晶圆封装方法技术

本发明专利技术涉及晶圆封装方法，包括步骤：提供转载板，所述转载板上固定有封装体，所述封装体包括晶圆和封料层，所述晶圆的功能面暴露；在晶圆的芯片单元之间形成凹槽，所述凹槽贯穿所述晶圆；填充所述凹槽；在所述晶圆的功能面上形成保护层，所述保护层暴露所述晶圆功能面上的电性焊盘；在裸露的电性焊盘上形成电性输出端子；分离所述转载板；从所述凹槽处切割所述晶圆，形成芯片封装单元。与现有技术相比，本发明专利技术请求保护的晶圆封装方法在晶圆的芯片单元之间先形成凹槽，并在凹槽内填充封料层。因此，在沿着凹槽切割晶圆时，凹槽内填充的封料层即可对晶圆提供有效保护。在切割步骤完成后，保护层仍能够为芯片单元的表面及四周提供保护。

Wafer packaging method

The invention relates to a wafer encapsulation method, comprising the steps of: providing a package board reproduced, fixing the reproduced board, the package includes a wafer and sealing material layer, function of the wafer surface exposure; grooves are formed between the wafer chip unit, wherein the groove through the grain filling the circle; groove; forming a protective layer on the wafer surface as a function of electric pad, the protective layer is exposed on the surface of the wafer function; the exposed electrical pads formed on the electrical output terminals; separating the reproduced plate; cutting the wafer from the groove, forming the chip package unit. Compared with the prior art, the wafer encapsulation method requested by the invention first forms a groove between the chip units of the wafer, and fills the sealing layer in the groove. Therefore, when the wafer is cut along the groove, a sealing layer filled in the groove can provide effective protection to the wafer. After the cutting step is completed, the protective layer can still provide protection for the surface and the periphery of the chip unit.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术，尤其涉及一种。
技术介绍
晶圆级封装(Wafer Level I^ackaging，WLP)技术是对整片晶圆进行封装测试后再 切割得到单个成品芯片的技术，封装后的芯片尺寸与裸片完全一致。晶圆级芯片尺寸封装 技术彻底颠覆了传统封装如陶瓷无引线芯片载具(Ceramic Leadless Chip Carrier)以及 有机无引线芯片载具(Organic LeadlessChip Carrier)等模式，顺应了市场对微电子产品 日益轻、小、短、薄化和低价化要求。经晶圆级芯片尺寸封装技术封装后的芯片尺寸达到了 高度微型化，芯片成本随着芯片尺寸的减小和晶圆尺寸的增大而显著降低。晶圆级芯片尺 寸封装技术是可以将IC设计、晶圆制造、封装测试、基板制造整合为一体的技术，是当前封 装领域的热点和未来发展的趋势。中国专利技术专利申请第200910030160. X号公开了一种晶圆级芯片尺寸封装法，该 方法包括步骤在晶圆的正面固定覆盖一层玻璃，将晶圆从背面研磨减薄至设定尺寸厚度； 对晶圆进行各向同性湿法蚀刻；对晶圆进行各向异性湿法蚀刻在晶圆背面上按设计形成 槽；对晶圆进行干法蚀刻，在晶圆背面的槽面上按设计形成孔，孔将晶圆正面部分的导通点 外露于晶圆背面；对晶圆背面按设计进行电镀形成与导通点数量对应的金属线，金属线连 通导通点和晶圆背面需植焊球的地方；按设计在晶圆背面需植焊球的地方植焊球；将晶圆 切割成单颗封装好的器件。从上述方法步骤的描述可知，在现有晶圆级芯片封装技术中，晶圆封装后将芯片 单元切割开来，切割后的芯片单元表面及四周仍是裸露的芯片，容易受到外界温湿度环境 的影响，且抗机械撞击能力差，进而影响到产品的可靠性。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是在晶圆封装进切割时和切割之后，如何为芯片单元的 表面及四周提供保护。为解决上述技术问题，本专利技术提供，包括步骤提供转载板，所述转 载板上固定有封装体，所述封装体包括晶圆和封料层，所述晶圆的功能面暴露；在晶圆的芯 片单元之间形成凹槽，所述凹槽贯穿所述晶圆；填充所述凹槽；在所述晶圆的功能面上形 成保护层，所述保护层暴露所述晶圆功能面上的电性焊盘；在裸露的电性焊盘上形成电性 输出端子；分离所述转载板；从所述凹槽处切割所述晶圆，形成芯片封装单元。可选的，所述填充所述凹槽具体包括以形成所述封料层的材料填充所述凹槽。可选地，还包括步骤在所述保护层上形成再布线金属层；在所述再布线金属层 上形成暴露所述电性焊盘的保护层。可选地，所述电性输出端子为焊料球或金属凸块。可选地，所述封装体通过胶合层固定在所述转载板上。可选地，形成所述胶合层的材料为UV胶。可选地，所述封料层的材料为环氧树脂。可选地，所述保护层的材料为聚酰亚胺。可选地，形成所述封装体的步骤包括在基础载板上形成胶合层；将晶圆的功能 面贴于所述胶合层上；将基础载板上贴有晶圆的一面形成封料层，所述封料层将所述晶圆 包覆；去除所述基础载板和胶合层。与现有技术相比，本专利技术请求保护的在晶圆的芯片单元之间先形成 凹槽，并在凹槽内填充封料层。因此，在沿着凹槽切割晶圆时，凹槽内填充的封料层即可对 晶圆提供有效保护。在切割步骤完成后，封料层仍能够为芯片单元的表面及四周提供保护。附图说明图1为本专利技术一个实施例中系统级扇出流程图；图2为本专利技术另一个实施例中系统级扇出流程图；图3至图12为图2所示流程中封装体示意图。具体实施例方式在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以 很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况 下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。其次，本专利技术利用示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，所 述示意图只是实例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。如图1所示，在本专利技术的一个实施例中，提供。该方法包括步骤S101，提供转载板，转载板上固定有包括晶圆和封料层的封装体，所述晶圆的功能 面暴露；S102，在晶圆的芯片单元之间形成凹槽；S107，填充所述凹槽；用以填充所述凹槽的材料与前述形成封料层的材料相同，且所述功能面是裸露 的；S103，在所述晶圆的功能面上形成保护层，所述保护层暴露所述晶圆功能面上的 电性焊盘；S104，在晶圆的功能面上裸露的电性焊盘上形成电性输出端子；S105,剥离转载板，去除胶合层；S106，从凹槽处分割晶圆，形成芯片封装单元。如图2所示，在本专利技术的另一个实施例中，提供。该方法包括步骤S201，在基础载板上形成胶合层；S202，将晶圆的功能面贴于胶合层上；S203，将基础载板贴有晶圆的一面形成封料层，形成封装体；S204,去除胶合层，分离基础载板；S205，在转载板上形成胶合层；S206，将封装体贴合在转载板的胶合层上，并使晶圆的功能面裸露；S207，在晶圆的芯片单元之间形成凹槽；S212，填充所述凹槽；S208，在所述晶圆的功能面上形成保护层，所述保护层暴露所述晶圆功能面上的 电性焊盘；S209，在裸露的电性焊盘上形成电性输出端子；S210,剥离转载板，去除胶合层；S211，分割晶圆，形成芯片封装单元。在本实施例中，步骤S201至步骤S204是形成封装体的过程。其中，执行步骤S201， 在基础载板101上形成胶合层102，即可形成如图3所示的结构。在这一步骤中所使用的基 础载板101是在后续步骤中承载晶圆103的基础。在本实施例中，基础载板101可以采用玻璃材质，用以提供较好的硬度和平整度， 降低封装器件的失效比例。另外，由于基础载板101在后续步骤中会被剥离，且玻璃材质的 基础载板101易剥离、抗腐蚀能力强，不会因为与胶合层102的接触而发生物理和化学性能 的改变，因此可以进行重复利用。当然，本领域技术人员了解，基础载板101采用例如硅化 合物也能实现本专利技术的目的。在基础载板101上形成的胶合层102是用于将晶圆103固定在载板101上。胶合 层102可选用的材质有多种，在本专利技术一个可选的实施例中，胶合层102采用UV胶。UV胶 是一种能对特殊波长的紫外光照射产生反应的胶合材料。UV胶根据紫外光照射后粘性的变 化可分为两种，一种是UV固化胶，即材料中的光引发剂或光敏剂在紫外线的照射下吸收紫 外光后产生活性自由基或阳离子，引发单体聚合、交联和接支化学反应，使紫外光固化胶在 数秒钟内由液态转化为固态，从而将与其接触的物体表面粘合；另一种是UV胶是在未经过 紫外线照射时粘性很高，而经过紫外光照射后材料内的交联化学键被打断导致粘性大幅下 降或消失。这里的胶合层102所采用的UV胶即是后者。在基础载板101上形成胶合层102的方法可以例如是通过旋涂或印刷等方法将胶 合层102涂覆在基础载板101上。这样的方法在半导体制造领域中已为本领域技术人员所 熟知，在此不再赘述。在基础载板101上形成胶合层102后，即可执行步骤S202，将晶圆103的功能面贴 于胶合层102上，形成如图4所示的结构。在本专利技术的具体实施方式中，晶圆103的功能面，是指晶圆103上芯片的电性焊盘 104所在表面。然后执行步骤S203，在基础载板101贴有晶圆103的一面形成带有封料层105的 封本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．晶圆封装方法，其特征在于，包括步骤：提供转载板，所述转载板上固定有封装体，所述封装体包括晶圆和封料层，所述晶圆的功能面暴露；在晶圆的芯片单元之间形成凹槽，所述凹槽贯穿所述晶圆；填充所述凹槽；在所述晶圆的功能面上形成保护层，所述保护层暴露所述晶圆功能面上的电性焊盘；在裸露的电性焊盘上形成电性输出端子；分离所述转载板；从所述凹槽处切割所述晶圆，形成芯片封装单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶玉娟，石磊，杨国继，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32