本实用新型专利技术是一种发光二极管支架改良结构，包含至少二支架以及胶座，至少二支架分别具有埋入部以及延伸部，埋入部的底面周围设有第一增强部，以及埋入部设有第二增强部；自胶座的上表面凹设凹陷部，埋入部是被埋入于胶座内，且第一增强部以及第二增强部与胶座形成固接，埋入部的顶面部分暴露于凹陷部，埋入部的底面部分暴露于胶座的下表面，延伸部延伸于胶座之外以形成电性连接部。在支架埋入部的底面周围设有第一增强部，以及埋入部设有第二增强部，即可通过埋入于胶座中的第一增强部以及第二增强部，达成增强支架与胶座间的固定力，防止水气进一步渗入以及提高散热效率的技术功效。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
一种支架改良结构，尤其是指一种通过埋入于胶座中的第一增强部以及第二增强部，达到增强支架与胶座间的固定力，防止水气进一步渗入以及提高散热效率的发光二极管支架改良结构。
技术介绍
近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、适合量产，因此发光二极管已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上，如行动电话及个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车灯等。通常发光二极管芯片是通过表面黏贴技术(Surface Mount Device，SMD)或是覆晶接合技术(flip chip bonding)固接于具有凹陷部的胶座内的支架上，请参考图1所示，图1绘示为现有的发光二极管支架结构的发光二极管芯片配置侧视剖面示意图。在具有凹陷部72的胶座71中，埋入有至少二支架73，各支架73部分是分别暴露在胶座71的凹陷部72内，并且各个支架73部分分别延伸出胶座71的两侧，即可形成电性连接部74，通过电性连接部74以便于与其它电子装置(图式中未绘示)电性连接。接着，再通过表面黏贴技术将发光二极管芯片75固接于暴露在胶座71的凹陷部72内支架73其中之一，以及通过打线接合技术或是覆晶接合技术使发光二极管芯片75可以通过电性导线76与另一支架73形成电性连接，最后，再于胶座71的凹陷部72上形成封装胶体77，封装胶体77即可以覆盖于凹陷部72内的发光二极管芯片75及支架73。现有的发光二极管支架结构仅为将支架73埋入于胶座71中，通过支架73与胶座71彼此之间的阻力，来将支架73进行固定，但是由于支架73与胶座71彼此之间的阻力会有一定的极限，在遇到外力的影响时，当外力大于支架73与胶座71彼此之间的阻力，即会造成支架73脱落于胶座71。另外，现有的发光二极管支架结构在用于具有水气的环境时，水气会逐渐的渗入于胶座71中，并无特殊的设计以防止水气的进一步渗入，当水气渗入进一步至胶座71的凹陷部72时，水气则会对发光二极管芯片75造成影响，会使得发光二极管芯片75发光效率下降，甚至会造成发光二极管芯片75的损坏。另外，现有的发光二极管支架结构在发光二极管芯片75的散热上，仅能通过延伸支架73部分分别延伸出胶座71的部分进行散热，这种散热效率是比较差的，并无法适用于高功率的发光二极管芯片75，势必需要对现有的发光二极管支架结构进行改良，用以改善散热的问题。综上所述，可知
技术介绍
中长期以来一直存在现有的发光二极管支架结构支架与胶座固定力不足，无法防止水气进一步渗入，以及散热效率不佳的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。-->
技术实现思路
有鉴于
技术介绍
存在现有的发光二极管支架结构支架与胶座固定力不足，无法防止水气进一步渗入，以及散热效率不佳的问题，本技术遂揭露一种发光二极管支架改良结构，其中：本技术所揭露的发光二极管支架改良结构，其包含：至少二支架以及胶座。至少二支架分别具有埋入部以及延伸部，埋入部的底面周围设有第一增强部，以及埋入部设有第二增强部；自胶座的上表面凹设凹陷部，埋入部是被埋入于胶座内，且第一增强部以及第二增强部与胶座形成固接，埋入部的顶面部分暴露于凹陷部，埋入部的底面部分暴露于胶座的下表面，延伸部延伸于胶座之外以形成电性连接部。如上所述的发光二极管支架改良结构，其中第一增强部凹设于埋入部的底面周围，且第二增强部凸设或凹设于埋入部，第二增强部的形状为V形形状、凹形形状或半圆形形状其中之一的形状，在第二增强部转角处形成虹吸现象，用以将水气聚集于第二增强部转角处。如上所述的发光二极管支架改良结构，其中部分暴露于凹陷部的埋入部顶面其中之一用以固定发光二极管芯片，并且发光二极管芯片与另一部分暴露于凹陷部的埋入部顶面形成电性连接，凹陷部更覆盖有封装胶体，用以包覆发光二极管芯片，用以形成SMD发光二极管。本技术的有益效果：本技术所揭露的结构如上，与
技术介绍
之间的差异在于本技术支架分别具有埋入部以及延伸部，埋入部的底面周围设有第一增强部，以及埋入部设有第二增强部，通过将埋入于胶座中的第一增强部以及第二增强部，用以将支架与胶座增加更强的阻力，并且第二增强部可以由虹吸现象将水气聚集，以防止水气进一步渗入，且埋入部的底面部分暴露于胶座的下表面，用以提高对发光二极管芯片的散热效率，即可以有效的解决
技术介绍
所产生的问题。通过上述的技术手段，本技术可以达成增强支架与胶座间的固定力，防止水气进一步渗入以及提高散热效率的技术功效。附图说明图1绘示为现有的发光二极管支架结构的发光二极管芯片配置侧视剖面示意图。图2A绘示为本技术发光二极管支架改良结构的第一侧视剖面示意图。图2B绘示为本技术发光二极管支架改良结构的第二侧视剖面示意图。图2C绘示为本技术发光二极管支架改良结构的仰视示意图。图3A至图3C绘示为本技术发光二极管支架改良结构的第二增强部实施态样侧视放大示意图。图4绘示为本技术发光二极管支架改良结构的配置发光二极管芯片侧视剖面示意图。图5绘示为本专利技术发光二极管支架改良结构的配置封装胶体侧视剖面示意图。【主要元件符号说明】10 支架-->11 埋入部111 底面112 第一增强部113 第二增强部114 顶面12 延伸部20 胶座21 上表面22 陷部23 下表面30 发光二极管芯片40 封装胶体51 电性导线71 胶座72 凹陷部73 支架74 电性连接部75 发光二极管芯片76 电性导线77 封装胶体具体实施方式以下将配合图式及实施例来详细说明本技术的实施方式，由此对本技术如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。以下将说明本技术所揭露的发光二极管支架改良结构，并请参考图2A所示，图2A绘示为本技术发光二极管支架改良结构的第一侧视剖面示意图；本技术发光二极管支架改良结构包含有：至少二支架10以及胶座20。首先，在金属板(图中未绘示)上以冲压(stamping)方式制成至少二支架10，每一支架10均具有埋入部11以及延伸部12，并且在冲压制成至少二支架10时，一并于埋入部11底面111的周围冲压形成凹设的第一增强部112，以及在埋入部11冲压形成凸设或是凹设的第二增强部113，图式中在埋入部11冲压形成凸起的第二增强部113是呈现出凸起的倒凹形形状，图式所呈现的结果仅为举例说明，并不以此局限本技术的应用范畴。然后，以埋入射出(insert molding)的方式形成胶座20，以使各个支架10的埋入部11被埋于胶座20内，埋入部11的第一增强部112以及第二增强部113亦被埋入于胶座20内。而且，自胶座20的上表面21凹设凹陷部22，埋入部11的顶面114部分暴露于凹陷部22，而埋入部11的底面111暴露于胶座20的下表面23，延伸部12延伸于胶座20之外以形成电性连本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管支架改良结构，其特征在于，包含： 至少二支架，该至少二支架分别具有一埋入部以及一延伸部，该埋入部的底面周围设有一第一增强部，以及该埋入部设有一第二增强部；及 一胶座，自该胶座的上表面凹设一凹陷部，该埋入部是被埋入于该胶座内，且该第一增强部以及该第二增强部与该胶座形成固接，该埋入部的顶面部分暴露于该凹陷部，该埋入部的底面部分暴露于该胶座的下表面，该延伸部延伸于该胶座之外以形成电性连接部。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管支架改良结构，其特征在于，包含：至少二支架，该至少二支架分别具有一埋入部以及一延伸部，该埋入部的底面周围设有一第一增强部，以及该埋入部设有一第二增强部；及一胶座，自该胶座的上表面凹设一凹陷部，该埋入部是被埋入于该胶座内，且该第一增强部以及该第二增强部与该胶座形成固接，该埋入部的顶面部分暴露于该凹陷部，该埋入部的底面部分暴露于该胶座的下表面，该延伸部延伸于该胶座之外以形成电性连接部。2.如权利要求1所述的发光二极管支架改良结构，其特征在于，该第一增强部凹设于该埋入部的底面周围。3.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈立敏，
申请(专利权)人：一诠精密电子工业中国有限公司，一诠精密工业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。