【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及容器处理，其在于使容器内壁涂覆一势垒效应材料层。
技术介绍
然后，前驱气体(例如乙炔、(:2112)输入到容器中，该前驱气体 通过电磁轰击(一般用低功率的达2.45 GHz的超高频微波)被活化，以使 前驱气体进入冷等离子状态，并因而产生含氢化碳(包括CH、 CH2、 CH3) 的组分，氢化碳在容器的内壁上沉积成薄层(薄层的厚度视情况而定通常 为50纳米至200纳米，其中1纳米=10—9米)。 这正是已知处理机为什么配备密封装置的原因，所述密封装置包 括一环形垫圏，当容器被引入处理机内时，容器的开口(也被称作"器口") 将贴靠于所述垫圏上。作为例子进行说明，可以参考法国专利申请FR2 872 148 (Sidel)或者同族国际申请WO 2006/000539，还或者美国专利文献US 5 849 366。07所述技术是可完善的。事实上，已经在密封垫圏处观察到存在泄 露。所述泄露是由在垫圏上逐渐沉积由等离子产生的碳化组分所引起的。 随着时间的推移，所述沉积在垫圏表面构成一薄膜，薄膜使所述垫圏的柔 性减小，从而在垫圏和容器口之间的分界面出现缝隙。为了避免产...
【技术保护点】
容器（２）等离子处理机（１）用的密封装置（２３），其特征在于，所述密封装置包括至少第一和第二环形的密封表面（２４、２５），所述密封表面适于分别与所述容器（２）的颈部（１２）的不同的第一和第二环形区（１３、１５）配合，所述第一和第二环形区即一方面是器口（１３），另一方面是环箍（１５）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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