使用智能算法的实时腔室监控方法技术

提供了一种在制造半导体基底或平板显示器基底的基底停置、沉积或蚀刻工艺期间实时监控腔室的方法。通过使用等离子体发射光谱（ＯＥＳ）信息的时间序列神经网络分析方法的泄漏检测方法包括：基于ＯＥＳ信号检测从等离子体光谱是否产生了由于泄露导致空气被引入到腔室而引起的特定光谱（例如，氮、氧、氩等）；使用没有泄漏时的正常ＯＥＳ信号模式和发生泄漏时的特定光谱的反常ＯＥＳ信号模式通过时间序列神经网络分析方法，确定泄漏的发生。因此，与在关闭设备之后通过传统的泄漏检测器的泄漏检测不同，可以根据检测信号在不需要关闭设备的情况下在单个晶片的基底停置、沉积或蚀刻工艺之后立即确定泄漏的发生，，实时检查腔室的泄漏的发生。另外，当腔室发生泄漏时，可减少确定时间，因此可提高产率。另外，当在高温ＨＤＰＣＶＤ工艺期间在腔室中产生泄漏时，可容易地确定破裂并防止对腔室的破坏以及破坏引起的事故。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
置(holding)、沉积(CVD)或蚀刻工艺期间，实时监控腔室的技术，更为具 体地，涉及一种，该方法在腔室泄漏从而 外部空气引入到腔室时能够通过使用时间序列神经网络算法(或智能算法)腔室的泄漏，并且在停置、沉积或蚀刻基底的工艺期间能够实时监控来自腔 室的等离子体发射，从而通过监控检测等离子体光谱中的氮(N2)、氧(02)、 氩(Ar)等的特定光谱。
技术介绍
众所周知的，在通过使用等离子体的装置在真空中制造半导体基底(或 晶片)的工艺期间，将诸如多晶硅、氧化硅和铝层的半导体、电介质和导电 材料沉积在基底上，然后这些层被蚀刻以形成栅极、导通孔(via-hole)、接 触孔或互联图案。这时，通常通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)或氧化 和硝化工艺形成所述层。例如，在CVD工艺中，反应气体被分解以将材料层沉积在基底上。在 PVD工艺中，靶材被溅射以将材料沉积在基底上。在氧化和硝化工艺中，氧化层或硝化层可以是形成在基底上的氧化硅层 或氮化硅层。在蚀刻工艺中，由光刻胶形成的图案化的掩模层或通过硬质掩 膜光刻方法形成在基底上，从而基底的暴露部分被活性气体(例如，Cl2、 HB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用智能算法的实时腔室监控方法，所述方法包括：　　　　第一步骤，在腔室中没有泄漏的状态下，在特定数量的基底的基底停置、沉积或蚀刻工艺期间，预先顺序地获得正常模式值，其中，通过腔室中等离子体的发射光谱ＯＥＳ信号的积分值获得所述正常模式值；第二步骤，在特定数量的基底经过基底停置、沉积或蚀刻工艺的状态下，当通过监控从等离子体光谱检测到泄漏引起的特定光谱时，将先前在第一步骤中获得的正常模式值替换为发生泄漏时的等离子体的ＯＥＳ信号积分值；　　　　第三步骤，通过时间序列神经网络算法将替换的模式值与正常模式值相比较，以检测泄漏并确定工艺差错。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：禹奉周，李东锡，文珠荣，金泰东，金学权，朴炳澯，金光泰，李淳钟，
申请(专利权)人：塞米西斯科株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]