大功率ＭＯＳ器件用引线框架制造技术

本实用新型专利技术涉及一种大功率ＭＯＳ器件用引线框架，包括散热片，散热片上设有凹槽，当封件注塑后，凹槽内就会形成与塑封件为一体结构的塑料体，当塑封件温度下降收缩时，该塑料体就会减少塑封件的收缩，从而减小塑料体的收缩力，降低对芯片产生的收缩应力，ＭＯＳ器件运行时，制成ＭＯＳ器件的铜底板、硅片及塑料发热膨胀，由于铜底板、硅片及塑料的膨胀系数不同，因此，会降低对芯片产生的收缩应力，减少了收缩应力对芯片的破坏。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种引线框架，具体地说，涉及一种用于电子产品的大功率MOS 器件用引线框架，属于电子

技术介绍
目前，大功率MOS器件用引线框架散热片的表面一般是光滑的，一方面，当封件注 塑后，塑封件温度下降时就会收缩并产生收缩力，该收缩力会对芯片产生收缩应力；另一方 面，MOS器件在运行时，制成MOS器件的铜底板、硅片及塑料发热膨胀，由于铜底板、硅片及 塑料的膨胀系数不同，因此，会对芯片产生应力，以上两种应力都会导致芯片的损坏，降低 了芯片的使用寿命。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对以上不足，提供一种使用寿命长的MOS器件 用引线框架。为了解决以上技术问题，本技术采用的技术方案如下大功率MOS器件用引 线框架，包括散热片，其特征是所述散热片上设有凹槽。作为上述技术方案的进一步改进所述凹槽为闭合的环状凹槽。本技术采取以上技术方案，具有以下优点当封件注塑后，凹槽内就会形成与 塑封件为一体结构的塑料体，当塑封件温度下降收缩时，该塑料体就会减少塑封件的收缩， 从而减小塑料体的收缩力，降低对芯片产生的收缩应力，MOS器件运行时，制成MOS器件的 铜底板、硅片及塑料发热膨胀，由于铜底板、硅片及塑料的膨胀系数不同，因此，会降低对芯 片产生的收缩应力，减少了收缩应力对芯片的破坏。以下结合附图和实施例对本技术作进一步说明。附图说明附图是本技术实施例中引线框架的结构示意图。图中，1-散热片，2-引脚，3-凹槽。具体实施方式实施例，如图所示，大功率MOS器件用引线框架，包括铜制成的散热片1和引脚2， 在散热片1上设有凹槽3，凹槽3为闭合的环状凹槽，呈方形。当封件注塑后，凹槽3内就会形成方形的环状塑料体，该塑料体与塑封件为一体 结构，当塑封件温度下降收缩时，该塑料体就会减少塑封件的收缩，从而减小塑料体的收缩 力，降低对芯片产生的收缩应力，在MOS器件在运行时，制成MOS器件的铜底板、硅片及塑料发热膨胀，由于铜底板、硅片及塑料的膨胀系数不同，因此，会降低对芯片产生的收缩应力， 减少了收缩应力对芯片的破坏。权利要求大功率MOS器件用引线框架，包括散热片(1)，其特征是所述散热片(1)上设有凹槽(3)。2.如权利要求1所述的大功率MOS器件用引线框架，其特征是所述凹槽(3)为闭合 的环形凹槽。专利摘要本技术涉及一种大功率MOS器件用引线框架，包括散热片，散热片上设有凹槽，当封件注塑后，凹槽内就会形成与塑封件为一体结构的塑料体，当塑封件温度下降收缩时，该塑料体就会减少塑封件的收缩，从而减小塑料体的收缩力，降低对芯片产生的收缩应力，MOS器件运行时，制成MOS器件的铜底板、硅片及塑料发热膨胀，由于铜底板、硅片及塑料的膨胀系数不同，因此，会降低对芯片产生的收缩应力，减少了收缩应力对芯片的破坏。文档编号H01L23/495GK201773837SQ20102019953公开日2011年3月23日 申请日期2010年5月24日 优先权日2010年5月24日专利技术者赵常杰, 辛华柱, 邢福东 申请人:潍坊市汇川电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
大功率ＭＯＳ器件用引线框架，包括散热片（１），其特征是：所述散热片（１）上设有凹槽（３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵常杰，邢福东，辛华柱，
申请(专利权)人：潍坊市汇川电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]