【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制备用于生产光电(PV)太阳能电池的定向凝固切克劳斯基、浮区或多晶硅锭,薄硅片或条的方法。
技术介绍
近年来,由电子芯片行业中合适的刮屑、切屑、次品所生产的超纯新鲜(virgin)电子级多晶硅(EG-Si)已经用于光电太阳能电池的制备。近来电子行业的低迷导致闲置的多晶硅产能被用来生产适用于生产PV太阳能电池的较低成本等级。这就暂时缓解了太阳能级多晶硅(SoG-Si)供料品质的紧张市场需求。随着电子设备的需求量回到正常水平,预计多晶硅产能中的主要份额将回到电子行业的供应中,而令PV行业供应不足。专供低成本来源的SoG-Si的短缺以及因此而不断扩大的供应缺口现已成为PV行业未来发展最严重的障碍之一。近年来,已经进行了开发用于SoG-Si的新来源的多次尝试,其独立于电子行业价值链。这些努力不仅包括有效降低现有多晶硅工艺路线成本的新技术,还包括发展冶金学精炼工艺,从而将来源丰富的冶金级硅(MG-Si)纯化到所需的纯度。至今仍然没有人能够在从常规硅进料品质出发生产出符合PV太阳能电池性能要求的预计硅进料纯度的同时成功地显著降低生产成本。生产PV太阳能电池时,准备SoG-Si供料进料,熔融并定向凝固到专用的铸造用炉内的方形锭中。在熔融之前,含SoG-Si的进料要用硼或磷掺杂,以分别制备p型或n型锭。除了少数例外情况之外,现在的商用太阳能电池通常是基于p型硅锭材料制备的。控制单一掺杂剂(如硼或磷)的添加,可以使材料获得优选的电阻率,例如在0.5-1.5ohm cm范围。需要p型锭时,相应要添加0.02-0.2ppma硼,并使用特有品质的(掺杂剂 ...
【技术保护点】
一种用于制备定向凝固切克劳斯基、浮区或多晶硅锭或者薄片或者条的方法,它们用于从初始含有0.2ppma至10ppma硼和0.1ppma至10ppma磷的硅原料生产用于太阳能电池的晶片,所述方法的特征在于,如果硅原料中的硼含量高于磷含量,那么通过在定向凝固工艺期间向熔融硅间歇、连续或者基本连续地添加硼保持熔融硅中的硼含量高于磷含量,以便延伸作为p型材料凝固的定向凝固锭或者薄片或者条的部分;或者,如果在硅原料中磷含量高于硼含量,那么通过在定向凝固工艺期间向熔融硅间歇、连续或者基本连续地添加磷保持熔融硅中的磷含量高于硼含量,以便延伸作为n型材料凝固的锭或者薄片或者条的部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】NO 2004-12-27 200456651.一种用于制备定向凝固切克劳斯基、浮区或多晶硅锭或者薄片或者条的方法,它们用于从初始含有0.2ppma至10ppma硼和0.1ppma至10ppma磷的硅原料生产用于太阳能电池的晶片,所述方法的特征在于,如果硅原料中的硼含量高于磷含量,那么通...
【专利技术属性】
技术研发人员:C德思洛夫,K弗里斯塔德,
申请(专利权)人:埃尔凯姆太阳能公司,
类型:发明
国别省市:NO[挪威]
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