利用混合惰性成份制冷剂的制冷循环制造技术

技术编号:5537938 阅读:241 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
这份公开指向包括第一制冷循环和第二制冷循环的冷却系统。第一制冷循环有第一制冷剂,第二制冷循环有包括深冷成分混合物的第二制冷剂。这份公开也指向包括第一制冷循环和第二制冷循环的冷却系统。第一制冷循环有第一制冷剂。第二制冷循环有包括非活性成分的第二制冷剂。第二制冷剂不含全氟烃、全氯氟烃和烃。至少一部分第二制冷剂在第二制冷剂循环中被冷凝。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用混合惰性成份制冷剂的制冷循环4支术领域这<分7>开一類:地涉及制冷循环和在其中 <吏用的制冷剂。技术背景低温和深冷制冷通常用来冷却用于深冷分离的流体流, <吏气 体液化,为生物冷冻枳4是供冷却,控制化学工序的反应速率,为 材料性质分析设备提供冷却,捕获水蒸气用以在真空加工工序中 产生低蒸汽压,在诸如半导体晶片加工之类的制造工序中冷却制 品,冷却成^f象装置、亚原子粒子和光子纟笨测器,冷却化学分析设 备和冷却超导电缆和器件。传统的系统使用全氯氟烃、含氯氟烃、 含氟烃、全氟烃和烃类的制冷剂。然而,这些制冷剂有一些击夬点。传统的制冷剂是活性的而且可能分解成腐蚀性基团。诸如全 氯氟烃和全氟烃之类传统的制冷剂可能分解成腐蚀性的氯基团 和氟基团。诸如烃之类的制冷剂可能在加工条件下和在有点火源 存在的情况下是易燃的。这些制冷剂在工序的每丈感部分的泄漏的 可能造成重大的、代价高昂的损害。举例来说,在半导体加工工 序中,出现痕量的传统的全氯氟烃和全氟烃制冷剂可能导致出现 增多的自由基,这将会影响半导体电路和相关设备的生产。传统 制冷剂较大规模的泄漏可能导致火突和其它复杂情况。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种冷却系统,其中包括:    具有第一制冷剂的第一非震荡式制冷循环;以及    第二非震荡式制冷循环,其具有包括深冷气体成份混合物的第二制冷剂,其中第二制冷剂不含全氯氟烃、含氯氟烃、全氟烃、含氟烃和烃。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:凯文P弗林米克汉尔博阿斯基奥利波德特切尔尼夫
申请(专利权)人:布鲁克斯自动化有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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