感像素，设置在所述衬底中；多个第二颜色传感像素，设置在所述衬底中；多个第三颜色传感像素，设置在所述衬底中；第一层，直接设置在所述多个第一、第二和第三颜色传感像素上；第二层，直接设置在所述第一层上覆盖所述多个第一、第二和第三颜色传感像素；以及第三层，直接设置在所述第二层的部分上覆盖所述多个第一和第二颜色传感像素的至少一种，其中所述第一层具有第一折射率，所述第二层具有大于所述第一折射率的第二折射率，所述第三层具有大于所述第二折射率的第三折射率。2.如权利要求1所述的抗反射图像传感器，其中所述第一颜色是红色，所述第二颜色是绿色，所述第三颜色是蓝色。3.如权利要求1所述的抗反射图像传感器，其中所述第一颜色是品红色，所述第二颜色是黄色，所述第三颜色是青色。4.如权利要求1所述的抗反射图像传感器，其中所述第一层包括SiO2，所述第二层包括Si3N4，所述第三层包括TiO2或热处理的SiON。5.如权利要求1所述的抗反射图像传感器，其中所述第一层具有在1.45至1.50之间的折射率，所述第二层具有在1.95至2.05之间的折射率。6.如权利要求1所述的抗反射图像传感器，其中所述第一层具有15nm的厚度，所述第二层具有7nm的厚度，所述第三层具有15nm的厚度。7.如权利要求1所述的抗反射图像传感器，其中所述第一层是栅电介质层或绝缘层。8.如权利要求1所述的抗反射图像传感器，还包括在暴露的所述第二层和所述第三层上设置的第四层，所述第四层包括与所述第二层相同的材料。9.如权利要求1所述的抗反射图像传感器，还包括：第一层间电介质区，设置在传感器阵列区中的所述第二层和所述第三层上；以及第二层间电介质区，设置在周边电路区中，其中所述第一层间电介质区的顶部低于所述第二层间电介质区的顶部。10.如权利要求1所述的抗反射图像传感器，还包括：第一层间电介质区，在传感器阵列区中设置在所述第一层下面；以及至少一个微透镜，设置在所述第一层上方用于背侧照射。11.如权利要求1所述的抗反射图像传感器，其中所述第三层分别设置在全部所述第一颜色传感像素上或全部第二颜色传感像素上以及设置在所述第一颜色传感像素和第二颜色传感像素中另一种的一些上。12.一种抗反射图像传感器，包括：衬底；第一颜色传感像素，设置在所述衬底中；第一层，直接设置在所述第一颜色传感像素上；第二层，直接设置在覆盖所述第一颜色传感像素的第一层上；以及第三层，直接设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：李廷好，郑相日，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]