本发明专利技术提供利用在ＬｉＮｂＯ↓［３］或ＬｉＴａＯ↓［３］和电介体层的界面传输的弹性边界波，无论电极膜变薄与否，均利用ＳＨ型弹性边界波，形成为低损失的弹性边界波装置。弹性边界波装置１在ＬｉＮｂＯ↓［３］基板１的上表面形成有多条槽１ｂ，在这些槽１ｂ中填充金属材料，形成包含ＩＤＴ电极的电极膜３，ＳｉＯ↓［２］膜之类的电介体层４以覆盖ＬｉＮｂＯ↓［３］基板１的槽１ｂ及电极膜３的方式形成，电介体层４的表面被平坦化，电极膜３的厚度、ＬｉＮｂＯ↓［３］基板的欧拉角（０°，θ，－４５°～＋４５°）的θ及电介体层４的厚度在下述表１所示的范围的任一个范围。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如作为共振子或带通滤波器使用的弹性边界波(boundary wave)装置，更具体来说，具有压电体、通过在压电体的上表 面埋入金属而形成的电极、和以覆盖压电体及电极的方式设置的电介体的 弹性边界波装置。
技术介绍
在移动体通信系统中使用的双工分频器(DPX)或RF滤波器中，寻 求满足宽频带且良好的温度特性两者。以往，在DPX或RF滤波器中使用 的弹性表面波装置中，使用由36° 50°旋转Y板X传输LiTa03构成的 压电基板。该压电基板的频率温度系数为一45 一35ppm/。C左右。知道有 为了改善温度特性，在压电基板上以被覆IDT电极的方式将具有正的频率 温度系数的SiOj莫成膜的方法。然而，在SiOj莫以被覆IDT电极的方式形成的结构中，在IDT电极 的电极指存在的部分、和不存在的部位产生高低差。即，在IDT电极存在 的部分、和不存在的部分，Si02膜的表面的高度不得不不同。因此，由于 上述SiOj莫表面的凹凸，导致插入损失变差的问题。另外，随着IDT电极的膜厚的变大，上述凹凸不得不变大。从而，不 能增加IDT电极的膜厚。近年来，为了能够代替弹性表面波滤波器装置，并实现封装件的小型 化，弹性边界波装置受到瞩目。在下述非专利文献1中，公开有在LiNb03 基板上依次形成IDT电极及作为电介体的Si02膜而成的弹性边界波滤波 器装置。在此，通过增加IDT电极的膜厚，使在LiNb03基板和Si02膜的 界面传输的SH型弹性边界波的音速低于Si02膜的迟滞横波，SH型边界 波不漏泄。SH型边界波不漏泄的IDT电极的厚度从该非专利文献1的图 3可知，在由Al构成的IDT电极的情况下为0.15 A以上，在由Cu、 Ag或Au构成的IDT电极的情况下为0.04入以上。还有，入表示SH型边界 波的波长。非专利文献《使用了弹性边界波的RF滤波器》 (Proc.Symp.Ultrason.Electron.,Vol.26,pp.25陽26 (2005/11))然而，如非专利文献1中记载的弹性边界波滤波器装置一样，将由 Au构成的IDT电极形成为0.04入以上的厚度的情况下，由于电极的厚度 不均，导致弹性边界波滤波器的频率特性具有大幅度不均倾向。因此，难 以稳定地制造具有良好的频率特性的弹性边界波装置。
技术实现思路
本专利技术的目的在于鉴于上述以往技术的现状，提供在减小电极的厚度 的情况下，也能够将SH型的弹性边界波有效地封闭在压电体和电介体的 边界且低损失的弹性边界波装置。根据本申请的第一专利技术可知，提供一种弹性边界波装置，其特征在于， 具备在上表面形成有多条槽的、欧拉角(0° ， e ， _45° +45° )的 LiNb03基板；在所述槽中填充金属材料而形成的电极；以覆盖所述LiNb03 基板及电极的方式形成的电介体层，该电介体层的上表面形成为平坦，形 成所述电极的金属材料为选自Al、 Ti、 Ni、 Cr、 Cu、 W、 Ta、 Pt、 Ag及 Au的一种金属材料，所述Al及Ti设为第一组，Ni及Cr设为第二组，Cu、 W、 Ta、 Pt、 Ag及Au设为第三组，属于各组的金属材料构成的电极的厚 度、所述LiNb03基板的欧拉角的e、和所述电介体层的厚度在下述表1 所示的任一个范围。 <table>table see original document page 6</column></row><table>电极厚度及电介体层厚度均为标准化膜厚H/X (入为弹性边界波的波长。)在第一专利技术的弹性边界波装置中，优选所述电极的厚度、所述LiNb03基板的欧拉角的e及所述电介体层的厚度在下述表2所示的任一个范围。<table>table see original document page 7</column></row><table>电极厚度及电介体层厚度均为标准化膜厚H/入(X为弹性边界波的波长-)根据本申请的第二专利技术可知，提供一种弹性边界波装置，其特征在于，具备在上表面形成有多条槽的、欧拉角(0° ， 9 ， _45° +45° )的 LiTa03基板；在所述槽中填充金属材料而形成的电极；以覆盖所述LiTa03 基板及电极的方式形成的电介体层，该电介体层的上表面形成为平坦，形 成所述电极的金属材料为Al、 Cu、 Au、 Ta、及Pt中的一种金属材料，所 述电极的厚度、所述LiTa03基板的欧拉角的6及电介体层的厚度在下述表 3所示的任一个范围。<table>table see original document page 7</column></row><table>电极厚度及电介体层厚度均为标准化膜厚.H/ A (入为弹性边界波的波长。)在第二专利技术的弹性边界波装置中，所述电极的厚度、所述LiTa03基板 的欧拉角的9及所述电介体层的厚度在下述表4所示的任一个范围。<table>table see original document page 8</column></row><table>电极厚度及电介体层厚度均为标准化膜厚H/A ( A为弹性边界波的波长。)在本专利技术的弹性边界波装置中，优选所述电介体层由氧化硅构成。氧化硅的频率温度系数TCF为正的值，LiNb03及LiTa03的频率温度系数 TCF为负的值，因此，能够提供频率温度系数的绝对值小，温度特性良好 的弹性边界波装置。 (专利技术的效果)在第一专利技术的弹性边界波装置中，在LiNb03基板的上表面形成的槽 中填充金属材料，形成为电极，以覆盖该LiNb03基板及电极的方式形成 有电介体层，因此，通过调节槽的深度，能够调节电极的厚度。从而，难 以产生电极存在的部分和电极不存在的部分的高低差，因此，能够使电介 体层的上表面容易地平坦化，能够实现插入损失的降低。而且，形成上述电极的金属材料包括第一组、第二组及第三组的各金 属材料中的一种，LiNb03基板的欧拉角的e、电介体层的厚度、和电极的 厚度在表l所示的任一个范围内，因此，从后述具体的实验例明确可知， 能够提供在减小电极的厚度的情况下，也能够使SH型边界波非漏泄，由 此，能够提供利用SH型边界波的低损失的弹性边界波装置。另外，电极的厚度、欧拉角的e及电介体层的厚度在所述表2所示的 任一个的情况下，能够进一步减小弹性边界波装置的损失。根据第二专利技术可知，在LiTa03基板的上表面形成的槽中填充金属材 料，形成为电极，以覆盖LiTa03基板及电极的方式形成有电介体层，因此， 难以产生电极存在部分、和电极不存在的部分之间的高低差，因此，电介体层的上表面形成为平坦，由此，能够发挥降低插入损失的作用。而且，电极形成材料为Al、 Cu、 Au、 Ta、及Pt中的金属材料中的一种金属材料， 电极的厚度、LiTa03基板的欧拉角的e及电介体层的厚度在表2所示的任 一个范围，因此，在减小了电极的厚度的情况下，也能够使SH型边界波 非漏泄，由此，能够提供利用了SH型边界波的低损失的弹性边界波装置。 尤其，电极的厚度、欧拉角的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种弹性边界波装置，其特征在于，具备： 在上表面形成有多条槽的、欧拉角（０°，θ，－４５°～＋４５°）的ＬｉＮｂＯ↓［３］基板； 在所述槽中填充金属材料而形成的电极； 以覆盖所述ＬｉＮｂＯ↓［３］基板及电极的方式形成的电介 体层，该电介体层的上表面形成为平坦， 形成所述电极的金属材料为选自Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｇ及Ａｕ的一种金属材料，所述Ａｌ及Ｔｉ设为第一组，Ｎｉ及Ｃｒ设为第二组，Ｃｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｇ及Ａｕ设为第三组，由属 于各组的金属材料构成的电极的厚度、所述ＬｉＮｂＯ↓［３］基板的欧拉角的θ和所述电介体层的厚度在下述表１所示的任一个范围。 ［表１］ ＊＊＊ 电极厚度及电介体层厚度均为标准化膜厚Ｈ／λ（λ为弹性边界波的波长。）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：门田道雄，木村哲也，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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