【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种形成铜铟镓硒太阳电池的方法，尤其涉及一种在非真空下以湿式 方式完成的铜铟镓硒太阳电池制作的方法。
技术介绍
由于铜铟镓硒(CIGQ太阳电池具有较高的转换效率，比如单元电池(Cell)可达 20%而模块亦可达14%，因此在众多太阳能电池中特别受到重视，尤其没有上游原材料的 限制。在现有技术中，制造铜铟镓硒太阳能电池的方法一般可分为真空制程和非真空制 程。在真空制程中，主要是使用溅镀法或蒸镀法，但是真空制程需较昂贵的处理设备且材料 利用率也较低，因而使得整体制作成本较高。对于非真空制程，通常是使用印刷法或电沉积 法，但因大面积太阳电池的量产技术仍不成熟，属于实验室开发阶段，所以市面上仍无较大 面积的商品化产品问世。因此，需要一种具高度整合性的非真空制程方法，尤其是能在背面电极层上依序 形成第一透明导电氧化层、铜铟镓硒层与硫化镉层、氧化锌层及第二透明导电氧化层，进而 产生高转换率、高质量、高可靠度且低制造成本的CIGS太阳电池。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在提供一种，用以制造 铜铟镓硒太阳电池。本专利技术所述的，是在非真空下以湿式方 式，于背面电...
【技术保护点】
１．一种非真空湿式铜铟镓硒太阳电池制作方法，用以在非真空下以湿式方式制造铜铟镓硒太阳电池的第一透明导电氧化层、铜铟镓硒层与硫化镉层、氧化锌层及第二透明导电氧化层，其特征在于，该方法包括以下依序进行的步骤：对具有背面电极层的基板，利用第一透明导电氧化层形成装置，进行第一透明导电氧化层形成处理，该背面电极层位于基板上，且该基板底下是由多个滚轮支撑并向前带动，该第一透明导电氧化层形成处理包括混合处理、涂布层形成处理、烘干处理、实密化处理、热处理及切割处理，进而在该背面电极层上形成该第一透明导电氧化层；利用铜铟镓硒层与硫化镉层形成装置，进行铜铟镓硒层与硫化镉层形成处理，包括混合处理...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：庄泉龙，
申请(专利权)人：正峰新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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