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本发明提供了一种场效应晶体管（ＦＥＴ），包括在第二导电类型的半导体区上方的第一导电类型的本体区。第二导电类型的源极区在本体区上方延伸。栅电极邻近于本体区延伸但是通过栅极电介质层与本体区绝缘。接触开口延伸到相邻的栅电极之间的本体区中。种子层沿...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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