新型化合物半导体及其制备方法,以及使用该新型化合物半导体的太阳能电池和热电转换元件技术

技术编号:5485123 阅读:211 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及由以下通式表示的化合物半导体:Bi1-xMxCuwOa-yQ1yTeb-zQ2z。在此,M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Eu、Sm、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素;Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素;x、y、z、w、a和b为0≤x<1、0<w≤1、0.2<a<4、0≤y<4、0.2<b<4和0≤z<4。这些化合物半导体可用在各种应用中,如太阳能电池或热电转换元件,其中它们可以取代常规使用的化合物半导体,或者与常规使用的化合物半导体一起使用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】,以及使用该新型化合物半导体的太阳能电池和热电转 ...的制作方法
本专利技术提供了一类,以及使用该新型化合物半导 体的太阳能电池和热电转换元件。
技术介绍
化合物半导体不是像锗一样的单一元素,而是通过结合至少两种元素得到并由此 作为半导体运行的化合物。在许多领域中已经开发并应用了各种各样的化合物半导体。化 合物半导体典型地应用于发光器件(如使用光电转换效应的LED或激光二极管)、太阳能电 池以及使用珀尔帖效应(Peltier Effect)的热电转换元件中。其中,集中研究了除了太阳光以外不需要其他任何能源的环境友好的太阳能电池 作为未来的替代能源。太阳能电池通常分为使用主要为硅的单一元素的硅太阳能电池、使 用化合物半导体的化合物半导体太阳能电池以及具有至少两个有不同带隙能级的叠层太 阳能电池的串联太阳能电池。化合物半导体太阳能电池在吸收太阳光以产生电子_空穴对的光吸收层中使用 化合物半导体。化合物半导体包括III-V族化合物半导体,如GaAs、InP、GaAlAs和GaInAs ; II-VI族化合物半导体,如CdS、CdTe和ZnS ;以及I-III-VI族化合物半导体,如CuI本文档来自技高网...

【技术保护点】
由以下通式1表示的化合物半导体:通式1Bi↓[1-x]M↓[x]Cu↓[w]O↓[a-y]Q1↓[y]Te↓[b-z]Q2↓[z]其中,M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Eu、Sm、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的至少一种元素;Q1和Q2为选自S、Se、As和Sb中的至少一种元素;x、y、z、w、a和b为0≤x<1、0<w≤1、0.2<a<4、0≤y<4、0.2<b<4和0≤z<4。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴哲凞孙世姬洪承泰权元锺金兑训
申请(专利权)人:LG化学株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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