【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及在集成电路的生产中在半导体晶片结构上的电路图案的蚀刻，确切地 是它涉及在微机电系统(“MEMS”)的生产中在结构上的深槽的蚀刻。MEMS涉及非常小的物品(例如，通常大小在从微米到毫米范围的机器)的技术。 远在该技术存在之前人们就认识到了非常小的机器的潜力。常见的应用包括用压电体或热 气泡喷射来操作的喷墨打印机、汽车中的加速计(例如用于碰撞时气囊的打开)、陀螺仪、 硅压力传感器(例如用于监控汽车轮胎或血压)、光控开关技术、或在医药和健康相关的技 术中的生物MEMS应用。微电子电路处理由传感器从环境中通过测量机械的、热的、生物的、 化学的、光学的或磁学的现象所采集的信息。国际专利申请W088/08930( = US 5，047，115)公开了一种用SF6或NF3在硅中蚀 刻深槽的方法。该方法非常适合于生产磁性记录头的领域，它是MEMS的一个非常重要的领 域。EP专利申请EP-A-O 200 951披露了一种方法，该方法通过施用一种NF3或SF6、N2、 和一种层形成(钝化)气体例如CHF3的混合物用于硅的高速率各向异性蚀刻。英国专利GB 2 290 413...
【技术保护点】
一种由结构生产微机电系统（“ＭＥＭＳ”）的方法，所述方法包括如下步骤：其中施用包括元素氟或碳酰氟（ＣＯＦ↓［２］）或两者混合物的蚀刻气体来蚀刻所述结构。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。