【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体晶片或光器件晶片等晶片的内部形成变质层的。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，利用呈网格状排列的被称为间隔道的分割预定线，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上划分多个区域，在该划分后的区域中形成IC、LSI等器件。并且，通过沿着间隔道将半导体晶片切断而分割形成有器件的区域，由此制得各个半导体器件。并且，在蓝宝石基板的表面层叠了氮化镓系化合物半导体等的光器件晶片也沿着间隔道切断，由此分割成为各个发光二极管、激光二极管等光器件，并被广泛应用于电气设备中。关于上述的沿着间隔道分割半导体晶片等晶片的方法曾尝试过，该方法利用对晶片具有透射性波长的脉冲激光光线，使会聚点对准应分割的区域的内部来照射脉冲激光光线。利用这种的分割方法，使会聚点从晶片的一面侧对准内部， 并照射对晶片具有透射性的例如波长1064nm的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着间隔道连续形成变质层，沿着强度由于形成该变质层而下降的间隔道施加外力，由此分割被加工物(例如参照专利文献1)。在这样沿着形成于晶片的间隔道在内部形成变质层的情况下， 使激光光线的会聚点位于距晶片的上表面为预定深度的位置进...
【技术保护点】
１．一种激光加工方法，从晶片中的基板的背面侧向基板内部照射对基板具有透射性的波长的激光光线，在基板内部沿着间隔道形成变质层，所述晶片在基板的正面层叠有功能层，在利用形成为网格状的多个间隔道划分而得到的多个区域中形成有器件，所述激光加工方法的特征在于，其包括：晶片保持工序，在保持激光加工装置的被加工物的卡盘工作台上以使基板的背面在上侧的方式来保持晶片；高度位置计测工序，从基板的背面侧沿着间隔道照射检测光，根据在基板背面以及基板正面反射的反射光，沿着间隔道计测从卡盘工作台的上表面到基板背面的第一高度位置（ｈ１）、以及从卡盘工作台的上表面到基板正面的第二高度位置（ｈ２），其中，该...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：沢边大树，能丸圭司，星野仁志，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP
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