由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种由功率ＭＯＳＦＥＴ构成的双向导通的逆变器。在低占空比作ＰＷＭ模式工作时，续流损耗比导通损耗加开关损耗之和高出一个数量级，为了解决这个问题，传统的方法是：在非调制侧增加功率ＭＳＯＦＥＴ数量，以减小每个续流二极管中续流电流平均值来降低续流损耗；或者在非调制侧并联导通压降小的肖特基二极管来降低续流损耗，这样既增加了成本，又对降低损耗的效果也不甚明显。本实用新型专利技术利用功率ＭＯＳＦＥＴ在导通时允许双方电流通过的特点，在单边ＰＷＭ模式时，其同桥臂另一侧的功率ＭＯＳＦＥＴ做／ＰＷＭ工作，使续流电流流过功率ＭＯＳＦＥＴ。因而本实用新型专利技术既不增加成本，又降低了续流损耗、提高了逆变器效率。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于逆变器领域，涉及低压、大电流感性负载逆变器， 具体说是一种由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器。
技术介绍
传统的逆变器在感性负载时，当功率器件(如功率MOSFET)由导 通状态转变为截止时，为了不使感性负载电流突变，无功电流通过同桥 臂另一功率器件的体内二极管续流。当功率器件由截止状态转变为导通 时，续流二极管流过反向恢复电流，这个反向恢复电流又流过开通的功 率器件，这个电流不流经负载。所以，不是有功成分，但给正在开通的 功率器件造成电流冲击。因为功率MOSFET的导通电阻以毫欧计，所以，导通损耗仅在十 瓦级，由于功率MOSFET的开通和关断时间仅数百纳秒，所以其开关损 耗仅以瓦计。因此，低电压、大电流逆变器的功率器件首选功率MOSFET。 但是功率MOSFET的体内二极管正向导通压降均在1. 2—1. 6伏之间，因 此，在低占空比作PWM模式工作时，续流损耗比导通损耗加开关损耗之 和高出一个数量级。为了解决这个问题，传统的方法是在非调制侧增 加功率MS0FET数量，以减小每个续流二极管中续流电流平均值来降低 续流损耗；或者在非调制侧并联导 压降小的肖特基二极管来降本文档来自技高网...

【技术保护点】
由功率ＭＯＳＦＥＴ构成的双向导通的逆变器，其特征在在于：所述的逆变器由功率ＭＯＳＦＥＴ构成；其连接关系为：Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３的漏极相连连接到电源的正极；Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６的源极相连连接到电源的地；由Ｑ１源极和Ｑ４的漏极相连接构成一个半桥，中间节点接负载；由Ｑ２的源极和Ｑ５的漏极相连接构成一个半桥，中间节点接负载；由Ｑ３源极和Ｑ６的漏极相连接构成一个半桥，中间节点接负载；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６分别为Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６的栅极电阻。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘大椿，胡岩长，段志华，杨操，刘洪，
申请(专利权)人：西安尤奈特电机控制技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：87[中国|西安]