弹性边界波装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可以防止更高频率下的导体电阻增加且具有小滞后温度系数的弹性边界波装置。弹性边界波装置（１０）包含ＩＤＴ（１３），ＩＤＴ（１３）包含在第一介质（１１）和第二介质（１２）之间安置的层压导体层，其中将在厚度方向上平分ＩＤＴ（１３）的平面看作是界面，在界面的第一介质（１１）一侧存在的弹性边界波能量表示为Ｅ１且在界面的第二介质（１２）一侧存在的弹性边界波能量表示为Ｅ２，并且其中如果ＩＤＴ（１３）只由在ＩＤＴ（１３）的所述层压导体层中具有最高密度的导体层构成，则在所述界面的第一介质（１１）一侧存在的弹性边界波能量表示为Ｅ１′且在所述界面的第二介质（１２）一侧存在的弹性边界波能量表示为Ｅ２′时，弹性边界波的能量可以满足Ｅ１／Ｅ２＜Ｅ１′／Ｅ２′的关系，使得在由所述层压导体层构成的ＩＤＴ（１３）中弹性边界波的声速等于在ＩＤＴ（１３）只由具有最高密度的导体层形成时弹性边界波的声速。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种弹性边界波装置，该装置包含：在弹性边界波的传播方向上具有正的滞后温度系数的第一介质；在弹性边界波的传播方向上具有负的滞后温度系数的第二介质；和包含在第一介质和第二介质之间安置的层压导体层的ＩＤＴ，　　　　其中第一介质和第二介质的层压方向是ＩＤＴ的厚度方向，将在厚度方向上平分ＩＤＴ的平面看作是界面，在所述界面的第一介质一侧存在的弹性边界波能量表示为Ｅ１并且在所述界面的第二介质一侧存在的弹性边界波能量表示为Ｅ２，并且　　　　如果ＩＤＴ只由在ＩＤＴ的所述层压导体层中具有最高密度的单金属的导体层构成，则在所述界面的第一介质一侧存在的弹性边界波能量表示为Ｅ１′并且在所述界面的第二介质一侧存在的弹性边界波能量表示为Ｅ２′时，弹性边界波的能量可以满足Ｅ１／Ｅ２＜Ｅ１′／Ｅ２′的关系，使得在由所述层压导体层构成的ＩＤＴ中弹性边界波的声速等于在ＩＤＴ只由所述具有最高密度的导体层形成时弹性边界波的声速。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：神藤始，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]