下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型多圈引脚引线框结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型多圈引脚引线框结构，包括基岛（１）和引脚（２），基岛（１）有二组，一组为第一基岛（１．１），另一组为第二基岛（１．２），第一基岛（１．１）正面中央区域下沉，第二基岛（１．２）正面设置成多凸点状结构，在第二基岛（１．２）和引脚（２）的正面设置有第一金属层（４），所述引脚（２）有多圈，在第一基岛（１．１）、第二基岛（１．２）和引脚（２）的背面设置有第二金属层（５），在引脚（２）外围、引脚（２）与第一基岛（１．１）之间的区域、第一基岛（１．１）与第二基岛（１．２）之间的区域、第二基岛（１．２）与引脚（２）之间的区域以及引脚（２）与引脚（２）之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），且使所述基岛（１）和引脚（２）背面尺寸小于基岛（１）和引脚（２）正面尺寸。本实用新型专利技术的有益效果是：塑封体与金属脚的束缚能力大。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种下沉及多凸点型基岛露出型引线框结构。属于半导体封装技 术领域。
技术介绍
传统的引线框结构主要有二种第一种采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后，在金属基板的背面贴上一层 耐高温的胶膜形成可以进行封装过程的引线框载体(如图2所示)。第二种采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后，即完成引线框的制作(如图 3所示)。而引线框的背面则在封装过程中再进行背面蚀刻。而上述的二种引线框在封装过程中存在了以下的不足点第一种1)此种的引线框架因背面必须要贴上一层昂贵可抗高温的胶膜。所以直接增加了 高昂的成本。2)也因为此种的引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，所以在封装过 程中的装片工艺只能使用导电或是不导电的树脂工艺，而完全不能采用共晶工艺以及软焊 料的工艺进行装片，所以可选择的产品种类就有较大的局限性。3)又因为此种的引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，而在封装过程 中的球焊键合工艺中，因为此可抗高温的胶膜是软性材质，所以造成了球焊键合参数的不 稳定，严重的影响了球焊的质量与产品可靠度的稳定性。4)再因为此种的引线框架的背面必须要贴上一层可抗高温的胶膜，而在封装过程 中的塑封工艺过程，因为塑封的高压关系很容易造成引线框架与胶膜之间渗入塑封料，而 将原本应属金属脚是导电的型态因为渗入了塑封料反而变成了绝缘脚(如图4所示)。第二种此种的引线框架结构在金属基板正面进行了半蚀刻工艺，虽然可以解决第一种引 线框架的问题，但是因为只在金属基板正面进行了半蚀刻工作，而在塑封过程中塑封料只 有包覆住半只脚的高度，所以塑封体与金属脚的束缚能力就变小了，如果塑封体贴片到PCB 板上不是很好时，再进行返工重贴，就容易产生掉脚的问题(如图5所示)。尤其塑封料的种类是采用有填料时候，因为材料在生产过程的环境与后续表面贴 装的应力变化关系，会造成金属与塑封料产生垂直型的裂缝，其特性是填料比例越高则越 硬越脆越容易产生裂缝。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种降低封装成本、可选择的产品种类广、球焊的质量与产品可靠度的稳定性好、塑封体与金属脚的束缚能力大的下沉基岛露 出型及多凸点基岛露出型多圈引脚引线框结构。本技术的目的是这样实现的一种下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型多圈 引脚引线框结构，包括基岛和引脚，所述基岛有二组，一组为第一基岛，另一组为第二基岛， 所述第一基岛正面中央区域下沉，第二基岛正面设置成多凸点状结构，在所述第二基岛和 引脚的正面设置有第一金属层，所述引脚有多圈，在所述第一基岛、第二基岛和引脚的背面 设置有第二金属层，在引脚外围、引脚与第一基岛之间的区域、第一基岛与第二基岛之间的 区域、第二基岛与引脚之间的区域以及引脚与引脚之间的区域嵌置有无填料的塑封料，所 述无填料的塑封料将引脚下部外围、引脚与第一基岛下部、第一基岛与第二基岛下部、第二 基岛与引脚下部以及引脚与引脚下部连接成一体，且使所述基岛和引脚背面尺寸小于基岛 和引脚正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。本技术的有益效果是1)此种的引线框的背面不须要贴上一层昂贵可抗高温的胶膜。所以直接降低了高 昂的成本。2)也因为此种的引线框架的背面不须要贴上一层可抗高温的胶膜，所以在封装过 程中的装片工艺除了能使用导电或是不导电的树脂工艺外，还能采用共晶工艺以及软焊料 的工艺进行装片，所以可选择的产品种类就广。3)又因为此种的引线框架的背面不须要贴上一层可抗高温的胶膜，确保了球焊键 合参数的稳定性，保证了球焊的质量与产品可靠度的稳定性。4)再因为此种的引线框架不须要贴上一层可抗高温的胶膜，而在封装过程中的塑 封工艺过程，完全不会造成引线框与胶膜之间渗入塑封料。5)由于在所述金属脚(引脚)与金属脚间的区域嵌置有无填料的软性填缝剂，该 无填料的软性填缝剂与在塑封过程中的常规有填料塑封料一起包覆住整个金属脚的高度， 所以塑封体与金属脚的束缚能力就变大了，不会再有产生掉脚的问题。6)由于采用了正面与背面分开蚀刻作业的方法，所以在蚀刻作业中可形成背面基 岛的尺寸稍小而正面基岛尺寸稍大的结构，而同个基岛的上下大小不同尺寸在被无填料的 塑封料所包覆的更紧更不容易产生滑动而掉脚。7)多凸点的金属基岛可以将金属基岛的热态膨胀热应力以及冷态收缩应力分散 到每一个凸点上，直接降低了整块的金属基岛与芯片之间不同的膨胀系数与收缩率不同所 产生的应力变形，进而造成封装后的可靠性伤害问题。附图说明图1为本技术下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型多圈引脚引线框结构示 意图。图2为以往在金属基板的背面贴上一层耐高温的胶膜图作业。图3为以往采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层作业图。图4为以往形成绝缘脚示意图。图5为以往形成的掉脚图。图中附图标记基岛1、第一基岛1. 1、第二基岛1.2、引脚2、无填料的塑封料3、第一金属层4、第 ■~ 金属层5ο具体实施方式参见图1，图1为本技术下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型多圈引脚引线 框结构示意图。由图1可以看出，本技术下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型多圈引 脚引线框结构，包括基岛1和引脚2，所述基岛1有二组，一组为第一基岛1. 1，另一组为第 二基岛1. 2，所述第一基岛1. 1正面中央区域下沉，第二基岛1. 2正面设置成多凸点状结构， 在所述第二基岛1. 2和引脚2的正面设置有第一金属层4，在所述第一基岛1. 1、第二基岛 1. 2和引脚2的背面设置有第二金属层5，所述引脚2有多圈，在引脚2外围、引脚2与第一 基岛1. 1之间的区域、第一基岛1. 1与第二基岛1. 2之间的区域、第二基岛1. 2与引脚2之 间的区域以及引脚2与引脚2之间的区域嵌置有无填料的塑封料3，所述无填料的塑封料3 将引脚2下部外围、引脚2与第一基岛1. 1下部、第一基岛1. 1与第二基岛1. 2下部、第二 基岛1. 2与引脚2下部以及引脚2与引脚2下部连接成一体，且使所述基岛1和引脚2背 面尺寸小于基岛1和引脚2正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。权利要求一种下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型多圈引脚引线框结构，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在于所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，所述第一基岛(1.1)正面中央区域下沉，第二基岛(1.2)正面设置成多凸点状结构，在所述第二基岛(1.2)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)，所述引脚(2)有多圈，在所述第一基岛(1.1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在引脚(2)外围、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)之间的区域、第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，所述无填料的塑封料(3)将引脚(2)下部外围、引脚(2)与第一基岛(1.1)下部、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)下部、第二基岛(1.2)与引脚(2)下部以及引脚(2)与引脚(2)下部连接成一体，且使所述基岛(1)和引脚(2)背面尺寸小于基岛(1)和引脚(2)正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。专利摘要本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种下沉基岛露出型及多凸点基岛露出型多圈引脚引线框结构，包括基岛（１）和引脚（２），其特征在于：所述基岛（１）有二组，一组为第一基岛（１．１），另一组为第二基岛（１．２），所述第一基岛（１．１）正面中央区域下沉，第二基岛（１．２）正面设置成多凸点状结构，在所述第二基岛（１．２）和引脚（２）的正面设置有第一金属层（４），所述引脚（２）有多圈，在所述第一基岛（１．１）、第二基岛（１．２）和引脚（２）的背面设置有第二金属层（５），在引脚（２）外围、引脚（２）与第一基岛（１．１）之间的区域、第一基岛（１．１）与第二基岛（１．２）之间的区域、第二基岛（１．２）与引脚（２）之间的区域以及引脚（２）与引脚（２）之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），所述无填料的塑封料（３）将引脚（２）下部外围、引脚（２）与第一基岛（１．１）下部、第一基岛（１．１）与第二基岛（１．２）下部、第二基岛（１．２）与引脚（２）下部以及引脚（２）与引脚（２）下部连接成一体，且使所述基岛（１）和引脚（２）背面尺寸小于基岛（１）和引脚（２）正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]