光烧结装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术的光烧结装置包括：第一弯曲部，其配置在向被处理物发光的发光部所在位置的左上侧且具有向上鼓起的形状，向被处理物的方向反射从发光部射出的光；第二弯曲部，其配置在发光部所在位置的右上侧且具有向上鼓起的形状，向被处理物的方向反射从发光部射出的光；第一反射壁，其具有从第一弯曲部的左侧端部向下曲线延伸的形状；及第二反射壁，其具有从第二弯曲部的右侧端部向下曲线延伸的形状，第一弯曲部的弦与第二弯曲部的弦位于同一线上，第一弯曲部的右侧端部与第二弯曲部的左侧端部形成接点，从接点向发光部的长度方向剖面中心延伸的线可以相对于形成有被处理物的基板垂直。本实用新型专利技术能够提高光均匀度。

【技术实现步骤摘要】
光烧结装置
本技术涉及光烧结装置，尤其涉及光烧结装置提高射出的光的均匀度的光烧结装置。
技术介绍
目前，随着电子技术与信息通信技术的发展而开发出了智能设备、OLED、太阳电池等多种电子设备。用于这些电子设备的电子元件的制造需要利用印刷电子技术。印刷电子技术是通过工业印刷处理工艺技术将具有导电性、绝缘性、半导体性等的功能性油墨印刷在塑料、膜、纸、玻璃、基板上制造所需功能的电子元件的技术。这种印刷电子技术可以作为在各种元件上印刷的方式应用，通过不同于现有电子产业的制造工序，能够实现大量生产、大面积化及工序的简化。印刷电子技术的工序由印刷、干燥、烧结等三个步骤构成。此处，对产品性能起到较大影响的步骤是烧结工序。烧结是指融化纳米粒子制造固体形态的功能性薄膜，是新一代
中具有相当大的价值的工序。一般的烧结工序通过热烧结法、微波烧结法、激光烧结法等完成。现有的热烧结法需要在高温真空腔环境进行烧结工序，因此无法适用于耐热性差的柔性基板，而其他烧结方法则因工序时间长、需要经过复杂的步骤，因此具有生产性低、制造成本上升的问题。为解决这些问题而已经开发出的光烧结技术如下述现有技术文献的专利文献所公开。光烧结技术是通过传播氙灯发生的白色光融化纳米粒子，与现在利用热等的方法相比能够明显更快、大量地生产功能性薄膜。但现有的光烧结装置具有只能实现局部烧结、烧结均匀性不足、无法适用于大面积基板的问题。因此，现在亟待开发能够解决现有光烧结装置的问题的方案。【现有技术文献】【专利文献】(专利文献1)韩国专利公开公报2014-0094789
技术实现思路
技术问题本技术要解决的一个技术问题是提供一种提高光均匀度的光烧结装置。本技术要解决的另一技术问题是提供一种适于卷对卷(RolltoRoll)工序的光烧结装置。本技术要解决的技术问题不限于以上内容。技术方案为解决上述技术问题，本技术提供光烧结装置。根据本技术实施例的光烧结装置包括：第一弯曲部，其配置在向被处理物发光的发光部所在位置的左上侧且具有向上鼓起的形状，向所述被处理物的方向反射从所述发光部射出的光；第二弯曲部，其配置在所述发光部所在位置的右上侧且具有向上鼓起的形状，向所述被处理物的方向反射从所述发光部射出的光；第一反射壁，其具有从所述第一弯曲部的左侧端部向下曲线延伸的形状；及第二反射壁，其具有从所述第二弯曲部的右侧端部向下曲线延伸的形状，所述第一弯曲部的弦与所述第二弯曲部的弦位于同一线上，所述第一弯曲部的右侧端部与所述第二弯曲部的左侧端部形成接点，从所述接点向所述发光部的长度方向剖面中心延伸的线(line)可以相对于形成有所述被处理物的基板垂直。根据本技术一个实施例的光烧结装置的所述第一反射壁及所述第二反射壁中至少一个反射壁可以具有随着趋向所述被处理物的方向而相对于形成有所述被处理物的基板向外侧张开的曲线形状。根据本技术的一个实施例，所述第一反射壁及所述第二反射壁可以以从所述接点向所述发光部的长度方向剖面中心延伸的线为基准彼此对称。根据本技术的一个实施例的光烧结装置的所述第一反射壁及所述第二反射壁中至少一个反射壁的曲率可以随着趋向形成有所述被处理物的基板方向逐渐增大。根据本技术的一个实施例的光烧结装置，在卷对卷(rolltoroll)工序中所述被处理物的移动方向为从所述第一反射壁到所述第二反射壁的方向，形成有所述被处理物的基板的中心位于所述接点的下侧的情况下，所述第一反射壁可以比所述第二反射壁更相对于形成有所述被处理物的基板向外侧张开。根据本技术的一个实施例的光烧结装置在卷对卷工序中所述被处理物的移动方向为从所述第一反射壁到所述第二反射壁的方向的情况下，所述第一反射壁的反射率可以小于所述第二反射壁的反射率。根据本技术的一个实施例的光烧结装置，所述第一弯曲部以所述第一弯曲部的中心为基准对称，所述第二弯曲部以所述第二弯曲部的中心为基准对称。根据本技术的一个实施例的光烧结装置的所述发光部是氙灯，所述氙灯可以配置在从所述第一弯曲部的右侧端部与所述第二弯曲部的左侧端部形成的接点向下侧方向相隔的位置。根据本技术另一实施例的光烧结装置包括：内部上端面，其向被处理物方向反射从发光部射出的光；第一反射壁，其具有从所述内部上端面的一端部向下曲线延伸的形状；及第二反射壁，其具有从所述内部上端面的另一端部向下曲线延伸的形状，所述第一反射壁及所述第二反射壁中至少一个反射壁具有随着趋向所述被处理物的方向而相对于所述被处理物向外侧张开的曲线形状。根据本技术又一实施例的光烧结装置包括：内部上端面，其向被处理物方向反射从发光部射出的光；第一反射壁，其具有从所述内部上端面的一端部向下曲线延伸的形状；及第二反射壁，其具有从所述内部上端面的另一端部向下曲线延伸的形状，所述第一反射壁及所述第二反射壁中至少一个的曲率随着趋向形成有所述被处理物的基板方向逐渐增大技术效果根据本技术的实施例，包括配置在向被处理物发光的发光部所在位置的左上侧且具有向上鼓起的形状，向所述被处理物的方向反射从所述发光部射出的光的第一弯曲部、配置在所述发光部所在位置的右上侧且具有向上鼓起的形状，向所述被处理物的方向反射从所述发光部射出的光的第二弯曲部、从所述第一弯曲部的左侧端部向下曲线延伸的第一反射壁及从所述第二弯曲部的右侧端部向下曲线延伸的第二反射壁，所述第一弯曲部的右侧端部与所述第二弯曲部的左侧端部形成接点，从所述接点向所述发光部的长度方向剖面中心延伸的线(line)能够相对于所述被处理物垂直。从发光部的长度方向剖面中心向第一弯曲部与第二弯曲部的接点延伸的线相对于被处理物垂直，因此从发光部射出的光能够均匀地照射到被处理物。并且，第一反射壁及第二反射壁具有向下曲线延伸的结构，因此能够进一步提高从发光部射出的光均匀度的效果。本技术的效果不限于上述效果，可通过以下说明更明确理解。附图说明图1为根据本技术第一实施例的光烧结装置的分解立体图；图2用于说明本技术第一实施例的反射罩，是沿图1中A-A′线的剖面图；图3为用于说明利用根据本技术第一实施例的光烧结装置的导电膜形成方法的流程图；图4用于说明根据本技术第二实施例的反射壁，是对应于图1中A-A′线的剖面图；图5为用于说明利用根据本技术第二实施例的光烧结装置的卷对卷导电膜形成方法的示意图。附图标记说明1：被处理物10：发光部30：反射罩33a：第一弯曲部33b：第二弯曲部40a：第一反射壁40b：第二反射壁50：固定部60：滤光器70：外壳S：基板C：中心线具体实施方式以下参见附图具体详述本技术的优选实施例。但本技术可以具体化成其他形态，因此技术思想不限于此处说明的实施例。此处介绍的实施例是为了使所公开的内容彻底、完整，是为了本领域技术人员能够充分理解本技术的思想而提供的。本说明书中提到某个构成要素位于其他构成要素上的情况下，表示可直接形成于其他构成要素上或它们之间可能还有第三构成要素。另外，关于附图，形状及区域的厚度是为有效说明
技术实现思路
而夸张显示的。并且，本说明书的多种实施例中使用的第一、第二、第三等术语用于记叙多种构成要素，但这些构成要素不得限定于这些术语。这些只是为了区分某一构成要素与其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光烧结装置，其特征在于，包括：第一弯曲部，其配置在向被处理物发光的发光部所在位置的左上侧且具有向上鼓起的形状，向所述被处理物的方向反射从所述发光部射出的光；第二弯曲部，其配置在所述发光部所在位置的右上侧且具有向上鼓起的形状，向所述被处理物的方向反射从所述发光部射出的光；第一反射壁，其具有从所述第一弯曲部的左侧端部向下曲线延伸的形状；及第二反射壁，其具有从所述第二弯曲部的右侧端部向下曲线延伸的形状。

【技术特征摘要】
2016.03.25 KR 10-2016-00361441.一种光烧结装置，其特征在于，包括：第一弯曲部，其配置在向被处理物发光的发光部所在位置的左上侧且具有向上鼓起的形状，向所述被处理物的方向反射从所述发光部射出的光；第二弯曲部，其配置在所述发光部所在位置的右上侧且具有向上鼓起的形状，向所述被处理物的方向反射从所述发光部射出的光；第一反射壁，其具有从所述第一弯曲部的左侧端部向下曲线延伸的形状；及第二反射壁，其具有从所述第二弯曲部的右侧端部向下曲线延伸的形状。2.根据权利要求1所述的光烧结装置，其特征在于：所述第一弯曲部的弦与所述第二弯曲部的弦位于同一线上，所述第一弯曲部的右侧端部与所述第二弯曲部的左侧端部形成接点，从所述接点向所述发光部的长度方向剖面中心延伸的线相对于形成有所述被处理物的基板垂直。3.根据权利要求1所述的光烧结装置，其特征在于：所述第一反射壁及所述第二反射壁中至少一个反射壁具有随着趋向所述被处理物的方向而相对于形成有所述被处理物的基板向外侧张开的曲线形状。4.根据权利要求2所述的光烧结装置，其特征在于：所述第一反射壁及所述第二反射壁以从所述接点向所述发光部的长度方向剖面中心延伸的线为基准彼此对称。5.根据权利要求1所述的光烧结装置，其特征在于：所述第一反射壁及所述第二反射壁中至少一个反射壁的曲率随着趋向形成有所述被处理物的基板方向逐渐增大。6.根据权利要求2所述的光烧结装置，其特征在于：在卷对卷工序中所述被处理物的移动方向为从所述第一反射壁到所述第二反射壁的方向，形成有所述被处理物...

【专利技术属性】
技术研发人员：李淳钟，禹奉周，李东锡，
申请(专利权)人：塞米西斯科株式会社，
类型：新型
国别省市：韩国,KR