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相变存储元件，包含：由具有钙钛矿结构的材料形成的钙钛矿层，和相变记录材料层，其位于所述钙钛矿层的至少一侧，且当通过所述钙钛矿层供应电流时相变为晶态和非晶态之一。...
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