【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及相变存储元件、相变存储单元、真空处理设备及相变存储元件的制造 方法。
技术介绍
可将半导体存储元件归类为两种领域，即易失性存储和非易失性存储，而两种存 储都需要连续供电以维持数据。闪速存储作为非易失性存储的典型例子不需要电功率来维 持数据。因此，闪速存储最常用作非易失性存储。然而，随着闪速存储的微图案化进展，最 近提出了包括更先进的微图案化、速度和可靠性的非易失性存储技术来取代闪速存储。相变存储元件作为一种下一代技术，是能够直接覆写和快速转化的电驱动的、低 功耗的存储元件。在作为相变存储元件的两种电阻值状态的置位和复位之间的快速转化是 由相变记录材料的晶相和非晶相之间的大的电特性变换所引起的。相变记录材料的一个例 子是因相变而使电压显著变化的硫属化物材料层。对于IO12次写入，这两种相的电阻状态 具有IO2以上的电阻变化，且相变存储元件的写入计数耐久性(即闪速存储的写入计数耐 久性)高于105。此外，由于同时获得低功耗，低电压驱动，及逻辑电路，因此相变存储元件很 适合于移动
中。相变存储元件的硫属化物材料层的最通常的例子是Ge2Sb2Te5 ...
【技术保护点】
相变存储元件，包含：钙钛矿层，其由具有钙钛矿结构的材料形成，和相变记录材料层，其位于所述钙钛矿层的至少一侧，且当通过所述钙钛矿层供应电流时相变为晶态和非晶态之一。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔永硕，恒川孝二，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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