用于形成具有高纵横比接触开口的功率器件的结构和方法技术

本发明专利技术提供了一种场效应晶体管（ＦＥＴ），包括在第二导电类型的半导体区上方的第一导电类型的本体区。第二导电类型的源极区在本体区上方延伸。栅电极邻近于本体区延伸但是通过栅极电介质层与本体区绝缘。接触开口延伸到相邻的栅电极之间的本体区中。种子层沿着每个接触开口的底部延伸。种子层用作成核位点用于促进导电填充材料的生长。导电填充材料填充每个接触开口的下部部分。互连层填充每个接触开口的上部部分，并且与导电填充材料直接接触。互连层还沿着接触开口的上部侧壁与相应的源极区直接接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及半导体技术，更具体地涉及具有高纵横比接触开口(contact opening)的半导体功率器件以及用于形成该半导体功率器件的方法。
技术介绍
通常，η-沟道沟槽-栅极功率MOSFET包括其上形成有η型外延层的η型基板。该 基板包括有MOSFET的漏极。ρ型本体区延伸到外延层中。沟槽延伸通过本体区并进入被本 体区和基板限定的外延层的部分(通常称作漂移区)中。栅极电介质层(栅极介电层)形 成在每个沟槽的侧壁和底部上。源极区位于沟槽的侧面。重本体区形成在邻近的源极区之 间的本体区内。栅电极(例如，来自多晶硅)填充沟槽并且包括有MOSFET的栅极。电介质 帽覆盖沟槽并且还部分地在源极区上方延伸。顶侧金属层电接触源极区和重本体区。底侧 金属层接触基板。在一些MOSFET中，与源极和重本体区的金属接触(触点)通过接触开口制成。由 于工艺技术转移到更小的几何结构，所以形成和适当地填充这样的接触开口变得更困难。 因此，对在功率器件中能够形成和适当地填充这样的接触开口的技术存在需要。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施方式，场效应晶体管(FET)包括在第二导电类型的半导体 区上方的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管（ＦＥＴ），包括：在第二导电类型的半导体区上方的第一导电类型的本体区，所述本体区与所述半导体区形成ｐ－ｎ结；在所述本体区上方的第二导电类型的源极区，所述源极区与所述本体区形成ｐ－ｎ结；栅电极，邻近于所述本体区延伸但是通过栅极电介质与所述本体区绝缘；接触开口，延伸到邻近的栅电极之间的所述本体区中；种子层，沿着每个接触开口的底部延伸，所述种子层用作成核位点用于促进导电填充材料的生长；导电填充材料，填充每个接触开口的下部部分；以及互连层，填充每个接触开口的上部部分，并且与所述导电填充材料直接接触，所述互连层还沿着所述接触开口的上部侧壁与相应的源极区直接接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘南西，
申请(专利权)人：飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]