检测外延单晶正常成长的方法技术

本发明专利技术公开了一种检测外延单晶正常成长的方法，它可以在不损害到产品的情况下，实现简单快速地检测外延单晶的成长情况。它包括如下步骤：第一步，设定待检测硅片的反射率范围；第二步，检测外延单晶成长后的硅片的反射率；第三步，将检测得到的反射率和设定的反射率进行比较，如果检测得到的反射率在设定的反射率范围内，则表示外延单晶已经正常成长，否则表示没有正常成长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
在现有的外延单晶成长的工艺中，通过测方块电阻来辨别是否已 经长了单晶，但是在现有测方块电阻工艺中用到了四探针法，该方法 需要将探针扎到产品的表面，容易造成缺陷的产生。另外，也有通过 测定硅片厚度的方式进行检测，但由于厚度本身就很小，不易检测， 并且检测不准确，工艺较为复杂。这样就需要找到一种既能快速监控单晶成长又不会损害产品的 简单快捷的方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种检测外延单晶正常成长 的方法，它可以在不损害到产品的情况下，实现简单快速地检测外延 单晶的成长情况。为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种检测外延单晶正常成 长的方法，其特征在于，它包括如下步骤第一步，设定待检测硅片 的反射率范围；第二步，检测外延单晶成长后的硅片的反射率；第三 步，将检测得到的反射率和设定的反射率进行比较，如果检测得到的 反射率在设定的反射率范围内，则表示外延单晶已经正常成长，否则表示没有正常成长。因为本专利技术采用利用测定硅片的反射率并进行比较反射率的方 法进行辨别硅片的外延单晶是否成长，不需要直接接触到硅片，所以 可以避免损害到硅片，另外由于测定反射率比较快捷，没有过多的计 算，所以可以快速完成检测。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。图1是本专利技术检测流程示意图。具体实施例方式由于硅片是由直拉单晶后进行激光切割和化学机械研磨形成的， 表面会较外延生长的表面粗糙，在外延淀积过程中，气体反应产生的 原子撞击到硅片表面并移动直至在适当位置与硅片表面的原子键合， 只要在合适的工艺条件即一定的淀积速率和一定的温度分布下，外延 层和衬底有相同的结晶方式，如果再能够使表面更为光滑，那么外延 单晶的反射率就会比硅片的光片稍高，这样就可以利用测定反射率的 不同来发现是否已经正常外延单晶了，如果测下来反射率比正常的光 片的反射率还低，则产品异常外延单晶。我们采用的是双光束测厚仪，它采用分光镜将一束可见光分成相 同相位的两束光， 一束光入射到硅片表面，通过硅片表面的反射，被 光电管接收，而另一束的光不经过硅片表面的反射直接被光电管接 收，两束被接收的光的光强之比即为硅片表面的反射率。在实际数据采集中，利用双光束测厚仪，370纳米波长的光谱进行测量，外延单晶和纯硅片反射率比较，如表1所示。表l<table>table see original document page 5</column></row><table>从表1我们发现异常外延单晶片的反射率比纯硅片要低，而正常 外延单晶片的放射率比纯光片要高，而且比较稳定，所以可以利用来作为监控外延单晶的方法。如图1所示，它是本专利技术检测流程示意图。它包括如下步骤 步骤IOI，当要检测的产品到来时，首先根据经验值设定待检测硅片的反射率范围。比如可以如表l所示，将设定反射率范围设定为57%-58%;步骤102，检测外延单晶成长后的硅片的'反射率；步骤103，将检测得到的反射率和设定的反射率进行比较，如果检测得到的反射率在设定的反射率范围内，则表示外延单晶己经正常成长，否则，表示没有正常成长。步骤104，如果没有在设定的检测范围，会发出报警，通知工程师进行处理。步骤105，如果正好在设定的检测范围内，则正常流入到下一个 工艺中。通过上述检测，不但可以及时发现不合格的产品，而且不伤及产 品，实现了及时快速的检测要求，进而提高了生产的效率。权利要求1、一种，其特征在于，它包括如下步骤第一步，设定待检测硅片的反射率范围；第二步，检测外延单晶成长后的硅片的反射率；第三步，将检测得到的反射率和设定的反射率进行比较，如果检测得到的反射率在设定的反射率范围内，则表示外延单晶已经正常成长，否则表示没有正常成长。2、 如权利要求1所述的，其特征 在于，所述检测硅片反射率的方法是采用分光镜将一束可见光分成相 同相位的两束光， 一束光入射到硅片表面，通过硅片表面的反射，被 光电管接收，而另一束的光不经过硅片表面的反射直接被光电管接 收，两束被接收的光的光强之比即为硅片表面的反射率。3、 如权利要求2所述的，其特征 在于，所釆用的光束波长小于400纳米。4、 如权利要求1所述的，其特征 在于，它还包括第四步，如果检测到的反射率不在设定的反射率范围 内，发出报警信息。全文摘要本专利技术公开了一种，它可以在不损害到产品的情况下，实现简单快速地检测外延单晶的成长情况。它包括如下步骤第一步，设定待检测硅片的反射率范围；第二步，检测外延单晶成长后的硅片的反射率；第三步，将检测得到的反射率和设定的反射率进行比较，如果检测得到的反射率在设定的反射率范围内，则表示外延单晶已经正常成长，否则表示没有正常成长。文档编号C30B25/00GK101191250SQ20061011854公开日2008年6月4日 申请日期2006年11月21日 优先权日2006年11月21日专利技术者徐伟中, 欣 杨, 王剑敏, 王海军, 煊 谢 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测外延单晶正常成长的方法，其特征在于，它包括如下步骤：第一步，设定待检测硅片的反射率范围；第二步，检测外延单晶成长后的硅片的反射率；第三步，将检测得到的反射率和设定的反射率进行比较，如果检测得到的反射率在设定的反射率范围内，则表示外延单晶已经正常成长，否则表示没有正常成长。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王海军，王剑敏，谢煊，徐伟中，杨欣，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]