半导体层的制造方法和半导体层制造装置以及使用它们制造的半导体器件制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体层的制造方法和半导体层制造装置以及使用它们制造的半导体器件。通过该半导体层的制造方法，能够缩短在形成半导体层之前用于降低反应室内存在的杂质浓度的处理时间，利用单室方式也能够形成优质的半导体层。本发明专利技术半导体层的制造方法在能够密闭的反应室（１０１）内部来形成半导体层，包括：使用置换气体来除去反应室（１０１）内部杂质的杂质除去工序、形成半导体层的半导体层形成工序，杂质除去工序是把由向反应室（１０１）内部导入置换气体的置换气体导入工序和把置换气体排出的排气工序构成的循环反复进行多次的工序，杂质除去工序至少在半导体层形成工序之前进行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种半导体层的制造方法，在能够密闭的反应室（１０１）内部来形成半导体层（２０７），其中，包括：　使用置换气体来除去所述反应室（１０１）内部的杂质的杂质除去工序、　形成所述半导体层（２０７）的半导体层形成工序，　所述杂质除去 工序是将如下循环反复进行多次的工序，该循环由向所述反应室（１０１）内部导入置换气体的置换气体导入工序和将所述置换气体排出的排气工序构成，　所述杂质除去工序至少在半导体层形成工序之前进行。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸本克史，福冈裕介，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]