一种功率半导体器件的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功率半导体器件的封装结构，包括：具有导电线路的绝缘基板，所述绝缘基板具有第一表面，所述第一表面上装载第一半导体芯片；第二基板，所述第二基板具有第二表面，所述第二表面装载第二半导体芯片；第一引脚，与所述第一半导体芯片电连接；第二引脚，与所述第二半导体芯片电连接；所述具有导电线路的绝缘基板、第一半导体芯片、第二基板、第二半导体芯片、第一引脚的部分以及第二引脚的部分密封于树脂内。本封装结构利用具有导电线路的绝缘基板承载半导体芯片，解决了金属的引线框架所引起的电路干扰的问题，由于绝缘基板可以多层布线，进一步使得导电线路布线容易并且提高了空间利用率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路封装领域，尤其涉及一种功率半导体器件的封装结构。
技术介绍
在目前大多数IPMdntelligent Power Module，智能功率模块)封装的内部结构基本上都采取引线框架与DBC (Direct Bonded Copper,覆铜陶瓷基板)混合的结构形式。 这些IPM产品的内部IGBT驱动部件(IGBT驱动芯片、门极电阻等)都放置在引线框架上，由于这些引线框架是金属材质的，放置这些作为IGBT驱动部件的功率器件时，不可避免会引起电路的干扰，而且在焊接电阻的时候还要在电阻与引线框架之间加一绝缘层。所以，在设计IPM封装的内部电路时，如果仅用引线框架与DBC板(覆铜陶瓷基板)混合的结构形式作为电路搭建的基板，将会遇到电路干扰、导电线路布线困难以及空间利用率低等问题。如图1所示，是目前主流IPM模块内部整体框架图。它由三部分组成带IGBT驱动元器件的引线框架1、焊有IGBT和FRD (Fast Recovery Diode，快恢复二极管)的DBC板或者引线框架3、与3连接的带引脚的引线框架2。这样的框架结构模型把绝大部分的设计压力都放到引线框架1上，即IGBT的驱本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种功率半导体器件的封装结构，其特征在于，包括：具有导电线路的绝缘基板，所述绝缘基板具有第一表面，所述第一表面上装载第一半导体芯片；第二基板，所述第二基板具有第二表面，所述第二表面装载第二半导体芯片；第一引脚，与所述第一半导体芯片电连接；第二引脚，与所述第二半导体芯片电连接；所述具有导电线路的绝缘基板、第一半导体芯片、第二基板、第二半导体芯片、第一引脚的部分以及第二引脚的部分密封于树脂内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱克干，吴德皇，宋淑伟，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[]