【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子元器件中有机电致发光
，具体涉及一种以量子阱结构作发光层的有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)属于载流子双注入型发光器件，在外界电压驱动下，带负电的电子与带正电的空穴在有机层作相向运动，当它们相遇时便可能发生复合而放出能量，并将能量传递给有机发光材料分子，使其受到激发，从基态跃迁到激发态，当受激分子从激发态回到基态时辐射跃迁而产生发光现象。由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制作流程较简单等优异特性，因此有着“梦幻显示器”之称的OLED被认为是新一代的平面显示器新兴应用技术，并以其优异的性能和低廉的生产成本吸引了全球有多家企业研发和生产。早在1987年，柯达公司的C.W.Tang等人专利技术了三明治结构的有机电致发光器件，使人们看到了有机电致发光器件作为继液晶显示器之后的具有创新一代平板显示器件的希望。1998年，Princeton大学的Baldo和教授等人发现磷光电致发光的现象，突破...
【技术保护点】
１．一种以量子阱结构作发光层的有机电致发光器件，包括透明衬底、阳极层、阴极层和设置在阳极和阴极层之间的有机功能层，所述阳极层或阴极层位于透明衬底表面，所述有机功能层包括发光层，其特征在于，发光层采用单个或多个量子阱结构，所述量子阱结构为：主体材料层／客体材料层／主体材料层，所述单个量子阱结构厚度不超过７ｎｍ，单层主体材料层厚度不超过３ｎｍ，单层客体材料层厚度不超过１ｎｍ，所述客体材料的最高占有轨道与最低占有轨道能级都被对应包含在主体材料的能级内。
【技术特征摘要】
1.一种以量子阱结构作发光层的有机电致发光器件，包括透明衬底、阳极层、阴极层和设置在阳极和阴极层之间的有机功能层，所述阳极层或阴极层位于透明衬底表面，所述有机功能层包括发光层，其特征在于，发光层采用单个或多个量子阱结构，所述量子阱结构为：主体材料层/客体材料层/主体材料层，所述单个量子阱结构厚度不超过7nm，单层主体材料层厚度不超过3nm，单层客体材料层厚度不超过1nm，所述客体材料的最高占有轨道与最低占有轨道能级都被对应包含在主体材料的能级内。2.根据权利要求1所述的以量子阱结构作发光层的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料层材料是4，4’-二(咔唑-9-yl)联苯、4，4’-二(咔唑-9-yl)-2，2’-二甲基联苯、4，4’，4”-三(咔唑-9-yl)三苯胺、1，3-二(咔唑-9-yl)-苯、CBP、CDBP、TCTA、mCP、DCB或具有电子输运性质的主体材料或1，8-naphthalimide系列、1，3，5-triazine系列、tetra(aryl)silicon系列的主体发光材料。3.根据权利要求1所述的以量子阱结构作发光层的有机电致发光器件，其特征在于，所述客体材料层材料是发出红光、绿光、蓝光和黄光的磷光材料，其中发出红光的磷光材料是PtOEP或(btp)2Ir(acac)或(DPQ)Pt(acac)或(nazo)2lr(Fppz)或(nazo)2lr(Bppz)或(nazo)2lr(Fptz)或Phqlr或6CPt或Pt(thpy-SiMe3)或Ir(dpq)2(acac)或Ir(piq)3或H-Etpbip(Eu)dbm或Os(fptz)2(PPh2Me)2红色磷光材料系列；发出绿光的磷光材料是Ir(ppy)3或lr(ppy)2(acac)或Ir(Bu-ppy)3或Ir(FPP)2(acac)或Ir(dmoppy)3或ButbpyRe(CO)3CI或phenRe(CO)3CI或dmphenRe(CO)3CI或(pbi)2Ir(acac)或Cu4绿色磷光材料系列；所述发出蓝光的磷光材料是Firpic或Ir(ppz)3或FIr6或fac-lr(pmb)3或mer-Ir(pmb)3系列材料；发出黄光的磷光客体材料层材料是(tbt)2Ir(acac)或(BT)2Ir(acac)或Ir(3-piq)2(acac)或Ir(3-cf3piq)2(acac)或Ir(3-mf2piq)2(acac)或lr(3-f2piq)2(acac)或Ir(MDPP)2(acac)或Ir(DPP)2(acac)或Ir(BPP)2(acac)(CF3-bo)2Ir(acac)或Ir(DPA-Flpy)3或Ir(DPA-Flpy)2(acac)[Cu(phen)(POP)]PF6系列材料。4.根据权利要求1所述的以量子阱结构作发光层的有机电致发光器件，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟建，于军胜，高娟，蒋亚东，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90
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