The present invention relates to novel light acid producing agents. The present invention relates to an optical active compound, its composition for lithography in microlithography imaging field, especially for the production of semiconductor components in the negative and positive image, and photoresist composition for photoresist and process imaging.
【技术实现步骤摘要】
本申请是中国专利申请2006800^913. 3的分案申请。本专利技术涉及新的光活性化合物，其在缩微平版印刷术领域用于光刻组合物，尤其用于半导体元件生产中的阴性成像和阳性图像，以及用于光刻胶成像中的光刻胶组合物和工艺。
技术介绍
光刻胶组合物用于制造小型化电子元件的缩微平版印刷工艺，例如用于制造电脑芯片和集成电路。通常，在这些工艺中，首先将光刻胶组合物的薄膜涂层施加于基底材料上，例如用来制作集成电路的硅片。然后将涂覆的基底烘烤，蒸发光刻胶组合物中的任何溶剂，并将涂层固定在基底上。紧接着，使涂在基底上的光刻胶对于辐射进行成像方式的曝光。辐射曝光导致涂覆表面的曝露面中的化学转变。可见光、紫外(UV)光、电子束和X 射线辐射能是当今在微光刻技术中通常使用的辐射类型。这种成像方式的曝光之后，将涂覆基底用显影液处理，以溶解并去掉光刻胶的辐射曝光或未曝光的区域。半导体元件的小型化倾向，导致了在越来越低辐射波长处可以感光的新的光刻胶的使用，并且也导致了复杂多级系统的使用，以克服与这种小型化有关的困难。有两种类型的光刻胶组合物负性作用和正性作用。在光刻技术中的特定点使用的光刻胶...
【技术保护点】
１．具有下式的化合物其中ＲＡ、ＲＢ各自独立地是ＯＲ１，ＲＣ独立地是氢或ＯＲ１，其中每个Ｒ１独立地是烷氧基烷基，所述烷基，烷氧基烷基是未取代的或被一或多个如下基团取代：卤素，烷基，单环烷基或多环烷基，烷氧基，环烷氧基，二烷基氨基，双环二烷基氨基，羟基，氰基，硝基，三氟代乙烷磺酰基，氧代，芳基，芳烷基，氧原子，ＣＦ３ＳＯ３，芳氧基，芳基硫基和式（ＩＩ）至（ＶＩ）的基团：其中Ｒ１０和Ｒ１１每个独立地表示氢原子，任选包含一个或多个Ｏ原子的直链或支链烷基链，或单环烷基或多环烷基，或Ｒ１０和Ｒ１１能够一起表示亚烷基以形成五或六元环，Ｒ１２表示任选包含一个或多个Ｏ原子的直链或支链烷基链，...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·M·拉曼，M·帕德马纳班，
申请(专利权)人：AZ电子材料美国公司，
类型：发明
国别省市：US
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