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激光装置、光学拾取器以及光盘装置制造方法及图纸

技术编号:6047468 阅读:148 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及激光装置、光学拾取器以及光盘装置。一种激光装置,包括:半导体激光器;信号发生电路,生成用于驱动半导体激光器的脉冲信号;放大电路,放大脉冲信号;以及控制电路单元,设置在所述放大电路和所述半导体激光器之间,并通过使所述脉冲信号的交流分量通过而去除所述脉冲信号的直流分量的至少一部分来控制所述脉冲信号。

Laser device, optical pickup device, and optical disk device

The invention relates to a laser device, an optical pickup and an optical disk device. A laser device includes: a semiconductor laser; signal generating circuit generates a pulse signal to drive the semiconductor laser amplifier circuit, amplification; pulse signal; and a control circuit unit, set the amplifier circuit and the semiconductor laser in the between, and the pulse signal and the AC component by removing the DC pulse at least a portion of the signal to control the pulse signal by.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用半导体激光器的激光装置。此外,本专利技术涉及包括该激光装置的 光学拾取器和光盘装置。
技术介绍
作为光学信息记录介质,盘状光学信息记录介质(光盘)在现有技术中得到了广 泛使用。通常,已经使用了压缩盘(⑶)、数字通用盘(DVD)、蓝光盘 等。另一方面,支持光盘信息记录介质的光盘装置被配置为在光学信息记录介质中记 录各种内容(诸如音乐内容和视频内容)以及各种类型的信息(诸如用于计算机的各种数 据)。具体地,近年来,例如由于视频增加的分辨率和音乐增加的音质而增加了信息量。 此外,已经要求增加记录在一个光学信息记录介质中的内容的数量。因此,已经要求光学信 息记录介质容量的进一步增加。为此,已经提出光学信息记录介质被配置为通过使用响应于光引起2光子吸收反 应形成记录槽的材料在光学信息记录介质的厚度方向上三维地记录信息(例如,参见日本 未审查专利申请第2005-37658号)。通过该结构,可以增加光学信息记录介质的容量。同时,由于该2光子吸收反应是仅仅响应于具有较大光强度的光而发生的现象, 所以优选使用具有大强度发射光的光源。具有大强度发射光的光源的实例包括输出短脉冲的激光的短脉冲光源(诸如所 谓的皮秒激光器和飞秒激光器),其以钛-蓝宝石激光器和YAG激光器为代表。然而,由于这些短脉冲光源可以通过设置在光发生器外部的光学部件的操作来输 出短脉冲,所以这些光源的尺寸通常较大,并且它们的价格也比较高。因此,在光盘装置上安装短脉冲光源是不实际的。
技术实现思路
半导体激光器是通常用于光盘装置的小型光发生器的实例。如果激光的脉冲可以直接从该半导体激光器输出,则无需设置在光发生器外部的 光学部件。因此,其可以大大减小短脉冲光源的尺寸。然而,为了使短脉冲的激光从半导体激光器中产生,在短时间内将极其高的电压 施加给半导体激光器。为此,通过宽带RF放大器等来放大驱动脉冲信号。通常,RF放大器的输出阻抗具有设置为50Ω的特征阻抗,其输出经受AC耦接。另一方面,半导体激光器具有在OFF状态较高而在ON状态下较低的特征阻抗。因 此,在脉冲施加时,阻抗急剧变化。为此,在驱动脉冲波形的平均值中发生偏移。如果以这种方式在驱动脉冲波形的平均值中发生偏移,则施加给半导体激光器的脉冲的峰值电压减小,达不到用于从半导体激光器中生成激光的阈值电压,抑制了半导体 激光器生成短脉冲的激光。期望提供一种激光装置,其允许通过控制驱动脉冲的直流分量从半导体激光器中 生成短脉冲的激光。还期望提供包括该激光装置的光学拾取器和光盘装置。本专利技术实施方式的激光装置包括半导体激光器;信号发生电路,生成用于驱动 半导体激光器的脉冲信号;以及放大电路,放大脉冲信号。更进一步,激光装置包括控制 电路,设置在放大电路和半导体激光器之间,并且通过使脉冲信号的交流分量通过而去除 脉冲信号的直流分量的至少一部分来控制脉冲信号。本专利技术另一实施方式的光学拾取器利用激光辐射光学记录介质,以在光学记录介 质上记录信息或者再生记录在光学记录介质上的信息。光学拾取器包括半导体激光器; 信号发生电路,生成用于驱动半导体激光器的脉冲信号;以及放大电路,放大脉冲信号。更 进一步,光学拾取器包括控制电路,设置在放大电路和半导体激光器之间,并且通过使脉 冲信号的交流分量通过而去除脉冲信号的直流分量的至少一部分来控制脉冲信号。即,光 学拾取器包括上述本专利技术实施方式的激光装置的结构。此外,光学拾取器包括物镜,聚集 来自半导体激光器的激光以辐射光学记录介质;以及光接收单元,接收来自光学记录介质 的反射光。本专利技术又一实施方式的光盘装置利用激光照射光盘,以在光盘上记录信息或者再 生记录在光盘上的信息。光盘装置包括上述本专利技术实施方式的激光装置的结构以及包括聚 集来自半导体激光器的激光以照射光学记录介质的物镜和接收来自光盘的反射光的光接 收单元的光学拾取器。此外,光盘装置包括光盘驱动单元,旋转光盘;光学拾取器驱动单 元,相对于光盘移动光学拾取器;以及信号处理单元,对来自光接收单元的光学输出信号执 行信号处理。根据上述本专利技术实施方式的激光装置的结构,该结构包括控制电路,设置在放大 电路和半导体激光器之间,并且通过使脉冲信号的交流分量通过而去除脉冲信号的直流分 量的至少一部分来控制脉冲信号。这样,部分或所有直流分量被去除的脉冲信号被提供给 半导体激光器。因此,由于从提供给半导体激光器的信号中减少或去除了 DC偏移,可以使 信号成为用于允许半导体激光器的脉冲光发射的合适的脉冲信号。因此,可以使半导体激 光器发射具有短脉冲的光。根据上述本专利技术另一实施方式的光学拾取器的结构,由于该结构包括上述本专利技术 实施方式的激光装置的结构,所以可以使半导体激光器发出具有短脉冲的光,并且可以用 短脉冲的激光来照射光学记录介质。根据上述本专利技术又一实施方式的光盘装置的结构,由于该结构包括具有根据上述 本专利技术实施方式的激光装置的结构的光学拾取器,所以可以使半导体激光器发出具有短脉 冲的光,并且可以用短脉冲的激光来照射光学记录介质。根据上述本专利技术的实施方式,可以使半导体激光器发出具有短脉冲的光。因此,由 于脉宽短,所以即使在增加放大电路中的放大率以增加半导体激光器的发射光的强度时, 也可以防止半导体激光器的劣化。这样,通过使用半导体激光器,可以配置发射光强度高的 小型光源。此外,根据本专利技术另一实施的光学拾取器的结构以及根据本专利技术又一实施方式的4光盘装置的结构,可以用短脉冲的激光辐射诸如光盘的光学记录介质。此外,通过半导体激 光器,可以配置发射光强度高的小型光源。这样,可以增加诸如光盘的光学记录介质的容量,使得光学记录介质被配置为在 厚度方向上三维地记录信息。附图说明图1是本专利技术实施方式的光学拾取器的示意性结构图(框图);图2是本专利技术另一实施方式的光学拾取器的示意性结构图(框图);图3是本专利技术另一实施方式的变形实例的光学拾取器的示意性结构图(框图);图4是本专利技术又一实施方式的激光装置的示意性结构图(框图);图5是其特性被测量的激光装置的示意性结构图(框图);图6是示出图5的半导体激光器的发光波形的实例的曲线图;图7是当半导体激光器处于ON状态时的等效电路的实例的示图;图8A和图8B是示出用于在插入控制电路单元的结构与没有设置控制电路单元的 结构之间进行比较的观测监控信号的曲线图;以及图9是示出用于在插入控制电路单元的结构与没有设置控制电路单元的结构之 间进行比较的观测监控信号的曲线图,其中,图5的半导体激光器被图7的等效电路替代。具体实施例方式以下描述本专利技术的优选实施方式(以下称为实施方式)。这里,根据以下顺序给出描述。1.实施方式2.另一实施方式3.变形实例4.又一实施方式5.特性的测量1.实施方式在图1中示出了本专利技术实施方式的光学拾取器的示意性结构图(框图)。该光学拾取器10包括信号发生电路11、RF放大器12、半导体激光器13、准直透镜 14、光束分离器15、物镜16、17A和17B以及第一和第二光电检测器18A和18B。此外,该光学拾取器10利用激光照射光盘20,以在光盘20上记录信息或者再生记 录在光盘20上的信息。信号发生电路11生成用于驱动半导体激光器13的短脉冲信号Si,以使得从半导 体激光器13发出激光。优选地,假设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光装置,包括:半导体激光器;信号发生电路,生成用于驱动所述半导体激光器的脉冲信号;放大电路,放大所述脉冲信号;以及控制电路单元,设置在所述放大电路和所述半导体激光器之间,并通过使所述脉冲信号的交流分量通过而去除所述脉冲信号的直流分量的至少一部分来控制所述脉冲信号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:丸山务藤田五郎
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:JP

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