集成电路中器件相关噪声的仿真方法技术

本发明专利技术提供了一种用于高频电路仿真的噪声分析方法，它考虑了高频情况下出现的器件噪声源相关性对输出噪声的影响。这种方法是在常规的，只考虑独立噪声源的噪声分析基础上，计算相关噪声源耦合的传输函数，得到各相关噪声源耦合的噪声分析结果，并把这种结果计入最终的输出噪声功率谱密度。这种考虑噪声源相关性的噪声分析方法，是对常规电路噪声分析的改进，不需通过另外建立的相关噪声源子电路模型，因此简洁，仿真时间少。

Simulation method of device related noise in integrated circuit

The present invention provides a noise analysis method for high-frequency circuit simulation, which considers the influence of device noise source correlation on output noise in high frequency condition. This method is in general, only considering the noise analysis of independent noise source based on transfer function calculation of noise source coupling, the results of the analysis of noise the noise source coupling, and the results included in the final output noise power spectral density. The noise analysis method considering noise source correlation is an improvement to the noise analysis of conventional circuits. It does not need to be established by other related noise source sub circuit models, so it is concise and has less simulation time.

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于EDA (电子设计自动化)领域，特别的，涉及一种在集成电路仿真中，关 于器件相关噪声及噪声耦合的仿真方法。2.
技术介绍
集成电路中的噪声源主要有热噪声和flicker噪声，其中flicker噪声主要影响 电路的低频特性，而在高频领域，热噪声的影响最为显著。对于Mosfet，当工作在GHz以上 时，由热噪声引起的沟道中随机势的波动，还会通过栅氧化层电容而在栅上感应出噪声电 流，由于栅感应噪声和沟道热噪声有着相同的产生机理，因此它们之间是相关的。已有测量 证明，在RF频段，除了热噪声以外，栅感应噪声以及它和沟道热噪声之间的耦合作用越来 越显著。传统的电路仿真器在进行噪声分析时，都是先进行OP计算，得到静态工作点，再 求解在静态工作点时噪声源i的传输函数Hi (j ω)。

【技术保护点】
１．一种基于常规电路仿真器的全面的噪声分析方法，其特征在于最终的输出噪声功率谱密度Ｓｘ（ω）由两部分构成，即：Ｓｘ（ω）＝Ｓｘ０（ω）＋Ｓｘｒ（ω）。

【技术特征摘要】
1.一种基于常规电路仿真器的全面的噪声分析方法，其特征在于最终的输出噪声功率 谱密度Sx(CO)由两部分构成，S卩SX(C0) = Sx0( )+Sxr( )o2.如权利要求1所述的一种基于常规电路仿真器的全面的噪声分析方法，其特征在于 独立噪声源对输出噪声影响Sxci(Co)的计算，采用的是常规的噪声分析方法。3.如权利要求1所述的一种基于常规电路仿真器的全面的噪声分析方法，其特征在于 相关噪声源耦合部分的计算，采用的方法是SxrΜ = Σ Σ[Re(^( )Re(S) + Im( (jco))。/=1 7=1,./> 4.如权利要求3所述的对相关噪声...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚也淳，肖冰峻，吴大可，
申请(专利权)人：北京华大九天软件有限公司，
类型：发明
国别省市：11