【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于低温等离子体材料表面处理技术,具体涉及一种原位等离子体涂镀 Ti/Cu复合涂层工艺。
技术介绍
有些工件需要在表面进行等离子体涂镀复合涂层,以满足使用性能的要求,如聚 变堆中面对等离子体的第一壁板材料,在进行热等静压焊接前,需要制备Ti/Cu复合涂层, 主要起到阻碍Be/Cu互扩散形成脆性相和缓解工件焊接后热应力等的作用。由于层间界面 杂质对界面结合强度有很大影响,因次需要对工件进行清洗和烘烤除气,去除杂质。制备得 到的膜层要求纯度高,表面光洁度好(Ra< 1.6 μ m),涂层均勻致密,界面处无孔隙,膜/基 结合牢固。在常见的电弧离子镀与磁控溅射离子镀两种镀膜技术工艺中,电弧离子镀基体 温度及金属粒子能量较高,具有较高的膜/基结合强度,但因靶材温度也较高,导致金属粒 子体积较大从而涂层表面较粗糙;磁控溅射镀膜技术在膜层制备方面,具有膜层纯度高,膜 层表面光洁度好等优点。因此,有必要将磁控溅射离子镀膜技术应用到原位等离子体涂镀 复合膜层工艺中,并实现在一台设备上同时完成烘烤除气和原位涂镀复合涂层厚膜的制备 工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的是 ...
【技术保护点】
一种原位等离子体涂镀Ti/Cu复合涂层工艺,包括如下步骤: (1)对工件表面进行清洗去污; (2)将工件装卡到真空室工件架上,且实现公转; (3)对真空室抽真空,当真空度优于1.3×10-2Pa时,开启加热电源进行加热烘烤,直至真空室内部和工件达到除气要求,烘烤过程结束; (4)向真空室中充入氩气,开启偏压电源,对工件进行辉光清洗; (5)开启Ti磁控溅射靶电源溅射沉积Ti涂层; (6)待Ti涂层厚度达到要求后,关闭Ti靶电源,真空度维持不变,打开Cu靶磁控溅射电源,在Ti膜表面再制备Cu过渡层; (7)镀膜工艺结束后,继续向真空室中充入氩气,待工件冷却后将工件从真空室取出。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:沈丽如,陈庆川,许泽金,金凡亚,陈美艳,谌继明,张年满,
申请(专利权)人:核工业西南物理研究院,
类型:发明
国别省市:90[中国|成都]
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