电容元件和谐振电路制造技术

本发明专利技术公开了电容元件和谐振电路。该电容元件包括：第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第一介电部、第二介电部以及第三介电部。具有第一极性的信号施加至第一电极。具有第二极性的信号施加至第二电极。第二极性与第一极性相反。具有第二极性的信号施加至第三电极。第三电极配置在与第二电极相对的位置上。具有第一极性的信号施加至第四电极。第一介电部设置在第一电极与第二电极之间。第二介电部设置在第二电极与第三电极之间。第三介电部设置在第三电极与第四电极之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容元件和谐振电路(resonance circuit)，更具体地，涉及介电层和 电极交替堆叠的多层型电容元件和包括该电容元件的谐振电路。
技术介绍
过去，已经开发了各种多层型电容元件(下文中，称作多层电容元件)，在每种多 层型电容元件中，介电层和内部电极交替地堆叠。这种电容元件用在各种电子装置中。此 外，随着近代电子装置的尺寸减小和性能增强，需要开发一种具有上述结构的更小、更高性 能的多层电容元件。为了实现该需要，已经提出了各种现有技术中的技术，以获得更小、更高性能的多 层电容元件(例如，参见PCT国际公开W005/050679的国内再公开(下文中，称作专利文献 1)禾口由 Katsuhiko Hayashi 撰写的Discussion of Electrode Design in Chip Capacitor for RF Applications, Journal C of The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Vol. J86-C，No. 8，pp. 927-933，2003 (下文中，称作非专利文献 1))。专利文献1公开了抑制多层电容元件的内表面或外表面的残留应力的技术。此外，非专利文献1公开了提供内部电极的多层结构的技术，在该内部电极中，防 止各电极在多层电容元件的介电层的堆叠方向上彼此直接相对。在非专利文献1中，通过 使用这种内部电极的多层结构，减小了多层电容元件的电容变化。
技术实现思路
如上所述，随着近代电子装置的尺寸减小和性能增强，需要开发一种更小、更高性 能的多层电容元件。然而，如果将多层电容元件小型化，则减小了该装置中的内部电极的面 积，从而导致电极电阻增大。在这种情况下，出现了多层电容元件的Q值(品质因数)减小 的问题，该品质因数与内部电极的电极电阻(直流电阻)成反比。鉴于上述情况，期望提供一种其电极电阻进一步减小的更高性能的多层电容元件 和一种包括这种多层电容元件的谐振电路。根据本专利技术的实施方式，提供了一种电容元件，包括第一电极、第二电极、第三电 极、第四电极、第一介电部、第二介电部以及第三介电部。具有第一极性的信号施加至第一 电极。具有第二极性的信号施加至第二电极。第二极性与第一极性相反。具有第二极性的 信号施加至第三电极。第三电极被配置在与第二电极相对的位置上。具有第一极性的信号 施加至第四电极。第一介电部设置在第一电极与第二电极之间。第二介电部设置在第二电 极与第三电极之间。第三介电部设置在第三电极与第四电极之间。4此外，根据本专利技术的另一实施方式，提供了一种谐振电路。该谐振电路包括谐振 电容器，包括根据本专利技术实施方式的电容元件；以及谐振线圈，连接至该谐振电容器。在根据本专利技术实施方式的电容元件中，将具有不同极性的信号分别施加至在其间 夹置有第一介电部的同时所形成的第一电极和第二电极，并且分别施加给在其间夹置第三 介电部的同时所形成的第三电极和第四电极。因此，在第一电极与第二电极之间和第三电 极与第四电极之间分别形成电容器。另一方面，将具有相同极性的信号施加给第二电极和 第三电极，第二电极和第三电极在其间夹置第二介电部的同时被配置为相对。因此，在第二 电极和第三电极之间没有形成电容器。通过这种结构，为了所需电容，可以进一步增加设置在电容元件中的内部电极的 数目。这将在根据本专利技术的以下实施方式中进行详细描述。如上所述，在本专利技术的实施方式中，可以在电容元件中进一步增加内部电极的数 目，所以电容元件的电极电阻可以进一步减小。因此，根据本专利技术的实施方式，可以抑制电 容元件的Q值的减小，并且可以提供更高性能的电容元件。如在附图中所示出的，根据以下对最佳方式的实施方式的详细描述，本专利技术的这 些和其他目的、特征和优点将变得更加显而易见。附图说明图1是示出了根据本专利技术第一实施方式的多层电容元件(下文中，称作多层电容 器)的示意性截面图；图2A 图2D是各自示出了根据第一实施方式的多层电容器的分解图；图3是示出了根据第一实施方式的多层电容器的等效电路的示图；图4是示出了比较例1的多层电容器的示意性截面图；图5A 图5D是各自示出了比较例1的多层电容器的分解图；图6是示出了比较例1的多层电容器的等效电路的示图；图7是示出了修改例1的多层电容器的示意性截面图；图8是示出了根据本专利技术第二实施方式的多层电容器的示意性截面图；图9A 图9D是各自示出了根据第二实施方式的多层电容器的分解图；图10是示出了根据第二实施方式的多层电容器的等效电路的示图；图11是示出了比较例2的多层电容器的示意性截面图；图12A 图12D是各自示出了比较例2的多层电容器的分解图；图13是示出了比较例2的多层电容器的等效电路的示图；图14是修改例2的多层电容器的示意性截面图；图15是示出了修改例2的多层电容器的等效电路的示图；图16是示出了修改例3的多层电容器的示意性截面图；图17A和图17B是各自示出了修改例3的多层电容器的分解图；图18是示出了修改例3的多层电容器的等效电路的示图；图19是示出了一般多层电容器的示意性结构图；图20是根据本专利技术第三实施方式的多层电容器的示意性截面图；图21A 图21D是各自示出了根据第三实施方式的多层电容器的分解图22是根据第三实施方式的多层电容器的内部电极的示意性截面图；图23是示出了修改例4-1的多层电容器的内部电极的示意性结构图；图24是示出了修改例4-2的多层电容器的内部电极的示意性结构图；图25是示出了修改例4-3的多层电容器的内部电极的示意性结构图；图26是示出了修改例4-4的多层电容器的内部电极的示意性结构图；图27是示出了修改例4-5的多层电容器的内部电极的示意性结构图；以及图28是示出了根据本专利技术第四实施方式的非接触接收装置的块结构图。具体实施例方式下文中，将参考附图，以下列顺序描述根据本专利技术的实施方式的多层电容元件和 包括该多层电容元件的电子装置(谐振电路)的实例。应注意，本专利技术不限于以下实例。1.第一实施方式多层电容元件的基本结构的实例2.第二实施方式多层电容元件的结构实例，其中，构成电容器的一对内部电极 在介电层的厚度方向上不是相对的3.第三实施方式多层电容元件的结构实例，其中，构成电容器的一对内部电极 的电极部的延伸方向是交叉的4.第四实施方式包括根据本专利技术实施方式的多层电容元件的非接触接收装置 的结构实例<1.第一实施方式>(多层电容元件的结构)图1是示出了根据本专利技术第一实施方式的多层电容元件(下文中，称作多层电容 器)的示意性截面图。应注意，本实施方式的多层电容器的结构不仅可以应用于其电容与 输入信号的种类(交流电流或者直流电流)和信号电平无关而几乎不改变的电容器(下文 中，称作恒定电容电容器)，而且可以应用于可变电容电容器。该实施方式的多层电容器10 (电容元件)包括五个介电层11 15和四个内部电 极21 24。应注意，在下面的描述中，为了说明方便起见，根据需要，将介电层11 13、14 以及15分别称作第一介电层 第三介电层(第一介电部 第三介电部)、下部介电层以及 上部介电层，并且将内部电极21 24称作第一电极 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容元件，包括：第一电极，被施加具有第一极性的信号；第二电极，被施加具有第二极性的信号，所述第二极性与所述第一极性相反；第三电极，被施加具有所述第二极性的所述信号，所述第三电极被配置在与所述第二电极相对的位置上；第四电极，被施加具有所述第一极性的所述信号；第一介电部，设置在所述第一电极与所述第二电极之间；第二介电部，设置在所述第二电极与所述第三电极之间；第三介电部，设置在所述第三电极与所述第四电极之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：管野正喜，佐藤则孝，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]