多区域处理系统及处理头技术方案

本发明专利技术的各个实施方式提供了基板与处理头的相对移动，以在最小空间内接近整个晶圆而在基板的各区域上执行组合式处理。处理头能够在所述的处理室中进行位置隔离处理，且还描述了一种使用所述处理头的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多区域处理系统及处理头背景 半导体处理操作包括透过沉积处理以形成层及移除层、定义特征部(如蚀刻)、制 备层(如清洁)、掺杂或其它不需在基板上形成层的处理。此外，类似的处理技术应用于下 列各装置的制造集成电路(IC)半导体装置、平板显示装置、光电子装置、数据储存装置、 磁电子装置、封装装置及其它类似装置。因特征部的尺寸持续缩小，对于沉积处理不断在追 求无论是在材料、单元处理或处理次序上的进步。然而，半导体厂商透过分批处理对整片晶 圆处理进行研发，因沉积系统被设计用以支持此处理方案。此种方式造成研发成本持续上 升，且无法适时又符合成本效益地进行全面的实验。虽然梯度处理尝试提供额外信息，但梯度处理具有数个缺点。梯度处理依赖所定 义的非均勻性，然而非均勻性不能反映常规处理操作，因此梯度处理不能模仿常规处理。此 夕卜，在梯度处理之下，一移动的光罩或遮板一般用以跨整个基板或部分基板沉积不同数量 的材料(或掺质)。此方式亦用于也许可或不可被用于共同溅镀的目的而具有载置标的物 (target)的旋转输送带的沉积系统。上述每个系统中，沉积区域的均勻性，以及执行超过一 个沉积处理的交互污染的问题，皆使这些本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理方法，其用以处理基板上的一位置隔离区域，包含：修正介于一沉积头与所述基板的所述位置隔离区域之间的一处理区域的容积；在所述基板的位置隔离区域上执行一干式处理；以及在进行处理的同时，经由围绕一沉积头组件周围的区域而抽空所述处理区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-9-6 60/970,500;US 2007-12-27 11/965,689一种处理方法，其用以处理基板上的一位置隔离区域，包含修正介于一沉积头与所述基板的所述位置隔离区域之间的一处理区域的容积；在所述基板的位置隔离区域上执行一干式处理；以及在进行处理的同时，经由围绕一沉积头组件周围的区域而抽空所述处理区域。2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述处理区域内的位置隔离区域上沉积一均勻 的膜，且其中，所述沉积头为标的物或喷淋头中的一个。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述沉积头组件包括一内壁，该内壁定义所述处理 区域的周边；且修正的步骤在所述内壁静止时，移动所述沉积头。4.如权利要求1所述的方法，还包含将定义围绕所述周围的区域的外壁定位为更靠近所述基板而不是所述内壁的底部部分。5.如权利要求1所述的方法，其中，多个位置隔离区域被类似地处理，但介于所述沉积 头与所述基板之间的间隔不同。6.一种半导体处理室，包含基板支座，其用以支撑一基板；处理头，其设置于所述基板支座的上方，所述处理头在垂直于所述基板的表面的垂直 方向上可移动，所述处理头被包括于一处理头组件内，该处理头组件在所述基板的一部分 上方定义一处理区域；其中，所述处理头在所述处理头组件内是可移动的。7.如权利要求6所述的半导体处理室，其中，所述处理头被配置于所述处理头组件的 一内壁内，且一屏蔽与所述内壁的至少一下部分开，并围绕所述至少一下部。8.如权利要求7所述的半导体处理室，其中，所述内壁与所述处理头沿所述垂直方向 且相对于所述屏蔽是可移动的，以修正所述处理区域的容积。9.如权利要求7所述的半导体处理室，其中，所述处理头相对于所述内壁是可移动的， 以修正所述处理区域的容积。10.如权利要求6所述的半导体处理室，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：里克恩多，库尔特魏纳，因德拉尼尔德，詹姆士宗，赵茂生，
申请(专利权)人：分子间公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]