功率金氧半导体场效晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种功率金氧半导体场效晶体管的制造方法。在具有第一导电型的基底上形成具有第一导电型的磊晶层。在磊晶层中形成具有第二导电型的主体层。在基底上形成多数个罩幕图案。在罩幕图案之间的主体层及磊晶层中形成多数个沟渠。在沟渠的表面形成氧化物层。在沟渠中形成导体层。对罩幕图案进行削减制程，以缩小各罩幕图案的线宽。以经削减的罩幕图案为罩幕，在各沟渠的两侧的主体层中形成具有第一导电型的二源极区。在导体层上及经削减的罩幕图案之间形成多数个介电图案。移除经削减的罩幕图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，且特别涉及一种功率金氧半导体场效晶 体管(power metal-oxide-semiconductor field effect transistor ；power M0SFET)的 制造方法。
技术介绍
功率金氧半导体场效晶体管被广泛地应用在切换(power switch)元件上，例如是 电源供应器、整流器或低压马达控制器等等。一般而言，功率金氧半导体场效晶体管多采取 垂直结构的设计，以提升元件密度。其利用晶片的背面作为漏极，而在晶片的正面制作多个 晶体管的源极以及栅极。由于多个晶体管的漏极是并联在一起的，因此其所耐受的电流大 小可以相当大。随着功率金氧半导体场效晶体管的集成度的日益提升，功率金氧半导体场效晶 体管的尺寸也随之缩小。因此，功率金氧半导体场效晶体管的接触洞对沟渠的对准偏差 (misalignment)容易产生，进而影响元件的性能。举例来说，接触洞对沟渠的对准偏差会影 响通道开启电阻(Ron)及临界电压(Vth)的变异，进而限制单元间的间距(cell pitch)的缩小。此外，功率金氧半导体场效晶体管的工作损失可分成切换损失(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率金氧半导体场效晶体管的制造方法，包括：在具有一第一导电型的一基底上形成具有所述第一导电型的一磊晶层；在所述磊晶层中形成具有一第二导电型的一主体层；在所述基底上形成多数个罩幕图案；在所述罩幕图案之间的所述主体层及部分所述磊晶层中形成多数个沟渠；在所述沟渠的表面形成一第一氧化物层；在所述沟渠中形成一第一导体层；对所述罩幕图案进行一削减制程，以缩小各所述罩幕图案的线宽；以经削减的所述罩幕图案为罩幕，在各所述沟渠的两侧的所述主体层中形成具有所述第一导电型的二源极区；在所述第一导体层上及经削减的所述罩幕图案之间形成多数个介电图案；以及移除经削减的所述罩幕图案。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张翊麒，吴嘉连，
申请(专利权)人：杰力科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]