一种单相并网逆变器的逆变电路的控制方法技术

一种单相并网逆变器的逆变电路的控制方法，步骤包括：Ａ：中央处理器发出脉冲信号Ｗａｖｅ１、Ｗａｖｅ２和ＳＰＷＭ信号ＰＷＭ１和ＰＷＭ２；Ｗａｖｅ１和Ｗａｖｅ２为与电网同步的工频信号；Ｂ：Ｗａｖｅ１、Ｗａｖｅ２、ＰＷＭ１和ＰＷＭ２分别传送至ＶＴ１的驱动单元、ＶＴ３的驱动单元、ＶＴ２和ＶＴ５的驱动单元，以及ＶＴ４和ＶＴ６的驱动单元；功率ＭＯＳＦＥＴ的栅极串联电阻小于ＩＧＢＴ的栅极串联电阻，功率ＭＯＳＦＥＴ先于ＩＧＢＴ导通，而落后于ＩＧＢＴ关断。本发明专利技术的单相并网逆变器电路的控制方法下桥臂ＩＧＢＴ具有零电压开通的软开关特性和小电流关断的近似软开关特性，降低了系统的损耗，提高了系统的效能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路
，特别是涉及。
技术介绍
在风能或光伏等领域的单相并网逆变器技术中，如何尽可能地提高逆变器的转换 效率，是一个重要的技术问题。在现有的开关器件中，开关频率和损耗成为一对矛盾，IGBT 的导通压降低、通态损耗低，但开关损耗较高，不适合高频场合。功率MOSFET开关管的开 通、关断损耗低，适合应用在高频场合，但是导通损耗较IGBT高，且价格相对昂贵。在单相 并网逆变器的逆变电路的控制方法上，如何根据系统的特点采用相应的控制策略来提高系 统的效能，也是一个值得深入研究的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种单相并网逆变器的逆 变电路的控制方法。本专利技术的目的通过以下技术措施实现。，步骤包括A 中央处理器发出脉冲信号Wavel、Wave2和SPWM信号PWMl和PWM2 ；Wavel和Wave2 为与电网同步的工频信号，Wavel和WaVe2分别加在隔离驱动单元1和隔离驱动单元2上； Wavel和Wave2的波形为交替高电平ON和零OFF，Wave2波形与Wavel相反，Wavel的波形 为ON时，Wave2为OFF，Wavel本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单相并网逆变器的逆变电路的控制方法，其特征在于：步骤包括：Ａ：中央处理器发出脉冲信号Ｗａｖｅ１、Ｗａｖｅ２和ＳＰＷＭ信号ＰＷＭ１和ＰＷＭ２；Ｗａｖｅ１和Ｗａｖｅ２为与电网同步的工频信号，Ｗａｖｅ１和Ｗａｖｅ２分别加在隔离驱动单元１和隔离驱动单元２上；Ｗａｖｅ１和Ｗａｖｅ２的波形为交替高电平ＯＮ和零ＯＦＦ，Ｗａｖｅ２波形与Ｗａｖｅ１相反，Ｗａｖｅ１的波形为ＯＮ时，Ｗａｖｅ２为ＯＦＦ，Ｗａｖｅ１的波形为ＯＦＦ时，Ｗａｖｅ２为ＯＮ；ＰＷＭ１在Ｗａｖｅ１为ＯＮ时有信号，在Ｗａｖｅ１为ＯＦＦ时为零，ＰＷＭ２在Ｗａｖｅ２为ＯＮ时有信号，在Ｗａｖｅ２为ＯＦＦ时为零；Ｂ：Ｗａｖｅ１、Ｗａｖｅ２、ＰＷＭ１和...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海波，韩军良，郑兆宏，
申请(专利权)人：广东易事特电源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]