固态摄像装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种固态摄像装置及其制造方法。该固态摄像装置具有光敏二极管，该光敏二极管的每一个都包括：Ｎ－型区域，形成在半导体基板中；第一碳化硅层，形成在Ｎ－型区域之上；以及Ｐ－型区域，包括形成在第一碳化硅层之上的第一硅层且掺杂有硼。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固态摄像装置(solide-state image pickup device)及其制造工艺。
技术介绍
对于固态摄像装置，通常采用电极和配线形成在基板的表面上的前面照明结构， 其中形成光电转换部分且允许光从电极和配线之上进入。在固态摄像装置，如利用硅基板 作为基板的CCD (电荷耦合装置)和CMOS (互补金属氧化物半导体)传感器中，作为摄像传 感器的光电转换部分近年来采用埋入结构来减少噪声。图8示出了前面照明结构的固态摄像装置的截面图。如图8所示，固态摄像装置100是具有前面照明结构的CMOS固态摄像装置。每个像素的光接收传感器部分具有所谓“HAD (Hole AccumulationDiode，空穴累 积二极管)结构”，具体地，该结构为P-型杂质注入光接收传感器部分的表面中，以钉扎过 剩的电子。通过该HAD结构，实现了白点和暗电流的减少。每个光接收传感器部分具有这样的构造，光敏二极管PD形成在硅基板101中，多 层配线层103经由层间绝缘膜102设置在硅基板101上，此外，滤色器104和透镜105设置 在配线层103上面的上层中。入射光L穿过透镜105、滤色器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有光敏二极管的固态摄像装置，其中该光敏二极管的每一个都包括：Ｎ－型区域，形成在半导体基板中；第一碳化硅层，形成在该Ｎ－型区域之上；以及Ｐ－型区域，包括形成在该第一碳化硅层之上的第一硅层且掺杂有硼。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大地朋和，宫波勇树，荒川伸一，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]