腔体泄漏检测方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种腔体泄漏检测方法及其装置。腔体泄漏检测方法包括：对所述腔体执行清洗工序后进行等离子体反应的步骤；以及，通过分析所述等离子体反应检测所述腔体的泄漏的步骤。本发明专利技术的腔体泄漏检测方法及其装置能够在不影响半导体工序的情况下迅速检测腔体泄漏。

Cavity leak detection method and device

The invention discloses a cavity leak detection method and a device thereof. The cavity leak detection method comprises the steps of performing plasma reaction after the cleaning operation of the cavity; and detecting the leakage process of the cavity by analyzing the plasma reaction. The cavity leak detection method and device of the invention can rapidly detect the cavity leakage without affecting the semiconductor process.

【技术实现步骤摘要】
腔体泄漏检测方法及其装置
本专利技术涉及腔体泄漏检测方法及其装置。
技术介绍
在真空状态执行半导体工序的腔体发生泄漏的情况下，具有引发设备不良的问题。对此，目前通过残余气体分析仪(RGA)、上升率(RateofRise)、氦气检漏仪(Hedeteetor)等检测腔体泄漏。但目前的这些检测腔体泄漏的方式需要特殊设备，或为了检测泄漏而消耗相当长的准备时间，因此对工序造成影响。除上述方式以外，还有在工序过程中通过等离子体反应检测腔体泄漏的方法。但由于工序过程中通过等离子体反应检测腔体泄漏的现有方法受到半导体工序期间位于腔体内侧的沉积物质等影响，因此无法准确检测腔体泄漏。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的在于提供一种能够在不影响半导体工序的情况下迅速检测腔体泄漏的腔体泄漏检测方法及其装置。技术方案根据本专利技术的一个方面，提供一种能够在不影响半导体工序的情况下迅速检测腔体泄漏的腔体泄漏检测方法。根据本专利技术的一个实施例，能够提供一种腔体泄漏检测方法，是检测腔体泄漏的方法，包括：对所述腔体执行清洗工序后进行等离子体反应的步骤；以及，通过分析所述等离子体反应检测所述腔体的泄漏的步骤。所述泄漏的检测能够在所述清洗工序后、下一个半导体工序开始之前执行。进行等离子体反应的所述步骤能够包括：所述清洗工序后通过注入等离子体反应气体泵吸所述清洗工序中使用的清洗气体的步骤；以及，使所述等离子体反应气体进行等离子体反应的步骤。检测泄漏的所述步骤能够包括：获取关于所述等离子体反应的等离子体频谱的步骤；以及，通过分析所述等离子体频谱，检测到除关于所述等离子体反应气体的频谱以外的对象物质的频谱的情况下，判断为所述腔体存在泄漏的步骤，其中，所述对象物质为N2、O2。获取等离子体频谱的所述步骤能够在100至1000nm之间的波段以0.1至10nm之间的分辨率获取所述等离子体频谱。根据本专利技术的另一实施例，能够提供一种腔体泄漏检测方法，是检测腔体泄漏的方法，其特征在于，包括：在第一半导体工序与第二半导体工序之间执行清洗工序的步骤；以及，在所述第一半导体工序与所述第二半导体工序之间检测所述腔体的泄漏的步骤，其中，所述清洗工序与所述泄漏的检测非同时进行。根据本专利技术的另一方面，提供一种能够在不影响半导体工序的情况下迅速检测腔体泄漏的腔体泄漏检测装置。根据本专利技术的一个实施例，能够提供一种腔体泄漏检测装置，是检测腔体泄漏的装置，包括：获取部，其在所述腔体的清洗工序后获取关于等离子体反应的等离子体频谱；以及，泄漏检测部，其通过分析所述等离子体频谱检测所述腔体的泄漏。所述获取部是能够获取关于所述等离子体反应的等离子体频谱的图形传感器或分光仪，所述图像传感器或分光仪能够在100至1000nm之间的波段具有0.1至10nm之间的分辨率。所述泄漏的检测是能够在所述清洗工序后、下一个半导体工序开始之前执行。所述泄漏检测部在对所述等离子体频谱的分析结果为检测到除等离子体反应气体的频谱以外的对象物质的频谱的情况下，能够判断为所述腔体存在泄漏。所述等离子体反应气体为Ar，所述对象物质为N2、O2。所述腔体泄漏检测装置还可以包括：警报部，其在所述泄漏检测部检测到泄漏的情况下，以视听觉形式输出警报。根据本专利技术的又一实施例，能够提供一种腔体泄漏检测装置，是检测腔体泄漏的装置，包括：处理器，其控制使得在第一半导体工序与第二半导体工序之间执行清洗工序；以及，泄漏检测部，其在所述第一半导体工序与所述第二半导体工序之间检测所述腔体的泄漏，其中，所述清洗工序与所述泄漏的检测非同时进行。技术效果通过提供根据本专利技术一个实施例的腔体泄漏检测方法及其装置，能够在不影响半导体工序的情况下迅速检测腔体泄漏。附图说明图1为显示根据本专利技术一个实施例的腔体泄漏(leak)检测方法的流程图；图2为简要显示根据本专利技术一个实施例的腔体泄漏检测装置构成的框图；图3为显示目前的泄漏检测结果的曲线图；图4及图5为显示根据本专利技术一个实施例的泄漏检测结果的曲线图。附图标记说明100：泄漏检测装置210：获取部215：泄漏检测部220：警报部225：存储器230：处理器具体实施方式本说明书中所使用的单数表现形式在说明书无其他明确说明的情况下还包括复数表现形式。在本说明书中，“构成”或“包括”等术语不应理解为必须包括所有说明书中记载的各构成要素或各步骤，而是应理解为可以不包括其中部分构成要素或部分步骤，或理解为还可以包括其他构成要素或步骤。并且，说明书中记载的“……部”、“模块”等术语表示处理至少一个功能或动作的单位，这可以通过硬件或软件实现，又或通过结合硬件和软件实现。本专利技术用于检测执行半导体工序的腔体有无泄漏，可以在各工序结束后注入用于清洗腔体内部的清洗气体执行清洗工序，清洗工序结束后使反应气体发生等离子体反应来检测腔体泄漏。本专利技术是在各工序结束后将腔体内部恢复成原状态的处理过程中通过反应气体的等离子体反应检测泄漏的方式，具有不影响工序的有益效果。以下参照附图具体说明本专利技术的实施例。图1为显示根据本专利技术一个实施例的腔体泄漏(leak)检测方法的流程图。以下，执行的各步骤是用腔体执行半导体工序的设备，但为便于理解和说明，本说明书统称为泄漏检测装置进行说明。步骤110中，泄漏检测装置100向腔体201内部注入等离子体反应气体，优选的是注入惰性气体。此处，惰性气体可以是Ar。本说明书假设惰性气体为Ar并以此为中心进行说明，但除Ar以外还可以利用He之类的其他惰性气体。不过，He比Ar更贵，因此更为优选的是采用Ar作为检测泄漏的惰性气体。步骤115中，泄漏检测装置100在腔体201处的各工序结束时为清洗腔体201内部以恢复成原状态，利用清洗气体执行清洗工序。例如，清洗气体可以是NF3。随着腔体201处执行各工序，各工序结束的情况下，腔体201内局部(例如，壁面等)会残留工序中利用的多种物质(例如，沉积物质)。因此，为了将腔体201内部恢复到原状态使得能够在腔体201执行其他工序，执行利用清洗气体清洗腔体201内部的清洗工序。步骤120中，泄漏检测装置100向腔体201内部注入惰性气体。即使腔体201内部的清洗工序结束，腔体201内部仍可能残留清洗气体。因此，可以通过向腔体201内部惰性气体进行泵吸，从腔体201内部挤出清洗气体。步骤125中，泄漏检测装置100使注入腔体201内部的惰性气体进行等离子体反应。之后在步骤130，泄漏检测装置100通过分析关于惰性气体等离子体反应的频谱确定腔体201有无泄漏。例如，泄漏检测装置100感测和分析关于惰性气体等离子体反应的频谱，当感测的频谱仅含有关于惰性气体的频谱的情况下，可以判断腔体201不存在泄漏。但如果对惰性气体的等离子体反应的频谱分析结果为除关于惰性气体的频谱之外还含有其他频谱的情况下，泄漏检测装置100可以判断腔体201存在泄漏。腔体201处的各工序结束后为执行其他工序而对腔体201内部进行清洗后将腔体201内部设置成原状态(条件)的过程中，可能会残留清洗工序中使用的清洗气体，因此可以利用惰性气体对此进行泵吸以挤出残留的清洗气体。在这种状态下使惰性气体发生等离子体反应并分析频谱的情况下，当腔体201不存在泄漏时只能感测到关于惰性气体的频谱。但如果腔体201存在泄漏，那么由于空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种腔体泄漏检测方法，是检测腔体泄漏的方法，其特征在于，包括：对所述腔体执行清洗工序后进行等离子体反应的步骤；以及通过分析所述等离子体反应检测所述腔体的泄漏的步骤。

【技术特征摘要】
2016.05.11 KR 10-2016-00575581.一种腔体泄漏检测方法，是检测腔体泄漏的方法，其特征在于，包括：对所述腔体执行清洗工序后进行等离子体反应的步骤；以及通过分析所述等离子体反应检测所述腔体的泄漏的步骤。2.根据权利要求l所述的腔体泄漏检测方法，其特征在于：所述泄漏的检测是在所述清洗工序后、下一个半导体工序开始之前执行。3.根据权利要求l所述的腔体泄漏检测方法，其特征在于，进行等离子体反应的所述步骤包括：所述清洗工序后通过注入等离子体反应气体泵吸所述清洗工序中使用的清洗气体的步骤；以及使所述等离子体反应气体进行等离子体反应的步骤。4.根据权利要求1所述的腔体泄漏检测方法，其特征在于，检测泄漏的所述步骤包括：获取关于所述等离子体反应的等离子体频谱的步骤；以及通过分析所述等离子体频谱，检测到除关于所述等离子体反应气体的频谱以外的对象物质的频谱的情况下，判断为所述腔体存在泄漏的步骤。5.根据权利要求4所述的腔体泄漏检测方法，其特征在于：所述对象物质为N2、O2。6.根据权利要求4所述的腔体泄漏检测方法，其特征在于：获取等离子体频谱的所述步骤在100至1000nm之间的波段以0.1至10nm之间的分辨率获取所述等离子体频谱。7.一种腔体泄漏检测方法，是检测腔体泄漏的方法，其特征在于，包括：在第一半导体工序与第二半导体工序之间执行清洗工序的步骤；以及在所述第一半导体工序与所述第二半导体工序之间检测所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李淳钟，禹奉周，李东锡，柳林水，
申请(专利权)人：塞米西斯科株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR