用于提炼熔融材料的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于使硅或其它材料定向固化的方法。使冷却板（１９）下降入硅熔体（１８）中并使固体硅锭（２９）向下固化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对可熔融及固化的材料进行提炼或纯化。其特别适 用于(但并非仅适用于)对金属、尤其是对硅进行纯化，例如对用于制 造太阳能电池的硅原料进行提炼。
技术介绍
定向固化在光电(PV)行业中广泛用于制造铸锭，这些铸锭;f皮切割成晶片并随后加工成太阳能电池。在现有技术中占主导地位的系统 是在石英坩锅中使硅由底部至顶部进行定向固化。可使用同一原理对硅进行提炼，以制成PV行业所用的原料。此 时可使用定向固化、通过偏析而控制杂质，既可调节不同元素(Al, Ca, Fe, Ti， Mn, B, P等)的绝对浓度(level)，也可调节其相对浓度。 此外，该工艺须将在该工艺中所形成的微粒及来自进料硅的微粒考 虑在内。现有方法的缺点在于，石英坩锅只能使用一次，这是因为其会 在硅锭(及坩锅)冷却过程中因坩锅材料的相变而遭到破坏。此外，为 避免硅粘附于坩锅上，石英坩锅需要具有防粘层，例如一层S"N4。本专利技术的 一 目的是提供一种能减轻对铸锭的污染的改良的固化 工艺。本专利技术的另 一 目的是提供一种无需在各铸锭的铸造之间更换熔 融材料容器便可对例如硅等熔融材料进行提炼的系统。专利技术描述根据本专利技术的一个方面，提供一种对材料进行提炼的方法，其 包含下列步骤在容器中形成所述材料的熔体；使冷却面接触所述熔体的表面，从而使所述熔融材料固化并粘附至所述冷却面上；以及，逐渐地向下固化所述熔融材^"，以形成粘附至所述冷却面上的 所述材料的固体锭。尽管是将本专利技术界定为一种提炼方法，然而也可将本专利技术视为一种定向固化方法。因此，本专利技术提供一种流水线式生产工艺，在该生产工艺中， 对熔炉容器进行加热并进行铸锭，但在所述容器内不存在锭接触，因而可在将锭移出之后对所述容器进行重新填料。在各次铸锭之间， 不需要对所迷容器进行冷却。较佳地，对所述容器的壁及底部进行加热。较佳地，使熔体保 持处于惰性气体或受控气氛中。所述方法特别适用于对例如硅等金 属进行提炼及纯化。所述方法的优点是，在形成铸锭时，铸锭中的杂质浓度相对于 熔体其余部分降4氐。然后，从所述容器或坩锅中移出铐^l定并倾倒掉 或重新处理具有高杂质含量的其余液体。所述容器不必得到破坏并 可重新利用。成核位置从坩锅简化至一个板或并排设置的几个板的 表面。这一个板或并排设置的这几个板是由呈分层结构的几个板组成。所述冷却表面可以不连续形成，以帮助确保粘附铸4t。因此，通过釆用本专利技术，使提炼工艺在几个方面得到优化。 使用偏析来提炼及控制金属杂质。这些杂质将从固体与液体硅之间的界面推移至液体主体中。可通过偏析及掺杂(在铸锭之前或铸锭过程中)而获得^皮提炼材料的所需电阻率。绝对电阻率值将取决于最终用户的工艺及要求。密度高于熔融硅的微粒被移除。如果在定向固化过程中所带入或所形成的微粒的密度足够高于熔融硅，则其将沉降至底部。其可在熔融池的底部形成高密度层。密度低于硅或稍高于硅的微粒也可得到移除。其将神皮推移至固 体硅与熔融硅之间界面的前面。如果这些微粒被充分地推移至液体 主体中，则其将在容器中遵循对流模式。通过将使杂质随流动冲莫式移动的力与沉降力相结合，可使所述 固化过程得到优化。高密度杂质含量较高的熔融硅将从固化界面朝 底部流动。较重的微粒将同样如此，而密度差别很小或不存在差别 的微粒将在容器中跟随流动。如果固化是在池的顶部至底部进行， 则可更容易对这些机理进行优化。因此，与从熔融池底部开始进行生长相比，由顶部至底部进行 定向固化更能够控制杂质。固化过程可一直进行，直到既定的部分 得到固化为止(达到既定的锭高度或尺寸)。残留的液体硅中所含有的 杂质及较重微粒的比例将高于起始材料，并可通过倾倒等手段而转移出容器。主要的微粒杂质往往是SiC、 Si,Ny或SixOyNz。根据本专利技术的另 一方面，提供一种用于对材料进行提炼的装置， 其包含容器，该容器具有底部及侧壁，用于容纳熔融态材料；以 及冷却板，该冷却板可移入及移出所述容器的顶部。较佳地，所述容器具有受热的壁和/或底部。较佳地，所述容器 的壁和/或底部是由导热性、但在化学上呈惰性且耐高温的材料制成: 例如由石墨、氮化硅、碳化硅、硅石、氧化铝、氮氧化硅或其它陶 瓷质氧化物制成。较佳地，所述冷却板包含多个层，包括与冷却装置进行工作接 触的导热层及用于接触熔融材料的接触层。较佳地，所述接触层及 任一 中间层是由导热性、但在化学上呈惰性且耐高温的材料制成， 例如由石墨、氮化硅、碳化硅、硅石、氮氧化硅、氧化铝或其它陶 瓷质氧化物制成。所迷导热层可以是金属，例如铜、铝或某种适宜 的合金。此外，可在其它层之间纳入加热层，例如一层电阻加热元 件或者感应加热层。此可更好地控制冷却过程。所述板可包含中间层，所述中间层附着至导热层上并可与所述 接触板形成滑动配合或卡扣配合。较佳地在容器上方具有气密性封 盖，以维持惰性或受控气氛。附图简述本专利技术可通过各种方式实施，且下文将参照附图以举例方式对某些实施例进行说明，附图中图l为一种用于实施本专利技术的装置的垂直剖面图； 图2为在附图说明图1所示线AA上的剖面图3为示意性剖面图，其显示熔融材料中的可能的对流图案； 图4为根据一实施例的温控板的示意性剖面图；以及 图5及图6为类似于图4的视图，其显示两个备选实施例。专利技术详述图1及2显示一种用于使熔融硅石定向固化的装置。该装置包 含容器U，容器11具有受热的底部12、受热的端壁13及受热的侧 壁14。容器11衬垫有外村层15及内衬层16。这些衬层的材料应为 导热性、但在化学上呈惰性且耐高温的材料，且适宜的材料包括石 墨、碳化硅、氮化硅、硅石、氧化铝、氮氧化硅或其它陶瓷质氧化 物。内衬层16界定外壳17,以用于容纳硅熔体18。在外壳17及熔体18上面具有温控板19。板19悬桂于支架21 上，并包含导热层22、中间隔离层23及接触层24。导热层22具有 一系列冷却管25，且接触层24具有粗糙化的接触面26。导热层22通常是由例如铜或铝等导热金属制成。管道25中的 冷却介质是任何适宜的液体/气体，例如水或油。隔离层23及接触层 24是由导热性、但耐热且在化学上呈惰性的材料制成，例如由石墨、 碳化硅或氮化硅制成。容器11及板19上盖有气密性封盖30。由此在熔体18上方容纳惰性气氛27。还具有两个隔离门28，其可在将封盖30移开时置于 外壳17上方。在使用中，将硅置于外壳17中并通过受热的底部12及壁13、 14 进行加热，直到其形成熔体18为止。或者，可将熔融的硅直接充注 入外壳17中。将板19放低，使接触面26略微浸没于熔体18的表 面以下。管道25对板19所施加的冷却效应使硅熔体18固化并粘附 至接触面26上，从而形成固体硅锭29。然后，提升板19，使其高于熔体18的液面、但硅锭29仍浸没 于液体中。然后，通过进一步冷却而使更多的硅熔体18固化，结果 使硅锭29向下生长。当硅锭29已达到所要求尺寸时，将其提离外壳17并移出。在 外壳17中重新充注硅并将隔离门28置于外壳上面，以使硅保持熔 融状态。同时，将硅锭29及接触层24从板19上移开，以供用于进 行进一步的制造，使硅锭重新熔化而制成用于制造太阳能电池晶片 (wafer)的硅锭或者用于直接制造太阳能电池晶片。重新放上接触层24 并重复进行上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对材料进行提炼的方法，其包含下列步骤：在容器中形成所述材料的熔体；使温控接触面接触所述熔体的表面，从而使所述熔融材料固化并粘附至所述温控接触面上；以及使熔融材料逐渐向下固化，以形成粘附至所述接触面上的所述材料的固体锭。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：K弗里斯塔德，
申请(专利权)人：埃尔凯姆太阳能公司，
类型：发明
国别省市：NO[挪威]