一种多晶铸锭晶体的生长工艺制造技术

技术编号:5535729 阅读:456 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及太阳能电池铸锭技术领域,尤其是一种多晶铸锭晶体的生长工艺,对晶体生长过程中的长晶时间、长晶温度和长晶初期隔热笼提升位置的调整带动功率的PID控制输出,形成避免熔硅组分过冷的可抑制微晶形成的渐增式功率变化趋势,有效地克服熔硅组分过冷,抑制晶锭中微晶的形成,大大提升产品的良率且可延长铸锭炉老热场的使用寿命,使产品的成本得到很好的控制,提高产品的市场竞争力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池铸锭
,尤其是一种多晶铸锭晶体的生长工艺。技术背景多晶铸锭是采用石英坩埚作为多晶硅铸锭的容器,通过双温区或三温区控制,利 用锭上下的温度梯度实现定向凝固。GT DSS450的多晶铸锭炉在长期的使用过程中,热场长 期被腐蚀老化而使得热场整体性能变差,易造成硅熔体组分过冷形成微晶,从而影响晶体 的良率。目前抑制微晶形成的主要技术是热场改善,即加装顶加热器、在定向助凝块下外侧 四周加装隔热条、隔热笼内下侧四周加一层或多层隔热条,改善热场优化长晶抑制微晶形 成,提高产品良率,
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了解决上述存在的缺点与不足,提供一种多晶铸 锭晶体的生长工艺,主要适用于老热场多晶锭炉,抑制微晶形成,提高产品良率。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种多晶铸锭晶体的生长工艺,适 用于DSS450多晶铸锭炉,其特征是对晶体生长过程中的长晶时间、长晶温度和长晶初期 隔热笼提升位置的调整带动功率的PID控制输出,形成避免熔硅组分过冷的可抑制微晶形 成的渐增式功率变化趋势,具体为Gl长晶时间0.池 1.池、温度设定值 1435°C、 隔热笼本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶铸锭晶体的生长工艺,适用于DSS450多晶铸锭炉,其特征是:对晶体生长过程中的长晶时间、长晶温度和长晶初期隔热笼提升位置的调整带动功率的PID控制输出,形成避免熔硅组分过冷的可抑制微晶形成的渐增式功率变化趋势。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李会吴周基江陈方芳
申请(专利权)人:常州天合光能有限公司
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1