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本实用新型涉及一种由功率ＭＯＳＦＥＴ构成的双向导通的逆变器。在低占空比作ＰＷＭ模式工作时，续流损耗比导通损耗加开关损耗之和高出一个数量级，为了解决这个问题，传统的方法是：在非调制侧增加功率ＭＳＯＦＥＴ数量，以减小每个续流二极管中续流电流平均...
该专利属于西安尤奈特电机控制技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安尤奈特电机控制技术有限公司授权不得商用。

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