The invention relates to a method for preparing three component AlxGa1-xN nano cones, which can realize the regulation in the whole component range of 0
【技术实现步骤摘要】 【技术保护点】 【技术特征摘要】
本专利技术涉及一种制备三元组分AlfahN纳米锥的方法。
技术介绍
以GaN为代表的III族氮化物(A1N、GaN, InN及其多元合金)因其宽带隙和优异 的理化性质(如高熔点、高电子饱和迁移速度、高击穿电场、高热导率、低热膨胀系数、高化 学稳定性、大压电系数等)，成为第三代半导体材料，在高温大功率电子器件和光电子器件 (如场效应晶体管、发光二极管、激光二极管等)中获得了成功应用(F. A. Ponce et al., Naturel997, 386, 351—359; S. N. Mohammad et al., Prog. Quantum Electron. 1996, 20，361-525; 0. Ambacher, J. Phys. D: App 1. Phys. 1998，31, 2653—2710; P. Kung et al.，Opto-Electron. Rev. 2000，8, 201-239. )。A1N、GaN 禾Π InN 的带隙分别为 6. 2、 3. 4和0.7 eV。它们容易形成多元合金AlxGay^i1TyN,通过调变多元合金的...
１．一种制备三元组分ＡｌｘＧａ１－ｘＮ纳米锥的方法，其特征在于，采用化学气相沉积法，以无水ＧａＣｌ３为镓源，无水ＡｌＣｌ３为铝源，在ＧａＣｌ３和ＡｌＣｌ３的蒸发温度分别为７０～９０℃和１３０～１５０℃条件下，与氮源反应，生成单相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ纳米锥，其中０（ｘ（１。
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