【技术实现步骤摘要】
本技术属于一种用于300mm硅片热处理的立式氧化炉,具体是一 种300mm立式氧化炉的炉体。
技术介绍
氧化炉是用于硅片进行氧化、退火等热处理工艺的半导体设备,现用的 氧化炉,大都是卧式结构,其温度均匀性及控温精度不够理想,操作和控制 不够精确灵活,自动化程度低、生产效率和产品质量不够高,不能适应300mm 硅片的生产需求。因此,需要提出一种结构改进的300mm立式氧化炉炉体。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术问题,提出一种300mm立式氧 化炉炉体,该氧化炉炉体结构新颖、完善,温度控制灵活、精确,生产效率 和产品质量大大提高。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的300mm立式氧化炉 炉体,设有主体、顶盖、基座,其特征在于所述主体为一直立圆筒形,由 内到外依次设有炉丝、炉丝支撑件、保温棉层、内壁、冷却管、外壁,所述 炉丝在主体内由上到下多圈环绕,由炉丝支撑件支撑固定,保温棉层设置在 内壁内侧,在内壁和外壁之间设置上下迂廻弯曲的冷却管;冷却管设有冷却 水进出水口;设有多个热电偶、炉丝引线穿过保温层、内壁、外壁,横向固 定在内壁上,热电偶里端到达测温位置,炉 ...
【技术保护点】
一种300mm立式氧化炉炉体,设有主体、顶盖、基座,其特征在于:所述主体为一直立圆筒形,由内到外依次设有炉丝(8)、炉丝支撑件(7)、保温棉层(6)、内壁(3)、冷却管(4)、外壁(5),所述炉丝在主体内由上到下多圈环绕,由炉丝支撑件支撑固定,保温棉层设置在内壁内侧,在内壁和外壁之间设置上下迂廻弯曲的冷却管;冷却管设有冷却水进出水口(15);设有多个热电偶(11)、炉丝引线(12)穿过保温层、内壁、外壁,横向固定在内壁上,热电偶里端到达测温位置,炉丝引线里端焊接在炉丝上;在主体上口沿设有环形顶块(2),该顶块中间设有顶盖(1),在主体的下口设有环形底块(9),所述顶盖、顶块 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:钟华,盛金龙,程朝阳,胡星强,艾伦埃马米,
申请(专利权)人:北京七星华创电子股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]
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