用于半导体发光装置的电接触件制造方法及图纸

一种用于形成用于半导体发光装置的电接触件的方法。所述发光装置具有第一导电型的第一层，覆盖所述第一层的用于发光的有源层，和覆盖所述有源层的具有第二导电型的第二层。所述方法包括至少形成通过第二层和有源层的第一和第二细长电接触件以提供与第一层的电连接，所述第一和第二接触件彼此成角度定向，所述第一接触件具有与所述第二接触件接近的第一末端，所述第一末端与所述第二接触件充分间隔开，以便当通过所述接触件向所述第一层施加电流时，在大体位于第一末端和第二接触件之间的区域中的来自第一接触件的第一末端和所述第二接触件的电流作用使得所述区域中的电流密度近似等于沿所述第一和第二接触件的其它处的电流密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及半导体发光设备，更特别地涉及用于半导体发光设备的电接触件。
技术介绍
例如发光二极管(LED)的半导体发光设备提供有效光源，并且比白炽灯泡和荧光灯管更为鲁棒。LED技术和处理中的进步方便了使用这种设备来代替传统光源，例如在商业和住宅的光照应用中。因此，对于用在光照应用中的LED而言，效率和可靠性是重要的因素。此外，对于增加从LED输出的光的需求持续增长，造成更高的操作电流。通常，在半导体管芯的相同侧上制造具有n-型和p-型接触件的LED，以便光可以从光输出表面发射出，而不受电接触件阻碍。在这种情况下，到至少一层的电接触件可以经过管芯的其它层延伸，从而减小了LED中的发光面积。用于半导体LED的n-型和p-型区域的半导体材料通常具有低的载流子迁移率。因此，通常多个接触件用于向LED的内部半导体层提供电流，以便所述电流经所述层扩散，从而造成LED中基本上均匀的发光。然而，采用多个接触件会减少LED的发光面积，从而总体上LED中的电接触件设计涉及在电流扩展和在已经形成接触件之后剩余的可用发光面积之间的权衡。还需要对用于形成半导体LED的电接触件的处理进行改进。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供一种用于形成用于半导体发光装置的电接触件的处理。所述发光装置包括具有第一导电型的第一层，覆盖所述第一层的用于发光的有源层，和覆盖所述有源层的具有第二导电型的第二层。所述处理包括至少形成通过第二层和有源层的第一和第二细长电接触件以提供与第一层的电连接，所述第一和第二接触件彼此成角度定向，所述第一接触件具有与所述第二接触件接近的第一末端，所述第一末端与所述第二接触件充分间隔开，以便当通过所述-->接触件向所述第一层施加电流时，在大体位于第一接触件的第一末端和第二接触件之间的区域中的来自所述第一末端和第二接触件的电流作用使得所述区域中的电流密度近似等于沿第一和第二接触件的其它处的电流密度。所述形成可以包括形成所述第一和第二接触件，以便所述第一接触件的第一末端靠近所述第二接触件的第一末端。所述半导体发光装置可以包括大体为矩形的半导体结构，并且所述形成可以包括沿所述半导体结构的相邻外边界形成所述接触件，以便所述第一接触件的第一末端和第二接触件的第一末端靠近所述半导体结构的第一角。所述形成可以包括沿所述矩形半导体结构的每个外边界形成电接触件，以便相邻的接触件对具有间隔开的末端，所述末端靠近大体为矩形的半导体结构的各个角，从而当通过接触件向第一层施加电流时，在大体位于间隔开的末端之间的区域中的来自各个间隔开的末端的电流作用使得所述区域中的电流密度近似等于沿所述接触件的其它处的电流密度。所述处理可以包括形成至少一个通过所述第二层和有源层的孔，以及形成经过所述孔到所述第一层的电通路接触件，所述孔与半导体结构的外边界内向间隔。所述处理可以包括将所述电通路接触件和至少第一和第二接触件互联，以形成向所述第一层提供电流的第一电极。所述形成可以包括形成具有侧壁和底壁的通道，所述侧壁通过所述第二层和有源层延伸，所述底壁包括第一层的一部分。所述处理可以进一步包括将所述侧壁绝缘以便防止通过所述第一和第二接触件与第二层和有源层电接触。所述处理可以进一步包括在通道中沉积导电材料以与第一层电接触，从而将第一接触件的第一末端与第二接触件间隔开。沉积可以包括对导电材料进行构图，以至少从第一接触件的第一末端除去导电材料，以使得第一接触件的第一末端与第二接触件间隔开。绝缘可以包括在第一接触件的第一末端附近沉积电介质材料，所述电介质材料可用于当在通道中沉积导电材料时将第一末端与第二接-->触件绝缘。绝缘可以包括在侧壁上沉积电介质材料。所述处理可以包括至少将第一和第二接触件互联。互联可以包括在细长电接触件之间形成互联层，所述互联层至少覆盖第二层的一部分，并且与其绝缘。所述形成可以包括通过除去部分第二层和有源层来形成电接触。根据本专利技术的另一方面，提供一种用于半导体发光装置中的半导体结构。所述结构包括具有第一导电型的第一层，用于产生光的有源层，所述有源层覆盖所述第一层，和具有第二导电型的第二层，所述第二层覆盖所述有源层。所述结构还至少包括延伸通过所述第二层和有源层并与第一层电接触的第一和第二细长电接触件，所述第一和第二接触件彼此成角度定向，所述第一接触件具有与第二接触件接近的第一末端，所述第一末端与所述第二接触件充分间隔开，以便当通过所述接触件向所述第一层施加电流时，在大体位于第一末端和第二接触件之间的区域中的来自第一接触件的第一末端和第二接触件的电流作用使得所述区域中的电流密度近似等于沿第一和第二接触件的其它处的电流密度。所述第一接触件的第一末端可以靠近第二接触件的第一末端。所述半导体发光结构可以包括大体为矩形的半导体结构，并且所述第一接触件可以沿所述半导体结构的第一外边界延伸，所述第二接触件可以沿所述半导体结构的第二相邻外边界延伸，以便所述第一接触件的第一末端和第二接触件的第一末端靠近所述半导体结构的第一角。所述结构可以包括沿所述半导体结构的第三外边界延伸的第三细长电接触件，和沿所述半导体结构的第四外边界延伸的第四细长电接触件，以便所述第一、第二、第三和第四接触件的相邻对具有间隔开的末端，所述末端靠近大体为矩形的半导体结构的各个角，以便当通过所述接触件向第一层施加电流时，在大体位于所述间隔开的末端之间的区域中的来自各个间隔开的末端的电流作用使得所述区域中的电流密度近似等于沿所述接触件的其它处的电流密度。所述结构可以包括至少一个延伸通过所述第二层和有源层的孔，所述孔与半导体结构的外边界内向间隔，并且一电通路接触件通过所-->述孔延伸并与第一层电接触。所述结构可以包括在电通路接触件和至少第一和第二接触件之间的互联，所述互联用于方便向所述第一层施加电流。每个细长电接触件可以包括具有侧壁和底壁的通道，所述侧壁延伸通过所述第二层和有源层，所述底壁包括第一层的一部分，在所述通道中并与第一层电接触的导电材料，和在导电材料和所述侧壁之间的电介质材料，所述电介质材料用于防止通过第一和第二接触件与第二层和有源层电接触。所述结构可以包括在至少所述第一和第二接触件之间的互联，所述互联用于方便向所述第一层施加电流。所述互联可以包括至少覆盖所述第二层的第一部分的互联部分，所述互联部分与所述第二层绝缘。所述第一层可以包括n型半导体材料，并且所述第二层可以包括p型半导体材料。根据本专利技术的另一方面，提供一种半导体发光装置，其包括上述半导体结构，并进一步包括与至少第一和第二电接触件有电接触的第一电极和与第二层电接触的第二电极，从而当在第一电极和第二电极之间施加电压以便正向偏压电流流经所述有源层时在有源层中产生光。结合附图，根据下面对本专利技术特定实施例的描述，本专利技术的其它方面和特征对于本领域技术人员来说显而易见。附图说明在示出本专利技术的实施例的附图中，图1是根据本专利技术的第一实施例的半导体结构的平面示意图；图2是图1所示的半导体结构的截面示意图；图3是图1所示的半导体结构的一部分的细节平面示图；图4是图3所示的半导体结构部分的截面示意图；图5是根据本专利技术的另一实施例的互联半导体结构的平面示意图；图6是图5所示的互联半导体结构的一部分的第一截面示意图；图7是图5所示的互联半导体结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成用于半导体发光装置的电接触件的方法，所述发光装置包括第一导电型的第一层，覆盖所述第一层的用于发光的有源层，和覆盖所述有源层的第二导电型的第二层，所述方法包括：至少形成通过第二层和有源层的第一和第二细长电接触件以提供与第一层的电连接，所述第一和第二接触件彼此成角度定向，所述第一接触件具有与所述第二接触件接近的第一末端，所述第一末端与所述第二接触件充分间隔开，以便当通过所述接触件向所述第一层施加电流时，在大体位于在第一末端和第二接触件之间的区域中的来自第一接触件的第一末端和所述第二接触件的电流作用使得所述区域中的电流密度近似等于沿所述第一和第二接触件的其它处的电流密度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2006-10-18 11/550,4881.一种形成用于半导体发光装置的电接触件的方法，所述发光装置包括第一导电型的第一层，覆盖所述第一层的用于发光的有源层，和覆盖所述有源层的第二导电型的第二层，所述方法包括：至少形成通过第二层和有源层的第一和第二细长电接触件以提供与第一层的电连接，所述第一和第二接触件彼此成角度定向，所述第一接触件具有与所述第二接触件接近的第一末端，所述第一末端与所述第二接触件充分间隔开，以便当通过所述接触件向所述第一层施加电流时，在大体位于在第一末端和第二接触件之间的区域中的来自第一接触件的第一末端和所述第二接触件的电流作用使得所述区域中的电流密度近似等于沿所述第一和第二接触件的其它处的电流密度。2.权利要求1的方法，其中所述形成包括形成所述第一和第二接触件，以便所述第一接触件的第一末端靠近所述第二接触件的第一末端。3.权利要求2的方法，其中所述半导体发光装置包括大体为矩形的半导体结构，并且其中所述形成包括沿所述半导体结构的相邻外边界形成所述接触件，以便所述第一接触件的第一末端和第二接触件的第一末端靠近所述半导体结构的第一角。4.权利要求3的方法，其中所述形成包括沿所述矩形半导体结构的每个外边界形成电接触件，以便所述接触件的相邻对具有间隔开的末端，所述末端靠近所述大体为矩形的半导体结构的各个角，从而当通过所述接触件向第一层施加电流时，在大体位于所述间隔开的末端之间的区域中的来自各个所述间隔开的末端的电流作用使得所述区域中的电流密度近似等于沿所述接触件的其它处的电流密度。5.权利要求4的方法，进一步包括形成至少一个通过所述第二层和有源层的孔，以及形成通过所述孔到所述第一层的电通路接触件，所述孔与半导体结构的外边界内向间隔。6.权利要求5的方法，进一步包括将所述电通路接触件和至少第一和第二接触件互联，以形成向所述第一层提供电流的第一电极。7.权利要求1的方法，其中所述形成包括：形成具有侧壁和底壁的通道，所述侧壁延伸通过所述第二层和有源层，所述底壁包括第一层的一部分；将所述侧壁绝缘以便防止通过所述第一和第二电接触件与第二层和有源层电接触；在所述通道中沉积导电材料以与第一层电接触，从而将第一接触件的第一末端与第二接触件间隔开。8.权利要求7的方法，其中所述沉积包括对所述导电材料进行构图，以至少从第一接触件的第一末端除去导电材料，以使得第一接触件的第一末端与第二接触件间隔开。9.权利要求7的方法，其中所述绝缘包括在第一接触件的第一末端附近沉积电介质材料，所述电介质材料用于当在所述通道中沉积所述导电材料时将第一末端与第二接触件绝缘。10.权利要求7的方法，其中所述绝缘包括在所述侧壁上沉积电介质材料。11.权利要求1的方法，进一步包括将所述至少第一和第二接触件互联。12.权利要求11的方法，其中所述互联包括在所述细长电接触件之间形成互联层，所述互联层至少覆盖第二层的一部分，并且与其绝缘。13.权利要求1的方法，其中所述形成包括通过除去...

【专利技术属性】
技术研发人员：S夏菲诺，JJ尤宾，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]